动态 Stackelberg 诱导对策问题

Stackelberg 诱导(Incentive)对策,以简单的二人对策来说,是讨论对一个具有递阶决策结构的系统,处于领导地位的决策者,如何通过选择和宣布适当的策略,来诱导处于随从地位的决策者采取对领导最为有利行动的问题.自从文[1]从控制理论的观点讨论了 Incentive 的概念后,Stackelberg 诱导对策的研究受到了较多的关注,发现了不少研究成果.然而从到迄今所出现的文献来看,对概念性问题的研究较多,而较缺乏有效的,特     

检测骨架图形特征点的新方法

端点、折点、歧点和交点是骨架图形的重要特点是，提出用快速查表法检测侯选特征点，再进行侯选特征点聚集，用局部结构分析，去除假特征点，判别真特征点的类型，并对折点给以大致的定量描述。实验结果表明，该方法能快速有效地找出骨架图形的特征点，在目标识别、字符识别等应用中起着关键作用。     

A NEW MATRIX METHOD FOR SOLVING VIBRATION AND STABILITY OF CURVED PIPES CONVEYING FLUID

This paper proposes a new matrix method for calculating critical flow velocity of curved pipes conveying fluid, which have arbitrary centerline shape and spring supports. Its main advantage over other methods is that the corresponding characteristic equation can be reduced to a third order one, no matter how many elements are discretized in calculation. This will lead to saving computer time and obtaining a solution with good precision.     

线性σ-模型和在J/ψ→γpp的pp质量谱中观测到的增强现象

假定BES合作组在辐射衰变J/ψ→γ pp中观测到的pp,谱的增强是由于存在一个pp的分子态,用线性σ-模型计算了它的束缚能和寿命. 具体考虑了这种增强现象是由于pp可能形成一个S-波或P-波共振态, 并把计算结果和实验数据做了比较. 与氘核不同, 由于pp可以通过s-道湮没, 因此通过研究它的总宽度可以获得线性σ-模型及其相关问题的信息.     

Tl2Ba2Ca2Cu3Oy超导体磁通钉扎能的分布

描述一种测量高温超导体磁通钉扎能U₀及其分布的新方法,此方法主要之点是测量磁化后样品的零场临界电流随时间的变化,利用这一方法测量Tl₂Ba₂Ca₂Cu₃O_y的U₀值分布(T=78K)。根据所得结果,对已报道的U₀值的分散性提出一种新解释。 关键词：     

超声波在废橡胶再生中应用的最新进展

全世界每年产生大量废旧橡胶，它们需要很长时间才能降解，这既污染环境，又浪费资源，解决此问题的唯一方法是再生利用。在众多再生方法中，新近出现的超声波脱硫再生法，被认为是最有希望的方法，本文详细地介绍了这方面的最新进展情况。     

采用信息融合技术的IR／MMW复合导引头的目标跟踪

从误差测量环节入手，基于IR／MMW双模结构，采用信息融合处理技术提高其估计跟踪精度，最终达到降低制导误差，提高武器性能的目的，仿真结果验证了该方法的有效性。     

日本菊花螺Siphonaria Japonia化学成分的研究(I)

近年来相继从菊花螺属(Siphonaria)海洋软体动物中分离出一系列聚丙酸酯(Polypropi-onate)类化合物.这类化合物在自然界罕见,被认为是菊花螺属软体动物的典型代谢产物.本文实验所用的菊花螺采自福建省湄洲湾莲城半岛.该动物味很苦,有清凉解毒之功.     

P-channel Ge/Si Hetero-nanocrystal Based MOSFET Memory

The charge storage characteristics of P-channel Ge/Si hetero-nanocrystal based MOSFET memory has been investigated and a logical array has been constructed using this memory cell. In the case of the thickness of tunneling oxide T_ox=2nm and the dimensions of Si- and Ge-nanocrystal D_Si=D_Ge=5nm, the retention time of this device can reach ten years(~1×10~8s) while the programming and erasing time achieve the orders of microsecond and millisecond at the control gate voltage |V_g|=3V with respect to N-wells, respectively. Therefore, this novel device, as an excellent nonvolatile memory operating at room temperature, is desired to obtain application in future VLSI.     

可靠性预计方法及思考

本文介绍了可靠性预计的目的,并对当前较为常见的可靠性预计模型或方法做了比较和说明,也对造成可靠性预计局限性的原因做了分析,最后对在可靠性工程工作中对待可靠性预计的态度做了探讨.