退火工艺对钛酸锶钡薄膜结构的影响

采用射频磁控溅射在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)铁电薄膜,在500~750℃之间对薄膜快速退火。XRD分析表明:500℃时BST薄膜开始晶化为ABO3型钙钛矿结构,温度越高结晶越完整,晶粒越大。理论计算表明,薄膜在低温退火后无择优取向,高温退火后在(111)、(210)晶面有择优取向。退火气氛、保温时间、循环次数等因素对薄膜晶粒大小无明显影响,但对表面粗糙度和结晶程度影响较大。     

景象匹配区选择方法研究

通过试验研究了景象匹配概率与实时图的独立像元数、方差、纹理能量比和互相关峰等图像特征的关系,并以此提出了基于这些图像特征的景象匹配区选择方法。图像测试结果表明,该方法可以成功地规划出满足要求的景象匹配区。     

倒筒式射频溅射频偏压对Ba0.65Sr0.35TiO3热释电薄膜结构及性能的影响

采用倒筒式射频溅射方法,在Pt、Ti/SiO2/Si基片上制备了Ba0.65Sr0.35TiO3(简称BST)薄膜.研究了自偏压对BST薄膜结构及电学性能的影响.在较高自偏压下制备的BST薄膜具有高度的(100)择优取向,且结晶性好,表面平整,耐压能力强.在25℃时薄膜的热释电系数高达6.73×10-7C.cM-2.K-7.研究结果表明,利用倒筒式射频溅射方法适当提高自偏压,可以制备出热释电性能优良的BST薄膜.     

基于Fisher判别的人脸识别方法研究

人脸特征是最自然直接的生物特征,它具有直接、友好、方便的特点,易于为用户接受。人脸识别由于其在监控、罪犯识别、人机交互等方面广泛潜在的应用,已成为图像处理、模式识别和计算机视觉等学科最活跃的研究领域。线性鉴别分析是特征抽取中最为经典和广泛使用的方法之一。近年来,在小样本情况下如何抽取Fisher最优鉴别特征一直是许多研究者关心的问题。文中阐述了应用Fisher判别法在人脸图像样本分类方面的运用。在标准数据库ORL人脸库和Yale人脸数据库上仿真的试验结果证实了方法的有效性和稳定性。     

IKE协议防止中间人攻击性能分析及改进

在基于数字签名认证主模式IKE协议最新研究进展的基础上,针对其安全漏洞,提出了一种改进方案。该方案在遵循ISAKMP框架及IKE交互对称结构的基础上,采用分步认证的方法,能够及早发现并阻止中间人攻击,从而保护通信双方的身份。性能分析表明,该方案是安全、高效、可行的。     

双包层Er3+/Yb3+共掺光纤放大器粒子数特性分析

基于速率方程和光传输方程,对双包层Er3+/Yb3+共掺光纤放大器的计算模型进行了讨论,并利用数值模拟结果对980nm激光抽运双包层Er3+/Yb3+共掺光纤放大器Er3+上能级粒子数的分布特性进行了分析。分别给出了正向抽运和反向抽运条件下,Er3+归一化上能级粒子数分布曲线。利用上能级粒子数沿光纤的分布曲线解释了信号光沿光纤的分布规律。     

Mie散射激光雷达研究成都地区大气边界层结构

基于Mie散射大气激光雷达,对成都地区大气边界层结构随时间变化的特性进行了研究。首先,应用Klett算法对大气激光雷达回波信号进行了反演,得到大气消光系数和后向散射系数。然后,通过对大气后向散射系数曲线进行拟合得到大气边界层混合层高度以及卷夹层厚度等特征参量。基于实测数据对成都地区大气回波信号进行了反演,结果表明,成都地区大气边界层混合层高度较低,卷夹层厚度较薄,且随时间变化的趋势较缓慢,这与成都地区特殊的地理状况有关。     

部分遮挡目标的稳健局部特征点提取方法

部分遮挡目标的特征提取是目标检测中的难点问题。针对这一问题,提出一种基于稳健性度量统计分析的部分遮挡目标稳健局部特征点提取方法,该方法建立在目标图像训练集的局部特征点逐步提纯基础上。它首先对目标在不同条件下获取的图像集分别应用SIFT提取相应局部特征点;然后基于统计分析对局部特征点进行粗提取,再通过计算置信度进一步筛选出较稳健的局部特征点;最后分析局部特征点的空间分布等因素提取出最稳健的局部特征点集。实验结果表明,该方法耗时仅为SIFT检测算法的30%,并且保证了检测精度。     

图像放大算法比较研究

图像放大算法的选择直接影响了图像放大的质量,为了更好地选择图像放大算法,从不同图像放大算法的原理出发,分别分析了最邻近点插值、双线性插值、双三次插值、三次B样条插值以及分形插值、小波插值、偏微分方程插值、领域交换内插算法的特点,并比较了它们的优、缺点;指出如何根据不同图像特征来选择不同算法以达到最优化效果;得出结合各种放大算法从而得到最好的放大效果是图像放大方法的发展方向。     

势垒层对黑硅光电探测器性能影响的研究

讨论势垒层Si3N4的引入对黑硅光电探测器光电性能的影响。探测器采用金属一半导体一金属（MSM）器件结构在黑硅层和电极间增加一层势垒层以提高肖特基势垒,从而减低器件的暗电流。实验表明,在相同的光照情况下,有势垒层的探测器暗电流比无势垒层的探测器暗电流至少低1个数量级,且势垒层厚度增加30nm其暗电流降低约1个数量级,而...