sol-gel法制备的ZnO:(Al,La)透明导电膜光电性能

通过X射线衍射、紫外–可见分光光度计、扫描电镜和四探针仪分析等手段,考察了退火温度对ZnO:(Al,La)薄膜微观结构、光学和电学性能的影响,Al掺杂浓度对电阻率的影响。结果表明:随退火温度的升高,薄膜(002)晶面择优取向生长增强,平均晶粒尺寸增大,电阻率降低,透光率上升。在x(Al)为1%,退火温度550℃时,薄膜最低电阻率为1.78×10–3?·cm,平均透光率超过85%。     

基于单片机控制的角度自动调整系统设计

本系统采用单片机STC12C5A08S2作为主控芯片,输出可控的PWM信号,通过L298N专用驱动电路对风扇的转速进行控制,调节风力大小,改变帆板偏转角度。使用WDD35D4角度传感器检测帆板偏转角度,检测信号送回单片机控制系统,形成闭环系统。系统可通过键盘输入进行风力控制达到自动调整帆板偏转角度目的。同时系统还可通过显示电路实时显示帆板偏转角度值。     

通过改写缓冲文件提高VocieXML性能的研究

语音内容业务是一种融合多种类型的话音和数据业务为一体的信息获取,信息互动的增值业务。本文研究一种应用于可以实现语音增值业务的系统以提高系统性能的机制。在分析了现有VoiceXML(VoiceeXtensibleMarkupLanguage)系统对语法处理以及文语转换机制的基础上,提出了通过改写文档从而提高性能的新方法,并从语法中间格式文件和语音文件的管理、实现改写和缓存替换机制等方面详细分析了该方案。     

外延BiFeO3薄膜的TEM显微结构表征

外延BiFeO3薄膜中丰富的结构与特殊的性能一直是近年来研究的热点.显微结构的研究不仅可以帮助人们进一步认识BiFeO3的结构信息,还可以帮助人们深入了解BiFeO3结构与性能间的关系,开拓新的应用领域.本文利用球差校正高分辨透射电子显微镜对外延在LaAlO3过渡层/Si基底上的BiFeO3薄膜进行研究.通过原子尺度的定量分析,在应力状态复杂区域观察到类菱方相、应力释放后恢复的菱方相以及拉应力状态下c/a值小于1的类菱方相,并在该区域观察到109°铁电畴,且畴间存在4.4°的畸变夹角.还观察到比较大的c/a比.     

基于信号子空间的ESPRIT-Like算法在相干DOA估计中的应用

相干环境中DOA估计的一个主要任务是在预处理中设法消除空间协方差矩阵的秩损失,首先分析了相干信号对基于子空间的超分辨算法的影响,随后从矩阵重构的思路出发,提出了一种基于信号子空间的ESPRIT-Like算法,最后通过仿真结果证明该方法的有效性与优越性.     

飞秒激光对Mg/PTFE药剂烧蚀加工过程安全性分析

文章简要介绍了飞秒激光发展过程及其特点,讨论了利用飞秒激光的超快速时间和超高峰值的特性烧蚀加工烟火药剂Mg/PTFE的可行性与安全性.建立了飞秒激光与Mg/PTFE作用过程中的传热模型,根据模型计算了药剂内部的温度分布以及烧蚀反应放出的热量对周围药剂的影响;在本研究的计算条件下,确定了在切割过程中,受激光作用表面的温度可达3000℃以上,单个激光脉冲的作用深度小于5.0×10-7m,药剂反应放出的热量对周边基本上没有影响,因而飞秒激光能够用于Mg/PTFE药剂的加工.     

基于电压陡降的VRLA容量预测新思路

重点介绍了蓄电池电压陡降与容量之间的关系及各操作因素对电压陡降的影响。由此引出一种新的蓄电池容量预测思路,并就如何实现它进行了初步探讨,最后对该思路进行了简要的展望。     

基于局部二值模式和四元数的行人检测

局部二值模式(LBP)特征具有光照不变性、旋转不变性及计算简单等特性,能有效表示行人特征,广泛应用于行人检测。LBP 特征的提取方法通常基于灰度图像,如果用于彩色图像,则没有充分考虑各通道之间的相关性,不能保证行人检测的准确性。为此,我们对彩色图像的红、绿、蓝三通道的LBP 特征,以四元数的形式表示,利用四元数的性质,提出一种P-LBP特征,再利用k-最近邻算法训练分类器。该方法在INRIA 数据集上进行实验,与HOG、S-LBP、F-LBP、HOG-LBP特征进行比较,具有更好的效果。     

智能天线技术及应用研究评述

智能天线是提高无线传输性能的一项关键技术,是无线通信领域持续的研究热点之一,其中部分研究成果已经在无线通信、雷达、电子对抗等广泛的领域获得了成功的应用,并且未来无线系统设计中会越来越多的采用智能天线技术.为此,文章首先简要回顾了有关智能天线技术的发展历史,介绍了其中主要的阵列处理算法原理,给出了基于软件无线电和FPGA/DSP等可重配置软硬件系统设计参考方案,通过一些设计实例分析了应用中的实际问题和解决途径,最后提出了有关这一技术领域未来发展的展望.     

一种多晶硅掩膜层湿法去除的改进研究

在集成电路制造工艺中,附着在Si片表面的杂质颗粒一直是影响晶圆良率的重大因素,其中在栅极多晶硅刻蚀后的氮氧化硅(SiON)掩膜层湿法去除工艺中,所使用的热磷酸(H3PO4)湿法刻蚀尤其容易产生杂质颗粒.详细分析了热H3PO4湿法刻蚀中杂质颗粒的形成机理,并且提出三种不同的解决途径,然后通过具体实验数据比较得出解决热H3PO4湿法刻蚀后杂质颗粒问题的最佳方案,为集成电路制造企业提供了理论基础和实践依据.