紫外光引发阳离子聚丙烯酰胺的红外光谱研究

以丙烯酰胺(AM)、 丙烯酰氧基乙基三甲基氯化铵(DAC)、 丙烯酸丁酯(BA)为单体,采用紫外光引发聚合制备阳离子聚丙烯酰胺P(AM-DAC-BA)。 采用紫外光谱和红外光谱研究其结构特征;分析AM,DAC,BA,P(AM-DAC-BA)的红外光谱中的典型红外振动频率的归属。 通过与单体红外光谱比较得出：由于聚合产物的对称性增加,聚合产物红外光谱更加简单。 P(AM-DAC-BA)的特性粘度随着光强、 BA含量、 光引发剂浓度、 光照时间的增加而增加。 选取AM,DAC,BA中的—CONH₂,—COOCH₂(CO), —COOCH₂—(C—O—C),—CH₂—N+(CH₃)₃基团吸收峰为特征吸收峰,随着光强、 BA含量的增加,特征峰面积增加;随着光引发剂浓度增加特征峰面积却呈现减少趋势;随着光照时间增加,峰面积是先减小后增加。 但不同P(AM-DAC-BA)在红外光谱上对应的特征吸收峰的峰型类似,特征峰位置基本一致。     

PVA栅绝缘层浓度对P3HT有机场效应晶体管性能的影响

采用溶液制备法制备了用PVA作为绝缘层、P3HT作为有源层的有机场效应晶体管,,研究了不同浓度PVA栅绝缘层对器件性能的影响。实验结果显示,以质量分数为8%的PVA溶液制备的栅绝缘层具有最好的性能,器件的场效应迁移率为0.31 cm²·V^-1·s^-1,阈值电压为-6 V。进一步分析了PVA栅绝缘层浓度对器件性能提高的原因,结果表明,对于制备溶液化的有机场效应晶体管,选取合适的PVA栅绝缘层浓度非常重要。     

掺杂光子晶体光纤产生光孤子所需泵浦功率的研究

在光纤纤芯中掺入适量GeO₂有利于增加纤芯非线性折射率,提高光纤的非线性系数。利用有限元法设计了一种带宽为1.45 μm的宽反常色散掺杂光子晶体光纤,其光纤可以利用低泵浦功率产生任意波长的光孤子。分析结果显示,当脉冲脉宽T_FWHM取300 fs时,产生基阶光孤子需要的最高平均泵浦功率为0.001 695 W,而产生五阶光孤子需要的最高平均泵浦功率仅0.042 38 W。     

基于帧的多描述视频编码及其错误隐藏

为了解决视频流在不可靠网络上的错误传播问题,使用基于帧的多描述视频编码,提出采用预测的预处理和后处理过程方案,实现了描述间的冗余插入|实现了几种不同复杂度,不同性能的错误掩盖算法以适应多样化的网络传输环境.仿真实验结果表明,这种编码系统能有效控制视频流的错误传播,并且编码后的数据流更能适应各种网络传输状况.     

含单缺陷层的一维可调谐磁化等离子体光子晶体滤波特性研究

采用在等温近似的条件下,以等离子体的上升时间、温度和密度为可调谐参量,用磁化等离子体的分段线形电流密度卷积时域有限差分算法研究了含单一缺陷层的一维磁化等离子体光子晶体的滤波特性.以高斯脉冲为激励源,用算法公式得到的电磁波透射系数来讨论了等离子体上升时间、温度、等离子体层密度对其滤波特性的影响.结果表明,改变等离子体上升时间和等离子体层密度可以实现对滤波通道的调整.谐振频率不能通过改变温度进行调整.     

利用谱线宽度测人发中的微量元素

通过实验证明了可以利用谱线宽度做永久工作曲线用于光谱定量分析。给出了用于测量人发中微量元素Ｃｕ，Ｚｎ，Ｆｅ和Ｃａ的永久工作曲线，利用这些工作曲线对实际样品进行了测定，所得结果与用ＩＣＰ－ＡＥＳ测得的结果相吻合。     

非圆截面托卡马克等离子体边缘磁场的解析解及重构方法

本文用傅里叶及边缘泰勒展开的方法，导出了非圆截面托卡马克等离子体边缘磁面的解析解及其重构的方法。最后作为例子，给出了在ＴＥＸＴ－Ｕ装置中按实际参数重构的等离子体边缘磁面结构及重构的误差。     

PULSED LASER DEPOSITION AND CHARACTERIZATION OF FERHOELECTHIC Pb(Zr, Ti)O3 THIN FILMS ON SILICON-ON-INSULATOR SUBSTRATES

Ferroelectric Pb(Zr, Ti)O₃ thin films were prepared by pulsed exeimer laser deposition on silicon-on-insulator and Pt-coated silicon-on-insulator substrates, and rapid thermal annealing was per-formed to crystallize the films, Based on the analysis by X-ray diffraction, Rutherford backscattering spectroscopy and measurements of electrical properties, the films were revealed to be polycrystalline perovskite structure with mainly (100) and (110) orientations, and their crystallization was found to be dependent on annealing temperature and annealing time. The films show good ferroelectricity, with P_r=15μC/cm², E_c= 50kV/cm, high resistivity and high dielectric constant.     

OPTICAL PROPERTIES OF δ-DOPED GaAs AND GaAs/Al0.1Ga0.9As SUPERLATTICES

Radiative transition in δ-doped GaAs superlattices with and without Al_0.1Ga_0.9As barriers is investigated by using photoluminescence at low temperatures. The experimental results show that the transition mechanism of δ-doped superlattices is very different from that of ordinary superlattices. Emission intensity of the transition from the electron first excited state to hole states is obviously stronger than that from the electron ground state to hole states due to larger overlap integral between wavefunctions of electrons in the first excited state and hole states. Based on the effective mass theory we have calculated the self-consistent potentials, optical transition matrix elements and photoluminescence spectra for two different samples. By using this model we can explain the main optical characteristics measured. Moreover, after taking into account the bandgap renormalization energy, good agreement between experiment and theory is obtained.     

腔内辐射温度的实验研究

介绍了利用两台软X射线能谱仪和多针孔软X射线条纹相机配合诊断腔内的辐射温度。实验解决了因等离子体喷射引起的诊断口缩孔带来的测不准问题,测到了诊断孔的二维缩孔图像和缩孔时间过程,从而给出了腔内辐射温度随时间的变化关系。通过实验数据分析,建立了初步的诊断孔缩孔模型。 关键词：