长期低剂量微波辐照对大鼠血小板的L-精氨酸/NO系统的影响

目的:研究长期低剂量微波对大鼠血小板左旋精氨酸/一氧化氮(L-arginine nitric oxide pathway,L-Arg/NO)系统的影响,为长期暴露于低剂微波下血小板功能的影响提供实验依据.方法:采用峰值功率为5W/cm2的微波辐照健康成年雄性SD大鼠,1小时/天,连续40天,而后检测辐照后大鼠尾部出血时间、血清NO(nitric oxide)含量、血小板源性NO(platelet-derived nitric oxide,PDNO)含量及血小板一氧化氮合酶(nitric oxide synthase,NOS)活性的变化.结果 微波辐照组与对照组相比,尾部出血时间显著缩短(P＜0.01),血清NO含量、PDNO含量及血小板NOS活性均有非常显著的降低(P＜0.01).结论:长期低剂量微波辐照后NO的抗血小板聚集作用减弱,血小板活化与血小板L-Arg/NO系统功能紊乱有关.     

Optimization of the transmission mechanism for wireless TCP

A novel method which can detect the possible handoffs for mobile nodes is proposed in this article. The method can be deployed on mobile nodes. So when a possible handoff occurs, mobile nodes can detect and take some necessary actions in time. In this study, the method is also used to optimize the transmission mechanism of Q-TCP. Moreover, the simulation results show that Q-TCP can provide better quality of service （QoS） for mobile nodes when they are moving among different agents.     

注碳外延硅的荧光特性研究

研究了注碳外延硅经氢气退火及电化学腐蚀处理后的荧光特性。经能量为50keV,剂量为2×1016cm-2的碳离子注入后的外延单晶硅片,在氢气氛下高温退火及电化学腐蚀处理。荧光谱仪分析表明电化学腐蚀是蓝光发射的前提,并且不同的电化学腐蚀条件对发光强度和峰位影响极大。不同的激发光波长亦可影响发光谱的峰位。     

多量子垒结构的有效势垒分析

对多量子垒（ＭＱＢ）的有效垒高与结构上的关系进行了理论研究。讨论了ＭＱＢ有效垒高与阱宽及垒的关系，发现随阱宽的增加，ＭＱＢ有效垒高表现出振荡特性；而随垒宽的增加，ＭＱＢ有效垒高趋于Ｕ０，并不具振荡特性。单ＭＱＢ结构的有效垒高对阱宽较敏感，混合ＭＱＢ更有利于工艺的实现。     

一种新颖的向量基-8布斯乘加器的设计

提出一种新颖的部分冗余向量基-8布斯编码乘加器,快速地处理了部分积中的正负三倍被乘数项,并以亚字并行的方式支持单指令多数据流操作,可以完成16*16的有符号乘法运算以及两个8*8的有符号乘法运算.使用了4∶2压缩器进行部分积的压缩,并使用进位控制逻辑来控制短向量间的进位.     

气溶胶辐射强迫效率研究

气溶胶光学特性对气溶胶直接辐射强迫有重要的影响。采集了北京、香河、兴隆、敦煌四个不同地区的气溶胶光学特性地基观测数据,利用SBDART辐射传输模式模拟计算获取了四个地区的气溶胶直接辐射强迫,通过对比分析这四个地区的气溶胶辐射强迫得到了气溶胶辐射强迫效率同气溶胶光学特性的相关性。该研究结果对分析气候模式和评估环境能源结构具有重要的参考意义。     

非偏振光叠加传播及散射势获取的相关讨论

经典的Stokes理论认为非偏振光叠加仍为非偏振光。以高斯-谢尔模光束为示例,表明光场在自由传播的过程中情况并非总是如此。并以此为例,展示Stokes理论的可叠加性原理在描述光场传播过程中的本地行为和全局行为上是有区别的。作为应用示例,讨论了一个与大气和生物组织相关的散射势获取的问题。     

体系工程问题研究

分析并总结了体系工程的概念与定义,阐述了体系工程的内涵,提出了体系工程的主要工程实践:需求与顶层设计工程、集成与构建工程及演化与评价工程。以解决体系的构建与演化问题为目标,提出了体系工程过程,分析了体系工程过程与系统工程过程存在的差异。最后讨论了体系工程研究需要解决的关键理论问题。     

基于MEMS的LED芯片封装光学特性分析

本文提出了一种基于MEMS的LED芯片封装技术,利用体硅工艺在硅基上形成的凹槽作为封装LED芯片的反射腔.分析了反射腔对LED的发光强度和光束性能的影响,分析结果表明该反射腔可以提高芯片的发光效率和光束性能;讨论了反射腔的结构参数与芯片发光效率之间的关系.最后设计了封装的工艺流程.利用该封装结构可以降低芯片的封装尺寸,提高器件的发光效率和散热特性.     

4H-SiC MESFET的新型经验电容模型

基于器件工作机理,提出了一种新型的4H-SiC MESFET经验大信号电容模型。模型参数提取采用Lev-enberg-Marquardt优化算法,提取的模型主要参数具有一定物理意义。C-V特性的模型模拟结果与实验数据的比较表明两者符合良好。该模型还与CAD工具的通用电容模型进行了比较,结果表明新模型具有更高的精度。