全文获取类型
收费全文 | 12550篇 |
免费 | 2459篇 |
国内免费 | 2990篇 |
专业分类
化学 | 5536篇 |
晶体学 | 297篇 |
力学 | 513篇 |
综合类 | 456篇 |
数学 | 929篇 |
物理学 | 4196篇 |
无线电 | 6072篇 |
出版年
2024年 | 51篇 |
2023年 | 181篇 |
2022年 | 468篇 |
2021年 | 436篇 |
2020年 | 394篇 |
2019年 | 304篇 |
2018年 | 365篇 |
2017年 | 499篇 |
2016年 | 393篇 |
2015年 | 589篇 |
2014年 | 729篇 |
2013年 | 917篇 |
2012年 | 981篇 |
2011年 | 1061篇 |
2010年 | 964篇 |
2009年 | 998篇 |
2008年 | 1147篇 |
2007年 | 1116篇 |
2006年 | 1093篇 |
2005年 | 1012篇 |
2004年 | 713篇 |
2003年 | 537篇 |
2002年 | 486篇 |
2001年 | 550篇 |
2000年 | 535篇 |
1999年 | 305篇 |
1998年 | 123篇 |
1997年 | 121篇 |
1996年 | 90篇 |
1995年 | 70篇 |
1994年 | 86篇 |
1993年 | 94篇 |
1992年 | 79篇 |
1991年 | 62篇 |
1990年 | 58篇 |
1989年 | 81篇 |
1988年 | 53篇 |
1987年 | 42篇 |
1986年 | 35篇 |
1985年 | 33篇 |
1984年 | 26篇 |
1983年 | 21篇 |
1982年 | 23篇 |
1981年 | 32篇 |
1980年 | 13篇 |
1979年 | 10篇 |
1978年 | 4篇 |
1977年 | 6篇 |
1971年 | 2篇 |
1959年 | 2篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
71.
72.
73.
模糊假设检验对处理模糊概念进行决策分析是很重要的。本文给出了一个模糊多元数据的假设检验方法。因为数据是模糊的,不能在一个清晰的置信水平上接受或拒绝原假设,故本文提出了一个与结果相关联的可信度的概念。为了能应用清晰数据的假设检验,本文引入了模糊数的δ-截概念。 相似文献
74.
75.
76.
77.
为了直观描述金属圆波导中电磁场复杂的空间分布,本文用Comsol软件对金属圆波导中的TE11模、TE01模、和TM01模的电磁场结构进行动态仿真.将电磁场中的抽象概念形象化、可视化,使学生看清电磁场分布的宏观概况和细节变化,开拓了视野,同时加深了学生对电磁波传播特性的理解. 相似文献
78.
提出了将摄像头应用在TD-SCDMA手机终端中的设计方案,通过使用参考验证方法(RVM)搭建验证平台,使用OpenVera语言模拟实际的摄像头功能.分析结果显示,该方案可弥补硬件仿真时的不足,满足设计要求. 相似文献
79.
Aiming at the problem of high requirement for the signal generator in the Brillouin optical time-domain analysis(BOTDA) system, a quarter of the Brillouin frequency shift(BFS) of modulation is proposed to reduce the required bandwidth of the sensing system. A functional model for solving the intensity of each-order sideband of the output light of electro-optic modulator(EOM) is proposed and applied, so the spectrum with suppressed the carrier and the first-order sidebands while maximizing the se... 相似文献
80.
NMOS管I-V曲线在ESD(electrostatic discharges)脉冲电流作用下呈现出反转特性,其维持电压VH、维持电流IH、触发电压VB、触发电流IB以及二次击穿电流等参数将会影响NMOS管器件的抗ESD能力。文章通过采用SILVACO软件,对1.0μm工艺不同沟长和工艺条件的NMOS管静电放电时的峰值电场、晶格温度以及VH进行了模拟和分析。模拟发现,在ESD触发时,增加ESD注入工艺将使结峰值场强增强,VH减小、VB减小,晶格温度降低;器件沟长和触发电压VB具有明显正相关特性,但对VH基本无影响。最后分析认为NMOS管ESD失效主要表现为高电流引起的热失效,而电场击穿引起的介质失效是次要的。 相似文献