全耗尽CMOS／SOI技术的研究进展

ＳＯＩ材料技术的成熟，为功耗低，抗干扰能力强，集成度高，速度快的ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件的研制提供了条件，分析比较了ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件与体硅器件的差异，介绍了国外薄膜全耗尽ＳＯＩ技术的发展和北京大学微电子所的研究成果。     

三羟甲基甲胺、季戊四醇及其二元体系固-固相变的变温红外光谱研究

利用傅里叶变温红外光谱仪分别测定了三羟甲基甲胺（TAM）、季戊四醇（PE）及其二元体系变温红外谱。实验表明，多元醇分子中羟基吸收峰随温度升高耐发生位移向高波数移动，此结果既能反映多元醇及其二体系固－固相变的温度区间，又与转变热相对应，从而揭示了多元醇及其二元体系固－固相变贮热的机理。     

金属颗粒-半导体膜Cu:CdS的制备及结构研究

利用磁控溅射产生金属Cu团簇，同时蒸发半导体介质CdS，将Cu团簇包埋在CdS介质中，制备出金属颗粒 半导体膜．团簇大小可通过改变溅射气压控制．用TEM研究了嵌埋团簇的结构．分析表明：CdS很好地包埋了Cu团簇，都呈多晶结构；团簇尺寸在5—20nm，Cu晶格发生了膨胀，膨胀量在7%左右 关键词：     

微微秒自动调谐参量激光的研究

采用一对MgO:LiNbO_3角度调谐覆盖了红近外波段0.7～2.2μm,并配以自动波长扫描。文中分析了影响脉冲宽度与线宽的因素,与实验结果相吻合。脉宽<30ps,线宽～1nm(简并波长附近～10nm),单脉冲峰功率达MW级,参量光总能量转换效率达5.4％。     

堵塞效应与“全同带”的微观机制

利用处理推转壳模型的改进了的粒子数守恒方法(严格计及堵塞效应),对原子核的转动惯量进行了计算,计算中无任何自由参数,所得转动惯量(包括¹⁷⁰Yb,¹⁷¹Lu¹⁷¹Yb各转动带)及其奇偶差,与实验非常符合,转动惯量的奇偶差灵敏地依赖于被堵塞的能级位置及其对Coriolis力的响应。     

氙灯泵浦的NYAB晶体调Q激光运转特性及实验研究

首次报道了氙灯泵浦的自激活自倍频NYAB复合功能晶体的BDN染料片调Q运转,获得了自倍频绿光单脉冲.测量了不同L和T_o情况下的绿光脉冲的能量、脉宽和峰值功率.文中还从理论上推导了自激活自倍频晶体调Q激光器的方程组.数值求解方程组,所得的理论数据与实验结果很好地相符.最后,讨论了进一步提高绿光脉冲峰值功率的途径.     

一个数学建模问题的简单解法

银行利率给出了一个简单计算方法 ,这种方法更符合中学生思维的习惯 .     

基于BP神经网络的企业未来获利能力智能综合评价

分析了相关分析——多指标综合评价法在确定企业未来获利能力方面的优点和不足 ;并在其基础上提出了基于 BP神经网络的多指标综合评价法 ;仿真试验证明了基于 BP神经网络的多指标综合评价法的有效性     

逆序数的应用

本文通过“1 4-1 5”智力玩具和最优戴断切割问题两个实例 ,讨论了逆序数在解决实际问题中的应用     

L-型模糊格蕴涵代数

This paper introduced the concept of L-fuzzy sub lattice implication algebra and discussed its properties. Proved that the intersection set of a family of L-fuzzy sub lattice implication algebras is a L-fuzzy sub lattice implication algebra, that a L-fuzzy sub set of a lattice implication algebra is a L-fuzzy sub lattice implication algebra if and only if its every cut set is a sub lattice implication algebra, and that the image and original image of a L-fuzzy sub lattice implication algebra under a lattice implication homomorphism are both L-fuzzy sub lattice implication algebras.