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141.
用磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2 /Si衬底上制备了PbZr0 .52 Ti0 .4 8O3(PZT)薄膜 .XRD结果表明经过退火后的PZT薄膜呈现多晶结构 .通过红外椭圆偏振光谱仪测量了λ为 2 .5~ 12 .6 μm范围内PZT薄膜的椭偏光谱 ,采用经典色散模型拟合获得PZT薄膜的红外光学常数 ,同时拟合得到未经处理的PZT薄膜和退火后PZT薄膜的厚度分别为 45 4.2nm和 45 0 .3nm .最后通过拟合计算得到结晶PZT薄膜的静态电荷值为 |q|=1.76 9± 0 .0 2 4.这说明在磁控溅射法制备的PZT薄膜中 ,电荷的转移是不完全的 . 相似文献
142.
随着现代军用通信网络的发展与进步,第三代高频自动链路建立协议(Third-generation HF Automatic Link Establishment)将逐渐取代现有的第二代协议。首先从CSMA机制、Dwell—Groups技术、Multi—Slot技术等方面概略地介绍了3G-ALE技术。然后在同步工作模式下,将Dwell—Groups技术、Multi—Slot技术应用在协议当中进行了对比仿真,并分析了Dwell—Groups技术、Multi—Slot技术对3G-ALE系统性能的影响。 相似文献
143.
一种空间自适应小波门限去噪算法 总被引:3,自引:0,他引:3
提出了一种空间自适应小波门限去噪算法,该算法在小波域对含噪小波系数做两次自适应去噪,两次自适应门限分别基于最大似然(ML)方差估计和最大后验概率(MAP)方差估计.仿真结果表明,该算法与其它自适应门限去噪算法相比,去噪后的图象具有更高的峰值信噪比(PSNR). 相似文献
144.
145.
146.
本文探讨了非平稳NA序列部分和的精确渐近性.以前的文献在讨论NA序列此类极限性质时都附加有强平稳条件的限制,这必然会给一些问题的研究带来不便.周知,非平稳NA序列在许多实际问题中是大量存在的,所以解除强平稳条件的束缚具有较大的理论和实际意义,这正是本文的目的之所在,同时本文也将已有的一些结果包含成为特殊情形. 相似文献
147.
根据已经发表的实验数据,针对镓铝铟磷发光材料的提出了一组经验公式及相应的曲线,作为GaAlInP可见光材料设计的依据或参考。 相似文献
148.
全耗尽CMOS/SOI技术的研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
SOI材料技术的成熟,为功耗低,抗干扰能力强,集成度高,速度快的CMOS/SOI器件的研制提供了条件,分析比较了CMOS/SOI器件与体硅器件的差异,介绍了国外薄膜全耗尽SOI技术的发展和北京大学微电子所的研究成果。 相似文献
149.
利用傅里叶变温红外光谱仪分别测定了三羟甲基甲胺(TAM)、季戊四醇(PE)及其二元体系变温红外谱。实验表明,多元醇分子中羟基吸收峰随温度升高耐发生位移向高波数移动,此结果既能反映多元醇及其二体系固-固相变的温度区间,又与转变热相对应,从而揭示了多元醇及其二元体系固-固相变贮热的机理。 相似文献
150.