高压模块的有机硅凝胶灌封工艺设计与改进

介绍了某高压模块产品灌封工艺技术。该高压模块主要由多级倍压整流电路组成,要求具有良好的绝缘、抗振及三防特性,因此采用一体化(即模具作为结构支撑件)的灌封结构设计,以实现小型化、模块化。针对高压模块的灌封要求,选用合适的灌封材料;并针对灌封中出现的问题,通过原因分析找相应问题的解决办法,然后对高压模块灌封工艺进行改进。根据几批次高压模块的试验结果,该灌封工艺技术满足模块的设计要求。     

Special Apodized Fiber Bragg Grating for Flat—top Band—pass Reflectivity Filter

The characteristics of special apodized fiber Bragg grating (FBG) in flat--top pass--band as reflectivity filter are presented. This special apodized FBG was designed by the particle swarm optimization algorithm. Compared with conventional apodized FBG, the special apodized FBG presented was more robust in the flat—top pass——band characteristic even if the strength of grating is very week. This technology is very interesting in designing the filter for wavelength division multiplexing system.     

基于气象相似日选取与提升回归树的光伏发电短期功率预测

针对气象条件不稳定引起的光伏发电出力波动性和间歇性,提出基于气象相似日选取和提升回归树的光伏发电短期功率预测方法。本方法采用熵值法计算影响光伏发电功率各种气象因素的权重,采用动态时间弯曲距离计算历史日与预测日各气象因素相似度;对于每一个预测日的光伏发电功率预测,以历史相似日的气象数据和发电功率数据作为训练样本,采用提升回归树构建光伏发电短期功率预测模型,能够明显提升预测精度。以某光伏电站为研究对象,考虑气象相似日的提升回归树算法与回归树、提升回归树算法对比表明,光伏发电短期功率预测准确度有较大幅度提升。     

一种基于集成光学声光可调谐滤波器的近红外光谱仪

研制成功一种基于集成光学声光可调谐滤波器(IAOTF)的新型近红外光谱仪。从理论上分析了这种光谱仪的特征方程及分辨率，然后用三个中心波长不同的增益开关分布反馈激光器(DFB)的耦合光源进行了发射光谱的实验测量，最后通过傅里叶逆卷积的方法进行了光谱数据的恢复工作，从而进一步将该光谱仪的分辨本领提高到0．6nm。     

腔内扰动对虚共焦腔模式的影响及Zernike像差拟合

为实现高功率或高能激光器输出良好的光束质量和能量,分析了腔内像差扰动对非稳腔模式的影响,采用数值迭代法理论计算了腔内倾斜扰动对无源虚共焦非稳腔输出模式强度和相位分布的影响,并采用Zernike模式法对光束相位进行了像差拟合分解,得到了前35阶像差系数,通过进一步计算得到点扩散函数和环围能量曲线等,从而全面了解输出光束质量.结果表明,对小菲涅耳数虚共焦型非稳腔,腔内倾斜扰动不仅带来输出光强分布的不均匀性,且对相位分布有明显的影响,使相位中的一些高阶Zernike像差如A_3,A_7和A_(10)等增大.计算结果对研究高能激光器腔内像差校正有一定参考意义.     

近地水平接地天线的数值分析

用矩量法（MoM）结合离散复镜像理论（DCIM）研究了有耗地面上方水平接地天线的性能以及天线之间的互耦。由离散复镜像理论得到了分层媒质中空域磁矢位格林函数和电标位格林函数的闭合表达式，避免了直接作索末菲积分。讨论了对接地点的处理方法，提出以集中加载的接地电阻来描述接地点地网特性，并在天线末端附加一个电流项，此外无须再寻求任何关于末端电流的终端条件。提出采用分段辛普森数值积分方法来计算检验源和展开源重合时的阻抗矩阵元素，最后给出了部分计算结果，并与文献数据进行了对比。     

InGaAs近红外线列焦面阵的研制进展

研制出光谱响应为0.9～1.7μm的256×1、512×1元InGaAs线列焦平面组件,和光谱响应延展至2.4μm的256×1元InGaAs线列焦平面组件.焦平面组件包括光敏芯片、读出电路、热电制冷器以及管壳封装.光敏芯片在Inp/InGaAs/InP(p-i-n)双异质结外延材料上采用台面结构实现,并与128×1或512×1元CTIA结构的读出电路耦合.焦平面器件置于双列直插金属管壳中,采用平行缝焊的方式进行封装.介绍了高均匀性长线列InGaAs焦平面组件的关键技术和主要性能结果,为更长线列焦平面组件的研制提供了坚实的基础.     

基于再生长欧姆接触工艺的220 GHz InAlN/GaN 场效应晶体管

本文在蓝宝石衬底上研制了具有高电流增益截止频率(f_T)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管 (HFETs)。基于MOCVD外延n -GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(L_sd)缩小至600 nm。此外,采用自对准工艺制备了50 nm直栅。由于器件尺寸的缩小,V_gs= 1 V下器件最大饱和电流(I_ds)达到2.11 A/mm,峰值跨导达到609 mS/mm。小信号测试表明,器件f_T达到220 GHz、最大振荡频率(f_max)达到48 GHz。据我们所知,该f_T值是目前国内InAlN/GaN HFETs器件报道的最高结果。     

磁保持继电器空间磁干扰敏感位置的研究

开关器件的快速动作具有较高的du/dt与di/dt,使其本身成为干扰源对周围设备产生电磁干扰,文章以外加磁钢模拟磁保持继电器上方可能存在的干扰源,运用有限元分析软件建立其静态干扰模型.基于不同位置外部磁钢对衔铁组件所受力矩的影响具有极大值,将黄金分割法应用于对磁保持继电器空间磁干扰敏感位置的求解.结果表明,与衔铁组件平行的磁场方向为磁干扰敏感方向,敏感方向下存在磁干扰最大位置即敏感位置.此外,进一步确定了空间磁干扰危险区间.     

纳米MOS器件中的超浅结和相关离子掺杂新技术的发展

MOS器件特征尺寸进入纳米领域时如何形成超浅结是一个重要的挑战。文中讨论了纳米 MOS器件对超浅结离子束掺杂技术的特殊要求以及发展超浅结的主要途径 ,介绍了目前超浅结离子掺杂新技术的最新发展 ,并对其前景进行了展望。