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901.
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GaAs单晶作为一种重要的LED衬底材料在光电器件中应用十分广泛,但载流子浓度(C.C.)分布不均、杂质浓度过高等缺陷会严重影响相关器件的性能.为制备纵向载流子浓度分布均匀的掺硅HB-GaAs单晶,本文探讨了单晶生长过程中熔区长度对纵向载流子浓度分布的影响.以高纯GaAs多晶为原料,设定不同的拉晶温度曲线,采用窄熔区技术进行晶体生长研究,最终生长出C.C.值分布更均匀、位错密度低(EPD≤10 000 cm-2)的<111>向N型掺硅GaAs单晶.利用辉光放电质谱法(GDMS)和范德堡法霍尔效应测试对晶体进行了表征,单晶纯度达到5N且无硼杂质沾污. 相似文献
903.
以二水氯化铜(CuCl2·2H2O)、硅酸钠(Na2SiO3)、钼酸钠(Na2 MoO4)和2,6-二甲基-3,5-二(吡唑-3-基)吡啶(简写为H2L)为原料,通过水热反应,成功地合成了一个一维链状Keggin型多酸基杂化化合物[Cu2(H3L)2](SiMo12O40).通过X-射线单晶衍射、TGA、IR以及元素分析对该化合物的结构进行表征.测试结果表明,该化合物属于三斜晶系,P-1空间群,晶胞参数a=1.1689(5) nm,b=1.2157(5) nm,c=1.2233(5) nm,α=62.066(5)°,β=62.833(5)°,γ =74.789(5)°,V=1.363 8(10) nm3,Z=2,R1=0.082 4,wR2=0.174 5.电化学分析结果表明该化合物对亚硝酸盐的还原具有良好的电催化效果. 相似文献
904.
利用MOCVD技术在图形化Si(111)衬底上生长了InGaN/GaN绿光LED外延材料。在GaN量子垒的生长过程中,保持NH3流量不变,通过调节三乙基镓(TEGa)源的流量来改变垒生长速率,研究了量子垒生长速率对LED性能的影响。使用二次离子质谱仪(SIMS)和荧光显微镜(FLM)分别对量子阱的阱垒界面及晶体质量进行了表征,使用电致发光测试系统对LED光电性能进行了表征。实验结果表明,垒慢速生长,在整个测试电流密度范围内,外量子效率(EQE)明显提升。我们认为,小电流密度下,EQE的提升归结为量子阱晶体质量的改善;而大电流密度下,EQE的提升则归结为阱垒界面陡峭程度的提升。 相似文献
905.
Nonlinear Dynamics - This paper is concerned with the global regulation via output feedback for the time-delay nonlinear systems with unknown continuous output function and unknown growth rate.... 相似文献
906.
对真实电网提出故障发生的假设并通过计算检验,观察故障对真实电网的影响。电网仿真能有效发现电网运行中的问题,被广泛应用于电网规划与电网运行方式调整。然而,在实际仿真计算过程中,往往需要依据经验调整电网配置和计算参数,以得到稳定、收敛的电网运行方式。大规模的仿真数据、调整的未知性加之分析的片面性会影响传统人工调整的准确性,为此提出了基于可视化的仿真计算调整方法。分析人员通过与可视分析系统的交互,可以快速认识电网的整体状态,发现问题元件,从而实现高效的仿真调整与计算。最后通过案例分析验证了本可视分析系统的有效性。 相似文献
907.
ABSTRACTSulfur monoxide radical has widely been detected in outer space using ground-state spectroscopy. The a 1Δ2 and b 1Σ+0+ states of this radical have low excitation energies, and they possibly exist in outer space. In this work, the potential energy curves and dipole moment functions of the two states were evaluated using the complete active space self- consistent field method, followed by the valence internally contracted multireference configuration interaction approach. The transition line positions, oscillator strengths, band transition dipole matrix elements, Einstein A coefficients, and Franck–Condon factors of all transitions were calculated for lower vibrational levels at rotational angular momentum quantum number J up to 150. The transition line positions calculated in this study are in good agreement with the experimental results. The rovibrational transition became noticeably weak at Δυ > 5. Comparing the results of a 1Δ2 and b 1Σ+0+ states reported in this paper with the previous values, we conclude that these results are the most accurate and complete to date. 相似文献
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910.