一种高效的硬布线控制CPU的设计方法

文章提出了一种硬布线逻辑CPU的设计流程，即以CPU设计工具软件LDF为核心的设计方法，其主要目的的提高硬布线逻辑CPU的设计效率。定义了一种用于描述硬布线控制逻辑的语言-MCDL，对总线优化问题进行了研究，并且给出了解决总线优化问题的近似算法。     

非完整系统Chetaev动力学和vakonomic动力学的等价条件

就一般非完整约束系统，从约束方程满足的变分恒等式出发，利用增广位形流形上的向量场定义三类非自由变分，即非完整变分：vakonomic变分、Hlder变分、Suslov变分，并讨论它们之间的关系以及它们成为自由变分的充要条件.利用非完整变分以及相应的积分变分原理建立两类动力学方程：vakonomic方程和Routh方程或Chaplygin方程.通过vakonomic方程分别与Routh方程和Chaplygin方程比较，得到它们具有共同解的两类充分必要条件.这些条件并不是约束的可积性条件. 关键词： 非完整约束 非完整变分 Chetaev条件 vakonomic动力学     

论大学物理实验体系建设与教学改革

传统的物理实验是按普通物理、电子线路和近代物理等内容进行划分，这种体系突出了学科的系统性，但忽视了学科之间的兼容互补性，各学科相互独立，限制了学生跨学科思维能力和创新能力的培养，建立现代物理实验教学新体系是大学物理实验教学改革的必然趋势．新的物理实验体系应依照训练层次，划分为引导性实验、基本实验、综合性实验、设计性实验、研究性实验．并需要注重时代性和先进性，改革和更新大学物理实验教学内容，改革实验教学与管理模式，形成新的运行机制，从而达到学生素质和能力的提高．     

SBIRS-HIGH对导弹上升段位置测量精度及中末段位置预报精度的分析

根据目前的技术水平分析了高空天基红外系统(SBIRS-HIGH)的技术参数;理论上计算了SBIRS-HIGH对导弹上升段的位置测量精度以及中末段任意时刻飞行位置的预报精度;研究了SBIRS-HIGH对中段和末端导弹拦截系统的导引能力。     

分布式光纤喇曼放大技术及其在WDM系统中的应用

介绍了分布式光纤喇曼放大技术的原理、特点和应用 ,并从受此影响的 WDM传输系统的信噪比、噪声指数和品质因数三个方面讨论了光纤喇曼放大技术在提升光纤通信系统性能方面的重要作用。     

对位酚类衍生物作为化学发光分析的增强剂研究

在化学发光分析中，常常要用到碱性条件下鲁米诺与过氧化氢的反应系统，通过催化剂辣根过氧化物酶使反应顺利进行。如果再加入适当的增强剂，则灵敏度提高且发光时间延长，可改善测定的重现性。实验证明，对位酚类衍生物，如：对叔丁基苯酚，对甲苯酚的发光增强作用明显，其发光效率可上升几十倍，发光时间也获得有效延长。     

变系数非线性方程的Jacobi椭圆函数展开解

把Jacobi椭圆函数展开法扩展并应用到求解变系数的非线性演化方程,比较方便地得到新的解析解 关键词： Jacobi椭圆函数 变系数非线性方程 类椭圆余弦波解 类孤子解     

af的拓扑度及其应用

本文首先对Rⁿ中连续映象讨论了af(a≠0)与f的Brouwer度之间的关系,得到了Brou-wer度的几个等式,顺便推出几个不动点定理.在此基础上研究了投影完备的实Banach空间中A-proper映象f与af的广义拓扑度之间的联系.作为应用,推广了关于P₁紧映象的Altman不动点定理.     

On bent functions with some symmetric properties

This paper discusses a kind of bent functions that have some symmetric properties about some variables. Section 2 mainly discusses the bent functions symmetric about some two variables and gives the necessary and sufficient condition for these functions. Section 3 gives algebraic expressions of some bent functions.     

高电荷态离子207Pbq+(24≤q≤36)与Si(110)固体表面作用的电子发射研究

报道了利用兰州重离子加速器国家实验室ECR源引出的高电荷态离子207Pbq+(24≤q≤36)入射到Si(110)表面产生的电子发射的实验测量结果.结果表明,高电荷态离子与固体表面相互作用产生的电子发射产额Y与入射离子的电荷态q、入射角度ψ和入射能量E都有很强的关联.首次发现,电子发射产额Y与入射角度ψ间有接近1/tanψ的关系.理论分析认为,这些过程与基于经典过垒模型的势能电子发射过程密切相关.