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271.
包飞  钟德安  冯鸿奎  刘扬 《电讯技术》2014,54(11):1576-1579
在航天测量船无线电测量设备重力下垂参数标定中常常会受到电磁环境的影响,导致标定结果失真(参数值不可用)。为提高设备的跟踪精度,需获得较为准确的重力下垂参数。设电磁环境影响参数ξ,将参数ξ代入到相关的标定过程中去定量分析影响量,给出了ξ对重力下垂参数的影响量值,同时得到结论:重力下垂参数ΔEG和电磁环境影响ξ对电轴在方向上的影响相同,反向法无法分离两种误差。为分离两种误差,消除环境影响量ξ,对重力下垂参数标定的工程方法进行了改进,依据误差的包含关系,将传统的对塔方法和跟踪信标球的方法相结合,通过相关数学方法处理得到较为准确的重力下垂参数,经过试验验证,该方法可行,标定结果可信。  相似文献   
272.
基于指纹比对和USB-Key认证技术,通过把客户的十个手指指纹一一映射对应为0到9这十个数字,对USB-Key接收到的收款账号通过刷入代表不同数字的指纹进行复核比对,提出一种即使客户的交易信息被秘密篡改的情况下仍然能够保证客户账户安全的网上银行身份认证方法.在某网上银行测试系统进行的实验结果表明,该方法有效、安全.  相似文献   
273.
进入信息时代,多媒体技术进入了高速发展时期,观众不仅可以借助多媒体技术了解相关信息,更可以互动的参与其中,深刻体会到多媒体技术在现代展示应用中给人们生活带来的改变。针对当前多媒体技术的普遍应用,本文设计了一套基于RFID技术的智能多媒体控制系统,介绍了射频识别技术的工作原理并分析了这套智能多媒体控制系统的组成,同时讨论了系统的功能拓展。此系统具有实时性、稳定性、智能化的特点。  相似文献   
274.
Kano模型作为一种定性的分析模型,被广泛应用在新产品开发、互联网用户体验、公共服务及服务管理等领域.本文以小米手机MIUI系统为例,运用Kano模型分析法对中老年用户使用智能手机过程中的细致需求进行系统的研究,梳理出中老年用户关注的基本需求功能项和期望需求功能项,以解决中老年智能手机功能优化过程中用户黏度的瓶颈,以达成中老年用户对智能手机使用的忠诚度.  相似文献   
275.
聚合物发光二极管中可逆的不稳定行为   总被引:7,自引:2,他引:7  
研究了存在于聚合物发光二极管 ( PL ED)中的一种可逆的“负阻”现象及短期衰退行为 .当加在 PLED上的正向偏压大于 1 0 V之后 ,其电流和发光强度将在某偏压下出现突然的转折 ,即电流或光强骤增而器件上压降减小 .“负阻”现象将随测量次数的增加而逐渐消失 .采用 CCD摄像头摄取发光象素上发光的变化情况的图像 ,发现光强的突变与电流的突变是相对应的 .对以不同极性脉冲偏置观察发光光强的短期衰退情况时发现 ,反向偏置有助于抑制正向的发光衰退行为 .我们初步认为这些现象可能与 PLED中存在的缺陷态及其上电荷的填充状况有关  相似文献   
276.
新型强光敏性特种光纤的研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
本文研究了各种新型的强光敏性特种光纤,并结合我们的制作经验从光纤结构和制作过程上给予了详细的讨论。同时文章出给出了我们研制的B/Ge光敏光纤的结构剖面及其写入紫外光纤光栅的实验结果。  相似文献   
277.
介绍群同步的原理 ,分析采用巴克码编码的连贯式插入法群同步的特征以及具体的实现 ,并对其性能和抗干扰能力进行仿真分析。该方法对于系统间的远程协同具有借鉴作用  相似文献   
278.
一种新型小型化微带天线的全波分析   总被引:4,自引:3,他引:4       下载免费PDF全文
崔俊海  钟顺时 《电子学报》2001,29(6):785-787
本文介绍了一种新颖的小型化微带天线.利用在贴片上面开一个C型缝隙,使得谐振频率明显降低,尺寸仅是传统的半波长微带天线的33%,阻抗带宽略有增加,并且加工相对简单.利用时域有限差分法(FDTD)对这种天线进行了较为全面的理论分析,给出了输入端反射损耗特性和辐射特性.同时给出了矩量法(MoM)分析结果和测量结果,具有较好的一致性.此种天线可应用于对天线尺寸有严格限制的场合.  相似文献   
279.
红外焦平面热成像仪参数测试系统   总被引:2,自引:1,他引:2  
钟文辉 《红外》2006,27(6):29-34
本文分析了热像仪参数测试仪的基本结构,介绍了热像仪参数测试仪的发展现况及主要公司的产品,并重点对热像仪主要参数的测量方法进行了调研,最后提出了一套热像仪参数测试仪的设计方案。  相似文献   
280.
在垂直腔面发射激光器(VCSEL)中常用氧化物限制结构来对其进行电流和光场的限制.分别从氧化时间、氧化温度、氧化载气的气流量三方面讨论研究了它们对Al0.98Ga0.02As层氧化深度、氧化速率的影响.最后得到最佳氧化条件:氧化温度为422℃,氧化载气的气体流量为1.5 L/min,氧化速率为0.6μm/min.用在此最佳氧化条件下氧化的外延片制成VCSEL器件,室温下其阈值电流大约为1.8 mA,最大输出功率为7.96 mW.  相似文献   
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