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Dasgupta U. Wooi Gan Yeoh Chun Geik Tan Sheng Jau Wong Mori H. Singh R. Itoh M. 《Microwave Theory and Techniques》2002,50(11):2443-2452
An implementation of the IF section of WCDMA mobile transceivers with a set of two chips fabricated in an inexpensive 0.35-/spl mu/m two-poly three-metal CMOS process is presented. The transmit/receive chip set integrates quadrature modulators and demodulators, wide dynamic range automatic gain control (AGC) amplifiers, with linear-in-decibel gain control, and associated circuitry. This paper describes the problems encountered and the solutions envisaged to meet stringent specifications, with process and temperature variations, thus overcoming the limitations of CMOS devices, while operating at frequencies in the range of 100 MHz-1 GHz. Detailed measurement results corroborating successful application of the new techniques are reported. A receive AGC dynamic range of 73 dB with linearity error of less than /spl plusmn/2 dB and spread of less than 5 dB for a temperature range of -30/spl deg/C to +85/spl deg/C in the gain control characteristic has been measured. The modulator measurement shows a carrier suppression of 35 dB and sideband/third harmonic suppression of over 46 dB. The core die area of each chip is 1.5 mm/sup 2/. 相似文献
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实现各类目标和背景下动态场景的计算机编辑和生成,首先应对组成动态场景的要素进行分析,即目标,目标运动规律和特殊事件四个要素,然后通过编程由四个模块完成相应功能。目标,背景编辑模块可对目标,背景图像进行各种处理,并对重要特征量进行计算,运动路径模块可指定目标的运行规律,包括路线,大小和角度变化等。特殊事件模块可加入独立目标的各类典型事件,如运动的干扰物等。最后通过动态场景合成由计算机自动生成所需的动态场景图像。所需的原始目标,背景图像来源于图像数据库管理系统,通过索引项可便携地找到。 相似文献
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More periodic wave solutions expressed by Jacobi elliptic functions for the (2 + 1)-dimensional Konopelchenko–Dubrovsky equations are obtained by using the extended F-expansion method. In the limit cases, the solitary wave solutions and trigonometric function solutions for the equations are also obtained. 相似文献
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GaAs亚微米自对准工艺技术研究 总被引:2,自引:2,他引:0
总结了在50mmGaAs圆片上实现自对准介质膜隔离等平面工艺技术的研究,着重描述了离子注入、自对准亚微米难熔栅制备、钝化介质膜生长、干法刻蚀、电阻和电容制备等关键工艺的研究结果。这套工艺的均匀性、重复性好,在50mmGaAs圆片上获得了满意的成品率。采用这套工艺已成功地研制出多种性能良好的GaAsIC和GaAs功率MESFET,证明国家自然科学基金委员会这一重大课题的选择对发展我国GaAsIC确实具有重大意义。 相似文献
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一种新的高次边缘元方法 总被引:2,自引:0,他引:2
讨论了一种新的高次边缘元方法,它不仅消除了伪解,并具有简单高效的特点.着重研究了二次边缘元的空间构造;给出了有关计算公式.对具有精确解的条形介质填充波导主模和高次模本征值的计算表明:二次边缘元方法的计算精度比一次边缘元提高约一个数量级.块状介质填充和衬底各向异性的微带线主模色散曲线的计算证实了该方法的精确性和广泛的适用性. 相似文献