全文获取类型
收费全文 | 240268篇 |
免费 | 52509篇 |
国内免费 | 50556篇 |
专业分类
化学 | 105563篇 |
晶体学 | 4378篇 |
力学 | 11084篇 |
综合类 | 3548篇 |
数学 | 23170篇 |
物理学 | 92122篇 |
无线电 | 103468篇 |
出版年
2024年 | 1423篇 |
2023年 | 3777篇 |
2022年 | 6717篇 |
2021年 | 6908篇 |
2020年 | 6432篇 |
2019年 | 6848篇 |
2018年 | 6566篇 |
2017年 | 9011篇 |
2016年 | 8327篇 |
2015年 | 11382篇 |
2014年 | 12833篇 |
2013年 | 15998篇 |
2012年 | 18254篇 |
2011年 | 19592篇 |
2010年 | 22197篇 |
2009年 | 22930篇 |
2008年 | 17449篇 |
2007年 | 16323篇 |
2006年 | 15372篇 |
2005年 | 13564篇 |
2004年 | 12075篇 |
2003年 | 9090篇 |
2002年 | 8584篇 |
2001年 | 8532篇 |
2000年 | 7703篇 |
1999年 | 5280篇 |
1998年 | 3667篇 |
1997年 | 3117篇 |
1996年 | 3347篇 |
1995年 | 3610篇 |
1994年 | 3629篇 |
1993年 | 3794篇 |
1992年 | 3207篇 |
1991年 | 2752篇 |
1990年 | 2296篇 |
1989年 | 2416篇 |
1988年 | 2239篇 |
1987年 | 1439篇 |
1986年 | 1457篇 |
1985年 | 1024篇 |
1984年 | 1148篇 |
1983年 | 535篇 |
1982年 | 1021篇 |
1981年 | 856篇 |
1980年 | 867篇 |
1979年 | 622篇 |
1978年 | 567篇 |
1977年 | 649篇 |
1976年 | 1058篇 |
1972年 | 541篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
951.
952.
953.
954.
本文给出了Banach空间广义分解定理的一个初等证明,并利用它来证明两个对称不等式.这是首次在Banach空间获得这样的不等式. 相似文献
955.
Mach-Zehnder干涉仪适用于研究气体密度迅速变化的状态。由于气体折射率的变化与其密度的变化成正比,而折射率的变化将使通过气体的光线有不同的光程,因此可通过干涉臂变化对干涉条纹图像效果的影响得到气体密度。实测中,采用图像采集卡和CCD来接收Mach-Zehnder干涉仪产生的条纹图像,再通过计算机对条纹图像的条纹间距进行处理,从而得到气体密度的变化状态。从光干涉理论出发,对Mach-Zehnder干涉条纹图像特征进行了分析,建立了Mach-Zehnder干涉条纹的数学模型,并根据此模型设计了处理Mach-Zehnder干涉条纹图像的算法。算法包括图像的预处理(即图像的噪声提取)、图像的二值化及图像的细化。 相似文献
956.
Q. Gong R. N tzel P.J. van Veldhoven T.J. Eijkemans J.H. Wolter 《Journal of Crystal Growth》2005,280(3-4):413-418
We report on the shape transition from InAs quantum dashes to quantum dots (QDs) on lattice-matched GaInAsP on InP(3 1 1)A substrates. InAs quantum dashes develop during chemical-beam epitaxy of 3.2 monolayers InAs, which transform into round InAs QDs by introducing a growth interruption without arsenic flux after InAs deposition. The shape transition is solely attributed to surface properties, i.e., increase of the surface energy and symmetry under arsenic deficient conditions. The round QD shape is maintained during subsequent GaInAsP overgrowth because the reversed shape transition from dot to dash is kinetically hindered by the decreased ad-atom diffusion under arsenic flux. 相似文献
957.
采用快速提拉法生长出了透明、完整的γ-LiAlO2晶体,但是晶体的高熔点和易挥发性限制了γ-LiAlO2晶体质量.采用气相传输平衡法(vapor transport equilibration technique,VTE)工艺对晶体改性,半高宽(FWHM)值从116.9arcsec降至44.2arcsec,继续升高VTE处理温度至1300℃,FWHM值反而升高至55.2arcsec.快速提拉法生长出来晶体,[100]方向和[001]方向的热膨胀系数分别为17.2398×10-6/K,10.7664×10-6/K.经过三步VTE处理后[100]和[001]方向热膨胀系数降至16.6539×10-6/K和10.1784×10-6/K. 相似文献
958.
第一讲中子散射与散裂中子源 总被引:1,自引:0,他引:1
中子散射是研究物质微观结构和动态的理想工具之一,广泛地应用于凝聚态物质研究和应用的众多学科领域.散裂中子源能是新一代的加速器基脉冲中子源,能为中子散射提供高通量的脉冲中子.文章简明地介绍了中子散射的特点和它作为物质结构和动态探针的优越性,以及散裂中子源的基本原理、发展状况和多学科的应用优势.我国计划建设的散裂中子源CSNS中,靶站将由多片钨靶、铍/铁反射体和铁/重混凝土生物屏蔽体组成.质子束功率100kW下,脉冲中子通量约为2.4×1016n/cm2/s.第一期将设计建造高通量粉末衍射仪、高分辨粉末衍射仪、小角散射仪、多功能反射仪和直接几何非弹性散射仪等五台典型的中子散射谱仪,以覆盖大部分的中子散射研究领域. 相似文献
959.
960.
非理想信道下Colpitts混沌电路的自适应同步研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研究了Colpitts混沌电路在非理想信道条件下的自适应同步问题。引入自适应控制器对输入到响应部分(response system)的衰变混沌信号进行预处理,来补偿衰落信道对于同步性能的影响。给出了系统的数学模型,对恒定信道衰变和时变信道衰变两种非理想信道条件下的混沌ColpiRs电路的自适应同步进行了数值仿真研究。仿真结果表明,对于恒定或慢变化的时变信道衰变,自适应控制器可以有效的提高Colpitts电路响应部分和驱动部分(Drive system)的同步性能。 相似文献