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102.
103.
基于GaN HEMT工艺研制了一款8~12.5 GHz宽带6 bit数字移相器.通过采用优化的宽带拓扑和集总元件,以及在片上集成GaN并行驱动器,提高了移相精度,缩小了芯片的尺寸,减少了控制端数量.测试结果表明,在8~12.5 GHz频带内,全部64个移相状态下,插入损耗小于11 dB,输入回波损耗小于-14 dB,输出回波损耗小于-16 dB,移相均方根误差小于1.8°,幅度变化均方根误差小于0.5 dB.在8 GHz频率下,1 dB压缩点输入功率高达33 dBm.芯片尺寸为5.05 mm×2.00 mm×0.08 mm. 相似文献
104.
提出并实验验证一种级联啁啾光纤光栅反馈半导体激光器产生宽带、无时延混沌激光的方法.在该方法中,级联啁啾光纤光栅的高色散引入不规则的外腔模式,破坏了外腔模式谐振,进而消除混沌信号的时延特征.此外,不规则的外腔模式与激光器内部模式拍频,引入了新的高频振荡,进而增强混沌信号的带宽.对比研究了单个与级联啁啾光纤光栅反馈系统中色... 相似文献
105.
106.
(Bi_2Te_3)_(0.2)(Sb_2Te_3)_(0.8) thermoelectric material was sintered via a field activated and pressure assisted sintering(FAPAS) process.By applying different current intensity(0,60,320 A/cm~2) in the sintering process,the effects of electric current on the microstructure and thermoelectric performance were investigated.This demonstrated that the application of electric current in the sintering process could significantly improve the uniformity and density of(Bi_2Te_3)_(0.2)(Sb_2Te_3)_(0.8) samples.Whe... 相似文献
107.
On the Deembedding Issue of CMOS Multigigahertz Measurements 总被引:1,自引:0,他引:1
Issaoun A. Yong Zhong Xiong Jinglin Shi Brinkhoff J. Fujiang Lin 《Microwave Theory and Techniques》2007,55(9):1813-1823
The purpose of this paper is to address the issues of deembedding multigigahertz CMOS measurements by extensively comparing six popular methods and by proposing a new method based on two-port measurements. The comparison aims to evaluate the maximum applicable frequency of equivalent-circuit methods (open-short, three step, ...) and the effect of the source dangling leg of MOSFETs on the cascade methods (two line and thru). Fifty dummy structures and 12 MOSFETs were fabricated using standard 0.18-mum CMOS technology. It was found that, at low frequencies (<6 GHz), all method results were comparable. The open-short method performed well over the entire frequency range (0.1-40 GHz) studied. The newly developed method, called the thru-short method, uses only two dummy structures, a thru and a short, to completely deembed the parasitics from probe pads, interconnects, and the semiconducting substrate. The measurements validated the thru-short algorithm and showed its usefulness for multigigahertz on-wafer CMOS measurements. 相似文献
108.
通过恒速移动线偏振飞秒激光焦点对非晶硅(a-Si) pin型薄膜太阳电池n型硅膜表面进行绒化刻蚀处理,形成不同周期间隔“凹槽”状结构.采用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对刻蚀后薄膜表面形貌进行了表征,证实了刻蚀区域表面能够诱导晶态多孔微结构形成.比较了飞秒激光刻蚀前后a-Si太阳电池的光电转换效率(η)、开路电压、短路电流密度和填充因子.结果表明,当飞秒激光脉冲能量为0.75 J/cm2、刻蚀周期间隔为15μm时,太阳电池光电转换效率达到14.9%,是未经过激光刻蚀处理电池光电转换效率的1.87倍.同时,反射吸收谱表明,电池表面多孔“光俘获”微结构的形成对其光电转换效率的提高起到了关键作用. 相似文献
109.
介绍了纳米线的研究发展历史、纳米线应用在新型太阳电池上的特点和优势、Si基纳米线结构应用在太阳电池方向的制备方法的研究进展、纳米线作为新型一维平面结构所具有的电学特性和特殊的光学减反特性。重点介绍了国内外对Si基纳米线阵列应用在太阳电池上的研究现状和最新研究进展,同时指出了研究中存在的问题以及今后的研究重点。由于纳米线特殊的载流子分离机制以及显著的光学减反特性,它在提高太阳电池效率、降低成本上仍具有很大潜力,在太阳电池领域的研究中占有重要地位。今后,纳米线太阳电池的研究仍将是国内外研究的热点问题之一。 相似文献
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Wei Qin Dan Ding Jianzhao Liu Wang Zhang Yuan Yong Hu Bin Liu Ben Zhong Tang 《Advanced functional materials》2012,22(4):771-779
Light emission of 2‐(2,6‐bis((E)‐4‐(diphenylamino)styryl)‐4H‐pyran‐4‐ylidene)malononitrile (TPA‐DCM) is weakened by aggregate formation. Attaching tetraphenylethene (TPE) units as terminals to TPA‐DCM dramatically changes its emission behavior: the resulting fluorogen, 2‐(2,6‐bis((E)‐4‐(phenyl(4′‐(1,2,2‐triphenylvinyl)‐[1,1′‐biphenyl]‐4‐yl)amino)styryl)‐4H‐pyran‐4‐ylidene)malononitrile (TPE‐TPA‐DCM), is more emissive in the aggregate state, showing the novel phenomenon of aggregation‐induced emission (AIE). Formulation of TPE‐TPA‐DCM using bovine serum albumin (BSA) as the polymer matrix yields uniformly sized protein nanoparticles (NPs) with high brightness and low cytotoxicity. Applications of the fluorogen‐loaded BSA NPs for in vitro and in vivo far‐red/near‐infrared (FR/NIR) bioimaging are successfully demonstrated using MCF‐7 breast‐cancer cells and a murine hepatoma‐22 (H22)‐tumor‐bearing mouse model, respectively. The AIE‐active fluorogen‐loaded BSA NPs show an excellent cancer cell uptake and a prominent tumor‐targeting ability in vivo due to the enhanced permeability and retention effect. 相似文献