随机模拟在电信网性能评价中的应用

本文介绍了可在微机上实现大规模电信网践模拟的实用化软件ＳＩＭＵＮＥＴ，及基所采用的无时钟事件追踪法。该软件可用规划中的电信网络和实际网路的模拟及性能评价，也可用于不同流量控制算法的评价。文中给出一个评价实例。     

Rb(62D)原子与基态Rb原子,H2分子碰撞转移截面

本文用荧光法测量Rb(6²D)原子与基态Rb原子,H₂分子碰撞转移截面。结果表明:Rb(6²D)-Rb(5²s)转移截面为σ_fs=67×10^-14cm²,σ_tr=4.3×10^-14cm²,Rb(6²D)—H₂转移截面为σ_fs 关键词：     

A novel technique for profiling the lateral n- dopingconcentrations of submicron LDD MOS devices

This paper reports a simple I-V method for the first time to determine the lateral lightly-doped source/drain (S/D) profiles (n^- region) of LDD n-MOSFETs. One interesting result is the direct observation of the reverse-short-channel effect (RSCE). It is observed that S/D n^- doping profile is channel length dependent if reverse short-channel effect exists as a result of the interstitial imperfections caused by Oxide Enhanced Diffusion (OED) or S/D implant. Not only the lateral profiles for long-channel devices but also for short-channel devices can be determined. One other practical application of the present method for device drain engineering has been demonstrated with a LATID MOS device drain engineering work. It is convincible that the proposed method is well suited for the characterization and optimization of submicron and deep-submicron MOSFETs in the current ULSI technology     

VHDL逻辑综合及FPGA实现

运用ＶＨＤＬ语言描述了一个１２×１２位的高速补码阵列乘法器。重点是运用ＶＨＤＬ逻辑综合优化该乘法器，并进行了乘法器的ＸｉｌｉｎｘＦＰＧＡ实现、功能仿真和时序仿真。经选用ＸＣ４００５ＰＣ－８４－４芯片进行验证，证明了其正确性     

室内声扩散模型比较研究

室内扩散反射是计算机建模过程中必须考虑的现象。对现有的5种常用扩散模型进行了综述和比较研究。分析表明，随机扩散模型仍然是最为实用的一种模型。     

产量──密度模型讨论

本文给出产量与密度函数关系     

堵塞效应与“全同带”的微观机制

利用处理推转壳模型的改进了的粒子数守恒方法(严格计及堵塞效应),对原子核的转动惯量进行了计算,计算中无任何自由参数,所得转动惯量(包括¹⁷⁰Yb,¹⁷¹Lu¹⁷¹Yb各转动带)及其奇偶差,与实验非常符合,转动惯量的奇偶差灵敏地依赖于被堵塞的能级位置及其对Coriolis力的响应。     

一种简便实用的视频特技切换器

本文介绍了一种用集成电路制作的特技切换器，具有成本低，线路简单，易于制作的特点。可以完成简单，基本的扫换，键控，特技效果和快切等功能。     

停流—荧光动力学分析法测定痕量钛的研究

利用自行组装的停流-荧光动力学分析仪,采用停流法汇合流体动力注入技术,研究了钛与3.5-二溴水杨基荧光酮的荧光增强动力学反应性质,讨论了流速、进样时间对方法灵敏度和精密度的影响,提出了一个快速、简便、精确测定钛的分析方法,并用于稀土样品及合成样品中痕量钛的测定.方法检测限为8×10~(-3)ppm,大多数元素的干扰均可用动力学方法消除.     

牙齿化石中由辐照产生的陷阱电子的热稳定性研究

本文对周口店北京猿人遗址的动物牙齿化石进行了辐照产生的陷阱捕获电子的热稳定性研究和釉质样品及牙质样品的热稳定性对比实验。得到釉质样品中g=2.0016 ESR峰的寿命为7.1×10⁶年(20℃)。说明了取该峰进行ESR年代测定的可信性和用釉质样品进行ESR年代测定的必要性。