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61.
This paper proposes a new matrix method for calculating critical flow velocity of curved pipes conveying fluid, which have arbitrary centerline shape and spring supports. Its main advantage over other methods is that the corresponding characteristic equation can be reduced to a third order one, no matter how many elements are discretized in calculation. This will lead to saving computer time and obtaining a solution with good precision.  相似文献   
62.
假定BES合作组在辐射衰变J/ψ→γ pp中观测到的pp,谱的增强是由于存在一个pp的分子态,用线性σ-模型计算了它的束缚能和寿命. 具体考虑了这种增强现象是由于pp可能形成一个S-波或P-波共振态, 并把计算结果和实验数据做了比较. 与氘核不同, 由于pp可以通过s-道湮没, 因此通过研究它的总宽度可以获得线性σ-模型及其相关问题的信息.  相似文献   
63.
描述一种测量高温超导体磁通钉扎能U0及其分布的新方法,此方法主要之点是测量磁化后样品的零场临界电流随时间的变化,利用这一方法测量Tl2Ba2Ca2Cu3Oy的U0值分布(T=78K)。根据所得结果,对已报道的U0值的分散性提出一种新解释。 关键词:  相似文献   
64.
超声波在废橡胶再生中应用的最新进展   总被引:9,自引:0,他引:9       下载免费PDF全文
全世界每年产生大量废旧橡胶,它们需要很长时间才能降解,这既污染环境,又浪费资源,解决此问题的唯一方法是再生利用。在众多再生方法中,新近出现的超声波脱硫再生法,被认为是最有希望的方法,本文详细地介绍了这方面的最新进展情况。  相似文献   
65.
曾谨言 《大学物理》2002,21(7):23-28
介绍了量子绝热定理的物理含义及成立的条件,认为有关主要献(Aharonov-Anandan,Bohm,孙昌璞等)的表述是正确的,而《关于量子几何相位的评注》^[1](以下简称《评注》)相应的表述不完全正确。在此基础上,认为这些献和教材(R.Shankar)得出的涉及Berry绝热相位的一些论述(不含Berry绝热相因子的瞬时能量本征态不满足含时Schroedinger方程等)也是正确的,而《评注》的论述与此相反。《评注》认为只有γn(C)才是Berry相位。本作则倾向于把γn(t)叫做Berry绝热相位,而把γn(C)=γn(T)-γn(0)叫做几何相位(geometric phase)^[2]。  相似文献   
66.
采用信息融合技术的IR/MMW复合导引头的目标跟踪   总被引:2,自引:0,他引:2  
从误差测量环节入手,基于IR/MMW双模结构,采用信息融合处理技术提高其估计跟踪精度,最终达到降低制导误差,提高武器性能的目的,仿真结果验证了该方法的有效性。  相似文献   
67.
青藏高原盐湖富含锂、钠、钾的氯化物、硫酸盐、碳酸盐和硼酸盐,尤以其高锂、硼而闻名于世[1]。这些盐湖卤水大多属于Li ,Na ,K ,Mg2 /Cl-,SO42-,CO32-,Borate-H2O体系。在卤水蒸发浓缩后期,由于绝大部分钠盐、钾盐均已结晶析出,所以卤水的化学组成实际变成Li ,Mg2 /Cl-,SO42-,  相似文献   
68.
基于Level set方法的医学图像分割   总被引:3,自引:0,他引:3  
本文引入了一种基于偏微分方程的曲线进化方法—Level set方法,通过与Fast marching方法的结合,可以实现运算速度的大大提高。同时引进了更有效的Kim提出的GMM(Group Marching Method)方法,减少了运算量,并给出了改进方法。最后,把该方法用于仿真图与医学图像分割中,获得了较好的效果。  相似文献   
69.
近年来相继从菊花螺属(Siphonaria)海洋软体动物中分离出一系列聚丙酸酯(Polypropi-onate)类化合物.这类化合物在自然界罕见,被认为是菊花螺属软体动物的典型代谢产物.本文实验所用的菊花螺采自福建省湄洲湾莲城半岛.该动物味很苦,有清凉解毒之功.  相似文献   
70.
The charge storage characteristics of P-channel Ge/Si hetero-nanocrystal based MOSFET memory has been investigated and a logical array has been constructed using this memory cell. In the case of the thickness of tunneling oxide T_ox=2nm and the dimensions of Si- and Ge-nanocrystal D_Si=D_Ge=5nm, the retention time of this device can reach ten years(~1×10~8s) while the programming and erasing time achieve the orders of microsecond and millisecond at the control gate voltage |V_g|=3V with respect to N-wells, respectively. Therefore, this novel device, as an excellent nonvolatile memory operating at room temperature, is desired to obtain application in future VLSI.  相似文献   
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