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131.
基于8点长方集团变分模型,并引入各向同性最近邻相互作用,以及各向异性次近邻相互作用,计算了YBa2Cu3Oz两Ba层间铜氧平面上□—O系统的有序—无序相变图,不仅在z=7.0附近得到具有超导电性的正交相,并且在z=6.5附近得到具有两倍晶格长度的另一种正交相(正交相Ⅱ)。 关键词:  相似文献   
132.
可配置非幂方分频器的全新设计方法   总被引:6,自引:0,他引:6  
张多利  李丽  高明伦  程作仁 《电子学报》2002,30(8):1250-1252
本文采用基于计数空间完全划分和周期插入控制计数过程方法设计了非幂方分频器,采用这种全新思路设计的非幂方分频器分频范围很宽,分频输出对后续分频支持好,非常适用于通讯接口中的波特率时钟设计.此外,这种设计思路对系统定时电路和节拍控制电路设计也有一定的借鉴意义.  相似文献   
133.
织构C60薄膜的生长与光致发光特性   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
陈光华  张阳  严辉 《物理学报》1997,46(7):1375-1379
用Hot Wal方法,在氟金云母单晶上生长出了(111)织构的C60薄膜.用X射线衍射、Raman散射、扫描电子显微镜和原子力显微镜研究了织构C60薄膜的结晶质量和结构特性.测量了织构C60薄膜在室温300K和低温77K的光致发光光谱.对所得结果进行了分析与讨论 关键词:  相似文献   
134.
金属与金刚石薄膜接触的电学特性研究   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
陈光华  张兴旺  季亚英  严辉 《物理学报》1997,46(6):1188-1192
用热丝辅助化学汽相沉积技术在Si衬底上合成了含少量受主型杂质的近于本征的金刚石薄膜,并研究了三种金属(Cu,Ag和Al)与它接触的电学特性,以及退火对接触特性的影响.结果表明Cu,Ag与金刚石薄膜接触的电学特性比较类似,而Al则明显不同;而且退火对它们的接触特性影响很大 关键词:  相似文献   
135.
张荣  曲宏伟 《微电子学》1998,28(6):437-439
制作压力传感器时,在二氧化硅层上淀积多晶硅膜,既可利用优良的机械特性,又可保证压敏电阻与衬底间具有良好的绝缘性,由此可大大提高器件的温度特性。介绍了一种多晶硅压力传感器的原理和设计。实验结果表明,这类传感器具有灵敏度好,精度高等特点,电路工作范围为0-250℃,且具有良好的温度稳定性。  相似文献   
136.
本文研究了胆绿素的表面增强拉曼光谱。结果表明,在溶液酸度不同时,拉曼光谱特征频率的变化表现出胆绿素的质子化。铜离子与胆绿素的相互作用实验结果说明金属铜离子可与胆绿素生成金属配合物。  相似文献   
137.
张明  于文  张君  张远仪  王文魁 《物理学报》1996,45(10):1724-1728
利用原位X射线衍射技术得到非晶调制多层膜Nb/Si中的互扩散系数与退火温度的关系,调制周期L=3.2nm的非晶调制多层膜是用粒子溅射方法制备的.温度范围为423—523K的有效互扩散系数通过原位测量多层膜的一级调制峰强度与退火温度之间的关系而得到.利用缺陷陷阱延迟扩散机制解释了所得到的扩散系数与退火温度的关系.建立了可以解释较小前置系数的模型 关键词:  相似文献   
138.
This paper through discussing subdifferentiability and convexity of convex functions shows that a Banach space admits an equivalent uniformly [locally uniformly, strictly] convex norm if and only if there exists a continuous uniformly [locally uniformly, strictly] convex function on some nonempty open convex subset of the space and presents some characterizations of super-reflexive Banach spaces. Supported by NSFC  相似文献   
139.
聚硅烷研究进展 (1)聚硅烷的合成及应用   总被引:2,自引:0,他引:2  
聚硅烷的合成及应用因可溶性聚硅烷的发现而成为聚合物研究的又一热点。本文综述了聚硅烷合成与应用的近期发展。  相似文献   
140.
 应用高压原位差热方法,直接测量了压力下锗的固化参数─—固化温度与过冷度。高压差热信号表明,当压力大于3 GPa时,锗在凝固过程中可能发生结构相变。X射线结构分析表明,在最终的样品中除GeⅠ相外,还形成GeⅢ相和GeⅣ相。  相似文献   
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