固固反应合成三碘化锑、三碘化铋与硫脲配合物

通过三碘化锑和三碘化铋与硫脲间的室温固固反应合成了三碘化锑、三碘化铋的硫脲配合物 ,其组成为 :M[CS( NH2 ) 2 ]3 I3 ( M=Sb,Bi)。两种配合物的晶体结构均属于单斜晶系 ,锑配合物 Sb[CS( NH2 ) 2 ]3 I3 的晶胞参数为 :a=1 .4 772 nm,b=1 .6 5 82 nm,c=2 .0 6 74 nm,β=90 .81°,铋配合物 Bi[CS( NH2 ) 2 ]3 I3 的晶胞参数为 :a=1 .4 0 1 0 nm,b=2 .0 1 6 8nm,c=2 .0 397nm,β=90 .84°。远红外光谱表明硫脲中的 N原子而非硫原子参与了配位     

The PT-order and the fixed point property

The PT-order, or passing through order, of a poset P is a quasi order defined on P so that ab holds if and only if every maximal chain of P which passes throug a also passes through b. We show that if P is chain complete, then it contains a subset X which has the properties that (i) each element of X is -maximal, (ii) X is a -antichain, and (iii) X is -dominating; we call such a subset a -good subset of P. A -good subset is a retract of P and any two -good subsets are order isomorphic. It is also shown that if P is chain complete, then it has the fixed point property if and only if a -good subset also has the fixed point property. Since a retract of a chain complete poset is also chain complete, the construction may be iterated transfinitely. This leads to the notion of the core of P (a -good subset of itself) which is the transfinite analogue of the core of a finite poset obtained by dismantling.Research partially supported by grants from the National Natural Science Foundation of China and The Natural Science Foundation of Shaanxi province.Research supported by NSERC grant #69-0982.     

Aqueous electrochemically-triggered atom transfer radical polymerization

Simplified electrochemical atom transfer radical polymerization (seATRP) using Cu^II–N-propyl pyridineimine complexes (Cu^II(NPPI)₂) is reported for the first time. In aqueous solution, using oligo(ethylene glycol) methyl ether methacrylate (OEGMA), standard electrolysis conditions yield POEGMA with good control over molecular weight distribution (Đ_m < 1.35). Interestingly, the polymerizations are not under complete electrochemical control, as monomer conversion continues when electrolysis is halted. Alternatively, it is shown that the extent and rate of polymerization depends upon an initial period of electrolysis. Thus, it is proposed that seATRP using Cu^II(NPPI)₂ follows an electrochemically-triggered, rather than electrochemically mediated, ATRP mechanism, which distinguishes them from other Cu^IIL complexes that have been previously reported in the literature.

Simplified electrochemical atom transfer radical polymerization (seATRP) using Cu^II-pyridineimine complexes is reported and follows a previously unreported electrochemically triggered mechanism.     

一种基于免疫系统的RBF网络在线训练方法

 针对径向基函数(RBF)网络和免疫系统的相似性,本文提出了一种基于免疫模型的RBF网络在线学习方法以解决动态问题.该方法借鉴了免疫系统动态调整以对抗不断入侵的抗原的机制,通过免疫初步覆盖、免疫交叉响应和疫苗注射等免疫操作,加速算法效率、提高算法精度和动态性能.通过以上操作使得RBF网络能够根据样本的变化迅速地调整网络结构与参数.计算机仿真研究表明,采用这种方法设计的RBF网络在动态环境下具有优良的精度和泛化能力.     

O-(1,3-二芳硒基)异丙基-O-2-(N3-替加氟)乙基硫代磷酯的合成及其抗癌活性

六乙基亚磷酰三胺依次与羟乙基替加氟、1-芳硒基甘油及硫反应,得到环甘油硫代磷脂替加氟缀合物(2a～2e);通过苯硒化钾对2进行亲核开环,得到O-(1,3-二芳硒基)异丙基-O-2-(N-替加氟)乙基硫代磷酯(3a～3e),其结构经1H NMR,31P NMR,MS及元素分析确证.3对膀胱癌细胞PGA1有一定的抑制作用.     

一种基于用频计划的监测设备部署优化方法

提出了一种基于用频计划的监测设备部署优化方法,根据实际的用频计划提取出包含监测区域、时间和频段的监测要求,结合监测设备的监测能力,运用改进的多目标遗传算法,快速有效地部署监测设备,制定监测计划,提高了对监测要求在时域、空域和频域的监测覆盖率,达到了监测设备部署优化的目的,并通过仿真验证了该算法的可行性和有效性。     

一种带氧化槽的双栅LDMOS

提出了一种带氧化槽的双栅体硅LDMOS结构(DGT LDMOS).在漂移区中引入一个氧化槽,在该槽上形成埋栅,同时形成一个槽栅.首先,双栅形成双导电沟道,减小了比导通电阻;其次,氧化槽折叠了漂移区,这不仅调制了电场的分布,而且提高了漂移区的优化浓度,有效提高了击穿电压,降低了比导通电阻.采用二维数值仿真软件MEDICI,对器件参数进行仿真和优化设计.结果表明,相对于普通体硅LDMOS(SG LDMOS),该结构的比导通电阻下降了56.9％,击穿电压提高了82.4％.在相同尺寸和击穿电压下,相对于单槽栅体硅LDMOS(SGT LDMOS),DGT LDMOS的比导通电阻下降了35.4％.     

1.064μm激光制导半实物仿真大气衰减模型研究

在激光制导武器半实物仿真系统中,激光大气传输衰减模型的精度直接决定着整个系统的仿真精度。为给出一种满足工程应用且较简单的、可用于1.064μm激光制导武器半实物仿真的大气衰减模型,基于战场背景环境,综合考虑大气组分的吸收和散射效应,依据天气状况将气溶胶对激光的影响分解为气溶胶(无云无雾情况下)、云、雾、雨、雪和战场烟剂6部分。应用大气对激光辐射的衰减规律,结合一些经验公式,建立了各部分的大气衰减模型。最后利用所建大气衰减模型,计算了几种典型天气条件下大气对激光传输产生的衰减,并与LOWTRAN7计算结果进行了比较和分析,结果表明所建模型是正确有效的。     

基于谱估计的噪声调频信号检测方法研究

对干扰信号的频谱特征进行精确测量和分析是实施有效的电子反干扰(ECCM)的重要步骤.通过对噪声调频干扰信号的频谱特征分析,提出采用合适的功率谱估计方法来检测噪声调频信号的主要频谱特征参数.利用MATLAB/Simulink仿真软件分别建立了噪声调频信号源和谱估计方法的系统模型,研究了系统采用不同的谱估计方法和参数设置的情况下所能够达到的检测精度,并根据仿真结果分析比较了不同谱估计方法的性能.     

(Cd,Co,Nb)掺杂的SnO2压敏材料的电学性质

研究了Cd对(Co，Nb)掺杂SnO2压敏材料电学性质的影响。组分为97．65％SnO2 O．75％Co2O3 0．10％Nb2O5 1．50％CdO的压敏电阻具有最大非线性系数(a=22．2)和最高的势垒(ψB=0．761eV)．当CdO的摩尔分数从0增加到3％时，(Co，Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从366V／mm增大到556V／mm，1kHz时的相对介电常数从1429减小到1108。晶界势垒高度测量揭示，SnO2的晶粒尺寸的减小是击穿电压增高和介电常数减小的主要原因。对Cd掺杂量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释。