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71.
研究具有数据丢失的网络化控制系统的基于观测器的镇定问题。受控对象是由T-S模糊模型描述的非线性时滞系统。把数据丢失过程建模成独立同分布过程。利用模糊Lyapunov函数方法得到了闭环系统随机稳定的充分条件,其基于观测器的反馈控制器可通过求解一组线性矩阵不等式来设计。一个仿真例子说明方法的有效性。  相似文献   
72.
在文档类模糊查询方面进行了较深入的研究,首次提出并实现了间接相关全衰期和最大相关查询,其原理有别于传统字符串相等比率的模糊查询技术,采用相关性定义及最大相关传递模式,目的在于实现更广泛意义下的模糊查询。在适当定义相关度情形下,不但能够查找出传统模糊查询搜索到的内容,而且可以查找到字面上完全不同但意思相关的条文,最大相关传递模式能够使得词语之间的相关度按一定规则传递,因此更具一般性和实用性。  相似文献   
73.
模糊假设检验对处理模糊概念进行决策分析是很重要的。本文给出了一个模糊多元数据的假设检验方法。因为数据是模糊的,不能在一个清晰的置信水平上接受或拒绝原假设,故本文提出了一个与结果相关联的可信度的概念。为了能应用清晰数据的假设检验,本文引入了模糊数的δ-截概念。  相似文献   
74.
基于电磁特性SAR图像目标识别模板的建立   总被引:1,自引:0,他引:1  
针对SAR图像目标识别过程中识别模板形成的缺点和难点,提出了基于电磁散射特性SAR图像目标识别模板的数学模型和成像原理。采用一种混合算法计算了复杂目标的雷达截面(RCS),由目标的散射系数σ或RCS值,通过宽带合成孔径原理求出物体散射特性的空间分布,建立了SAR图像目标识别模板。实验验证了其正确性、有效性,以及具有近实时性、目标姿态连续性和精确性等特点,为快速准确地获取SAR图像中的目标信息提供技术支持。  相似文献   
75.
针对无法用数学式准确描述退化量与环境因子间复杂非线性关系的问题,提出了一种基于RBF网络的退化轨迹建模方法.利用RBF网络能够逼近任意非线性函数的特性,进行退化轨迹的建模,并结合失效值预测产品寿命.将所有估计寿命作为完全失效数据进行可靠性评估,有效地解决了失效数据少的问题.通过对疲劳裂纹增长数据的RBF网络建模分析,证明RBF网络具有很好的函数逼近能力,寿命预测结果非常理想.经验证,在更少的退化数据下,RBF网络仍能够较好地模拟退化轨迹,寿命预测精度较高.  相似文献   
76.
嵌入式大气数据传感技术的发展现状   总被引:3,自引:1,他引:2  
嵌入式大气数据传感系统是一种先进的大气数据系统。该系统集成度高,完全可安装于雷达天线罩内,并且能够实时提供现代飞行控制所需的全部大气参数如动压、静压、迎角、侧滑角、马赫数等。在介绍了嵌入式大气数据传感系统原理及技术发展的基础上,总结了当前开展的各项研究工作的热点并对嵌入式大气数据传感未来发展趋势进行了展望。  相似文献   
77.
为了直观描述金属圆波导中电磁场复杂的空间分布,本文用Comsol软件对金属圆波导中的TE11模、TE01模、和TM01模的电磁场结构进行动态仿真.将电磁场中的抽象概念形象化、可视化,使学生看清电磁场分布的宏观概况和细节变化,开拓了视野,同时加深了学生对电磁波传播特性的理解.  相似文献   
78.
提出了将摄像头应用在TD-SCDMA手机终端中的设计方案,通过使用参考验证方法(RVM)搭建验证平台,使用OpenVera语言模拟实际的摄像头功能.分析结果显示,该方案可弥补硬件仿真时的不足,满足设计要求.  相似文献   
79.
Aiming at the problem of high requirement for the signal generator in the Brillouin optical time-domain analysis(BOTDA) system, a quarter of the Brillouin frequency shift(BFS) of modulation is proposed to reduce the required bandwidth of the sensing system. A functional model for solving the intensity of each-order sideband of the output light of electro-optic modulator(EOM) is proposed and applied, so the spectrum with suppressed the carrier and the first-order sidebands while maximizing the se...  相似文献   
80.
NMOS管I-V曲线在ESD(electrostatic discharges)脉冲电流作用下呈现出反转特性,其维持电压VH、维持电流IH、触发电压VB、触发电流IB以及二次击穿电流等参数将会影响NMOS管器件的抗ESD能力。文章通过采用SILVACO软件,对1.0μm工艺不同沟长和工艺条件的NMOS管静电放电时的峰值电场、晶格温度以及VH进行了模拟和分析。模拟发现,在ESD触发时,增加ESD注入工艺将使结峰值场强增强,VH减小、VB减小,晶格温度降低;器件沟长和触发电压VB具有明显正相关特性,但对VH基本无影响。最后分析认为NMOS管ESD失效主要表现为高电流引起的热失效,而电场击穿引起的介质失效是次要的。  相似文献   
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