相干态统计特性的弱测量结构研究

理论分析相干态位移参数估计在弱测量方法下的放大效应.引入偏振态作为附属态(Ancilla States),分别进行初选择和后选择,中间的相互作用采用了偏振相关的弱位移操作算符.通过最后检测光子数的分布来估计位移参数;在牺牲检测光子强度的情况下可以有效提高放大效应.     

基于CPLD和DSP的雷达信号数字采集接口模块设计

介绍了一种采用CPLD复杂可编程逻辑器件M4A5-128／64和DSP数字信号处理器TMS320VC5402实现的雷达信号数字采集接口模块,对所用主要器件的功能和特性进行了简要说明;讨论了雷达触发信号、船首信号的电平变换电路及视频信号的A／D变换电路,并重点讨论了实现雷达信号数字采集接口设计中CPLD逻辑设计和DSP软件设计。     

地方高等工科院校新办电子信息类专业建设模式与创新体系研究

针对我国地方高等工科院校新办电子信息类专业的建设模式与创新体系问题进行了研究。在分析和总结现有专业建设工作的基础上,提出新办电子信息类专业的学科定位和办学指导思想、师资队伍建设模式、学位建设模式与方法、科研水平提升的途径和方法。详细论述了其专业培养模式和课程体系建设问题。上述问题的研究结果,对于地方高等工科院校新办电子信息类专业的建设有一定的参考意义。     

CMOS集成温度传感器中的器件模型分析

根据CMOS集成温度传感器对器件的要求,对MOS器件的亚阈值模型和MOS工艺下的双极型器件进行了分析对比,选用后者更适合作为CMOS集成温度传感器的器件,并对衬底PNP管压电结型效应对温度传感器的影响进行了分析,最后对不同类型电阻进行了分析对比,为CMOS集成温度传感器设计打下了理论基础。     

合成孔径雷达参数化成像技术进展

传统合成孔径雷达(SAR)成像可视为点目标散射模型约束下数据空间到图像空间的映射.然而,真实目标多为延展目标,与传统线性成像处理中的点目标散射模型存在失配,会导致SAR图像表征失真.常见的现象是使延展目标多呈现为孤立强点,阻碍了基于SAR图像的目标辨识等应用.SAR参数化成像技术是为解决上述模型失配问题而诞生的一种非线...     

弹片连接的弱力接触电阻测试与分析

弹片作为一种重要的电连接器,它的可靠性会直接影响设备的电性能。研究弹片电连接的规律和影响因素,对于提升设备性能并节约成本具有重要意义。本文通过软件仿真及实验测量,测试了在弱外加力(<2 N)的条件下,以弹片为代表的电连接部件,接触电阻阻值随着接触金属面材料的电阻率减小而减小,且随着外加力的增大而减小的规律。通过机械接触理论分析及计算,验证了接触电阻会受到材料的电阻率与外加力影响;对弹片的接触电阻产生机理给出了明确解释,能够更准确地判断弹片与不同接触界面产生接触电阻的大小关系。     

信息融合系统效能灰色评估模型与算法

根据信息融合系统效能评估的需求,建立了基于层次结构的信息融合系统效能评估指标体系,并运用灰色理论方法讨论了效能评估模型和评估算法．通过仿真举例,结果表明该算法简单方便．模型及算法有效可行,评价结果具有客观性．     

基于功率型LED的在体整体荧光光学成像

用发光二极管（LED）替代常用的荧光激发光源汞灯,以实现基于LED的整体荧光光学成像（简称整体成像）。首先通过光谱计算分析,探讨了在不同波段与汞灯激发的荧光量相当时LED需要输出的光通量。以此为依据选择LED,构建了基于功率型LED的整体成像系统,用其动态监测绿色荧光蛋白（GFP）标记的肿瘤在裸鼠体内生长和药物治疗过程。实验表明,功率型LED可在类似于整体成像需要较大光功率的场合中应用。光源替代时,若两光源的光谱在选择的波段内分布不一样,则有必要考虑不同波长的光激发荧光效率差异的影响。     

超短中红外激光脉冲的产生及其发展状况

超短中红外脉冲对研究物理、化学、生物学和半导体内的超快过程等有非常重要的作用。介绍了参量振荡、差频产生、参量放大产生超短中红外激光脉冲的方法,及国内外相关研究的最新进展。     

SiO2@Gd2O3∶Tb3+核壳微球的可控合成及发光性能研究

采用简便的尿素辅助沉淀法将Gd2O3∶Tb3+成功包覆在二氧化硅微球表面合成了尺寸均匀的球形SiO2@Gd2O3∶Tb3核壳发光材料,解决了稀土发光材料普遍存在的形貌可控性差和颗粒尺寸不均一等问题.利用XRD、SEM、红外光谱和荧光光谱等表征测试了样品的形貌、结构和发光性能.SEM照片和尺寸分布图显示,SiO2@Gd2O3∶Tb3+粒子呈现均匀球形形貌,分散性良好,粒径约(608 +18) nm.XRD图谱分析表明,600℃煅烧后,壳层Gd(OH)3CO3完全转变为立方相Gd2O3,结晶性良好,无杂相生成.同时,结合红外光谱推测了SiO2@Gd2O3∶Tb3核壳微球的形成机理,并得出Gd2O3∶Tb3+壳层主要以Si-O-Gd键形式连接在二氧化硅微球表面.在240 nm紫外光激发下,SiO2@Gd2O3∶Tb3核壳微球呈现绿光发射,其中,位于540 nm处的主峰归属于Tb3+的5D4→7F5能级跃迁.不同Tb3掺杂浓度下的发射光谱表明,当Tb3+掺杂浓度为4mol;时,SiO2@Gd2O3∶Tb3+核壳微球的发射强度达到最大值,寿命为1.55 ms,色坐标位于绿色区域,展现了良好的绿光发光性能.