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Average Atom Model in Hot Plasmas 总被引:4,自引:2,他引:2
Average Atom Model in Hot PlasmasAverageAtomModelinHotPlasmas¥YuanJianhui;SunYongsheng;ZhengShaotang(InstituteofAppliedPhysic... 相似文献
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本文主要论述了开关磁阻电机传动技术的工作原理,系统结构和技术性能。介绍了该技术的发展背景、目前的应用情况和国内外发展水平。并对其前景表明了一些看法。 相似文献
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在异源四倍体棉种中现已鉴定出22个芽黄突变体、26个芽黄基因,其中V1与V7、V2之间存在着部分同源关系。重叠牙黄基因V16V17的遗传主式独特,单体1测验的分离世代F2和BC恢复产生了黄化的单体株。鉴于杂中子生产现状,俄系统阐述了以芽黄作为指示性进行棉花杂种优势利用的可行性。 相似文献
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群色散光纤中高强度光脉冲传输与压缩的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
考虑非线性四阶折射率,推导了光脉冲在群色散单模光纤中传输的非线性方程,并得到孤子型解析解.同时指出在Sech型光纤脉冲压缩实验中,光强度的阈值. 相似文献
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本文探讨了用X射线能谱仪(EDS)分析卤化银微晶的空间分辨率和吸收修正问题。对SEM-EDS和STEM-EDS两种不同分析模式的空间分辨率进行计算,表明STEM-EDS是研究单个卤化银微晶内碘的含量及分布的有效方法。并对定量分析数据和吸收修正参数进行了讨论,结果证明微晶不同区域厚度的差异,对碘含量的定量测定的影响可以忽略。 相似文献
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Harame D.L. Comfort J.H. Cressler J.D. Crabbe E.F. Sun J.Y.-C. Meyerson B.S. Tice T. 《Electron Devices, IEEE Transactions on》1995,42(3):455-468
A detailed review of SiGe epitaxial base technology is presented, which chronicles the progression of research from materials deposition through device and integration demonstrations, culminating in the first SiGe integrated circuit application. In part I of this paper, the requirements and processes for high-quality SiGe film preparation are discussed, with emphasis on fundamental principles. A detailed overview of SiGe HBT device design and implications for circuit applications is then presented 相似文献
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