一种基于消息的异步服务访问框架

服务访问是采用面向服务架构（SOA）的项目在具体实施过程中的关键问题之一。根据SOA在信息整合领域的应用需求，针对SOA架构下三类服务访问问题，即异步服务访问、综合服务访问和可靠服务访问．提出了一种基于消息的异步服务访问框架，阐述了该框架的基本架构、核心组件及工作模式。同时．结合该框架在科技信息资源共享服务平台项目中的具体应用，讨论了该框架的使用效果。     

Turbo MUD技术在TD-SCDMA系统中的应用

TD-SCDMA已成为第3代移动通信国际标准之一,它采用联合检测技术来抑制符号间干扰(ISI)和多址干扰(MAI)。介绍了Turbo多用户检测(MUD)技术在TD-SCDMA系统中的应用,该技术将Turbo迭代译码思想引入到联合检测,有机结合多用户检测和信道译码2种技术,通过在软MUD和软信道译码间多次进行迭代并及时交换软信息(如后验概率)来提高系统性能。研究表明,采用TurboMUD可使系统性能显著提高。     

自相似业务流模型的分析与比较

在研究通信网络的流量控制及网络性能时，业务流模型是一个重要的组成部分。本文分析了几种自相似模型的特点，并指出了这几种自相似模型的区别以及这些模型所适用的网络业务流。它对自相似业务的分析和处理具有一定的指导意义。     

RC4的密钥碰撞

RC4加密算法是密码学家RonRivest在1987年设计的序列密码算法,其密钥长度可变,接受1字节至256字节。RC4在二十世纪八十年代得到了大力发展,广泛应用于商业密码产品中,包括LotusNotes,苹果计算机的AOCE和Oracle安全SQL数据库。RC4的核心部分为可变的S盒。研究了RC4的密钥编制算法,从密钥的碰撞层面研究了RC4的密钥脆弱性,描述了在S盒为256字节时,两组不同密钥KI、K2怎样经过密钥编制算法生成了相同的初始状态,即发生了“密钥碰撞”。     

公用照明设备节能控制系统设计

我国的公共照明设备的电能源浪费现象非常严重,以学校图书馆借阅室的照明灯为例,几乎常年、整天的照明造成大量的电能源浪费。结合电子专业的技术知识,通过设计电路图以及对电路图的仿真,并应用相关电子元器件,设计出一个节能控制电路,根据当日的光照水平和阅览室内学生人数,决定照明灯的开关,实物运行效果良好。     

高效全固化钛宝石腔内倍频蓝光和四倍频紫外激光器的研究

用半导体抽运的Q开关YLF倍频激光器抽运钛宝石晶体，在平凹腔内加入组合的石英双折射滤光片压缩线宽，用LBO晶体腔内激发二次谐波，聚焦到BBO上产生四次谐波深紫外光。在抽运功率3．8w时，输出610mW．416nm蓝光。用长焦距的透镜聚焦二次谐波．得到64mW，208nm的紫外激光。基频光的谱线宽度是决定倍频效率的关键因素。实验观察到激光器的频谱宽度与双折射滤光片的带宽有一个数量级的差别，考虑到模式竞争和增益饱和效应，数值模拟了加入双折射滤光片后的钛宝石激光器的实际线宽，结果与实验中测量的数据基本一致。实验还分析了基频光的线宽对二次谐波效率的影响、二次谐波的线宽对四次谐波效率的影响、基频光的波长对四次谐波激发效率的影响。     

一种简单易行的运动对象分割方法

在兼顾运动图像分割效果和实时性的原则上,提出了一种简单有效的分割方法。首先利用二次帧差的方法求出图像帧的运动区域,去除结果中不准确的小区域,最后利用二次扫描的方法填充该区域。实验证明：利用该方法得到了较好的分割效果并节省了处理时间。     

一种新颖的双频不等分威尔金森功率分配器

给出了设计双频不等分威尔金森功分器的一种方法。该功率分配器在任意两个频点上实现任意功率分配比的同时,兼顾传统功率分配器的各项特性。给出了该功率分配器的结构以及各项设计参数的解析公式。仿真与实验结果证明了本文设计方法的有效性。     

Nonvolatile flash memory device using Ge nanocrystals embedded in HfAlO high-/spl kappa/tunneling and control oxides: Device fabrication and electrical performance

We fabricated a nonvolatile Flash memory device using Ge nanocrystals (NCs) floating-gate (FG)-embedded in HfAlO high-/spl kappa/ tunneling/control oxides. Process compatibility and memory operation of the device were investigated. Results show that Ge-NC have good thermal stability in the HfAlO matrix as indicated by the negative Gibbs free energy changes for both reactions of GeO/sub 2/+Hf/spl rarr/HfO/sub 2/+Ge and 3GeO/sub 2/+4Al/spl rarr/2Al/sub 2/O/sub 3/+3Ge. This stability implies that the fabricated structure can be compatible with the standard CMOS process with the ability to sustain source-drain activation anneal temperatures. Compared with Si-NC embedded in HfO/sub 2/, Ge-NC embedded in HfAlO can provide more electron traps, thereby enlarging the memory window. It is also shown that this structure can achieve a low programming voltage of 6-7 V for fast programming, a long charge retention time of ten years maintaining a 0.7-V memory window, and good endurance characteristics of up to 10/sup 6/ rewrite cycles. This paper shows that the Ge-NC embedded in HfAlO is a promising candidate for further scaling of FG Flash memory devices.     

限流用BaTiO3系PTC陶瓷的制备及影响因素

介绍了以钛酸四丁酯和自制高纯醋酸钡为主要原料,采用溶胶–凝胶一步法(sol-gel)制备限流用BaTiO3系PTC陶瓷材料的工艺路线,用正交实验法研究了Ti/Ba,Pb,Ca,Y,Mn等组分因素对PTC陶瓷材料性能的影响。优化确定了PTC陶瓷材料的较佳组成。在基方固溶体化学组成,原材料选择和复合添加物的改性,特别是烧结工艺等方面做了细致的工作。最终获得了居里温度(tC)100℃,室温电阻率(r25) ≤20 ·cm,升阻比(Rmax / Rmin)>105,温度系数(aR)≥15% /℃,耐电压(Vb)≥190 V·mm1的PTC陶瓷材料。