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教学研究:介绍量子力学几个基本概念——兼答《关于量子几何相位的评注》中的几个主要问题 总被引:4,自引:4,他引:0
介绍了量子绝热定理的物理含义及成立的条件,认为有关主要献(Aharonov-Anandan,Bohm,孙昌璞等)的表述是正确的,而《关于量子几何相位的评注》^[1](以下简称《评注》)相应的表述不完全正确。在此基础上,认为这些献和教材(R.Shankar)得出的涉及Berry绝热相位的一些论述(不含Berry绝热相因子的瞬时能量本征态不满足含时Schroedinger方程等)也是正确的,而《评注》的论述与此相反。《评注》认为只有γn(C)才是Berry相位。本作则倾向于把γn(t)叫做Berry绝热相位,而把γn(C)=γn(T)-γn(0)叫做几何相位(geometric phase)^[2]。 相似文献
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采用信息融合技术的IR/MMW复合导引头的目标跟踪 总被引:2,自引:0,他引:2
从误差测量环节入手,基于IR/MMW双模结构,采用信息融合处理技术提高其估计跟踪精度,最终达到降低制导误差,提高武器性能的目的,仿真结果验证了该方法的有效性。 相似文献
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近年来相继从菊花螺属(Siphonaria)海洋软体动物中分离出一系列聚丙酸酯(Polypropi-onate)类化合物.这类化合物在自然界罕见,被认为是菊花螺属软体动物的典型代谢产物.本文实验所用的菊花螺采自福建省湄洲湾莲城半岛.该动物味很苦,有清凉解毒之功. 相似文献
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The charge storage characteristics of P-channel Ge/Si hetero-nanocrystal based MOSFET memory has been investigated and a logical array has been constructed using this memory cell. In the case of the thickness of tunneling oxide T_ox=2nm and the dimensions of Si- and Ge-nanocrystal D_Si=D_Ge=5nm, the retention time of this device can reach ten years(~1×10~8s) while the programming and erasing time achieve the orders of microsecond and millisecond at the control gate voltage |V_g|=3V with respect to N-wells, respectively. Therefore, this novel device, as an excellent nonvolatile memory operating at room temperature, is desired to obtain application in future VLSI. 相似文献
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本文介绍了可靠性预计的目的,并对当前较为常见的可靠性预计模型或方法做了比较和说明,也对造成可靠性预计局限性的原因做了分析,最后对在可靠性工程工作中对待可靠性预计的态度做了探讨. 相似文献