全文获取类型
收费全文 | 124064篇 |
免费 | 5290篇 |
国内免费 | 3945篇 |
专业分类
化学 | 43807篇 |
晶体学 | 1047篇 |
力学 | 8493篇 |
综合类 | 273篇 |
数学 | 34924篇 |
物理学 | 25347篇 |
无线电 | 19408篇 |
出版年
2024年 | 148篇 |
2023年 | 909篇 |
2022年 | 1004篇 |
2021年 | 1318篇 |
2020年 | 1362篇 |
2019年 | 1277篇 |
2018年 | 12643篇 |
2017年 | 12249篇 |
2016年 | 8293篇 |
2015年 | 2467篇 |
2014年 | 2269篇 |
2013年 | 2867篇 |
2012年 | 7142篇 |
2011年 | 14505篇 |
2010年 | 8806篇 |
2009年 | 8761篇 |
2008年 | 9327篇 |
2007年 | 11592篇 |
2006年 | 2198篇 |
2005年 | 3238篇 |
2004年 | 2943篇 |
2003年 | 3258篇 |
2002年 | 2047篇 |
2001年 | 1051篇 |
2000年 | 1145篇 |
1999年 | 1089篇 |
1998年 | 1033篇 |
1997年 | 916篇 |
1996年 | 1065篇 |
1995年 | 805篇 |
1994年 | 706篇 |
1993年 | 632篇 |
1992年 | 559篇 |
1991年 | 472篇 |
1990年 | 372篇 |
1989年 | 298篇 |
1988年 | 247篇 |
1987年 | 218篇 |
1986年 | 214篇 |
1985年 | 177篇 |
1984年 | 143篇 |
1983年 | 103篇 |
1982年 | 87篇 |
1981年 | 76篇 |
1980年 | 67篇 |
1979年 | 64篇 |
1978年 | 57篇 |
1977年 | 43篇 |
1975年 | 50篇 |
1914年 | 45篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 31 毫秒
71.
Dong-Soo Yoon Jae Sung Roh Sung-Man Lee Hong Koo Baik 《Journal of Electronic Materials》2003,32(8):890-898
The effect of a thin RuOx layer formed on the Ru/TiN/doped poly-Si/Si stack structure was compared with that on the RuOx/TiN/doped poly-Si/Si stack structure over the post-deposition annealing temperature ranges of 450–600°C. The Ru/TiN/poly-Si/Si
contact system exhibited linear behavior at forward bias with a small increase in the total resistance up to 600°C. The RuOx/TiN/poly-Si/Si contact system exhibited nonlinear characteristics under forward bias at 450°C, which is attributed to no
formation of a thin RuOx layer at the RuOx surface and porous-amorphous microstructure. In the former case, the addition of oxygen at the surface layer of the Ru film
by pre-annealing leads to the formation of a thin RuOx layer and chemically strong Ru-O bonds. This results from the retardation of oxygen diffusion caused by the discontinuity
of diffusion paths. In particular, the RuOx layer in a nonstoichiometric state is changed to the RuO2-crystalline phase in a stoichiometric state after post-deposition annealing; this phase can act as an oxygen-capture layer.
Therefore, it appears that the electrical properties of the Ru/TiN/poly-Si/Si contact system are better than those of the
RuOx/TiN/poly-Si/Si contact system. 相似文献
72.
73.
Weian Huang Fuhrmann D.R. Politte D.G. Thomas L.J. Jr. States D.J. 《IEEE transactions on bio-medical engineering》1998,45(4):422-428
In four-color fluorescence-based automated DNA sequencing, a 4×4 filter matrix parameterizes the relationship between the dye-intensity signals of interest and the data collected by an optical imaging system. The filter matrix is important because the estimated DNA sequence is based on the dye intensities that can only be recovered via inversion of the matrix. Here, the authors present a calibration method for the estimation of the columns of this matrix, using data generated through a special experiment in which DNA samples are labeled with only one fluorescent dye at a time. Simulations and applications of the method to real data are provided, with promising results 相似文献
74.
一种新颖的表面等离子谐振效应光波导水质传感技术 总被引:4,自引:0,他引:4
光学表面等离子谐振(SPR)效应是一种很有效的水质检测技术,经过详细的理论推导,同了SPR反射光强的普遍适用公式。在纯水与受污染水两种情况下,根据一些已知参数计算出结果。由计算结果数据一出的曲线比较表明,SPR效应在两种情况下有明显差别,这也正是SPR效应用于水质检测的理论根据。 相似文献
75.
超临界流体色谱流程设计及其应用 总被引:1,自引:1,他引:0
本文设计了多功能超临界流体色谱流程,流程中包括毛细管/微填充柱SFC,GC,计算机控制温度、压力、密度及信号采集、处理,配置有超临界流体萃取池,解决了超临界流体色谱分流口易堵问题。利用该流程,将石腊、DC-200气相色谱固定相、黄油、蜂蜡、救心油、红花油等样品进行超临界流体色谱分离。 相似文献
76.
Ting Gang Zhu Uttiya Chowdhury Michael M. Wong Jonathan C. Denyszyn Russell D. Dupuis 《Journal of Electronic Materials》2002,31(5):406-410
In this paper, we report the study of the electrical characteristics of GaN and AlGaN vertical p-i-n junctions and Schottky
rectifiers grown on both sapphire and SiC substrates by metal-organic chemical-vapor deposition. For GaN p-i-n rectifiers
grown on SiC with a relatively thin “i” region of 2 μm, a breakdown voltage over 400 V, and forward voltage as low as 4.5
V at 100 A/cm2 are exhibited for a 60-μm-diameter device. A GaN Schottky diode with a 2-μm-thick undoped layer exhibits a blocking voltage
in excess of ∼230 V at a reverse-leakage current density below 1 mA/cm2, and a forward-voltage drop of 3.5 V at a current density of 100 A/cm2. It has been found that with the same device structure and process approach, the leakage current of a device grown on a SiC
substrate is much lower than a device grown on a sapphire substrate. The use of Mg ion implantation for p-guard rings as planar-edge
terminations in mesageometry GaN Schottky rectifiers has also been studied. 相似文献
77.
78.
玻璃陶瓷材料中Tm3+离子红外到蓝色上转换发光 总被引:4,自引:0,他引:4
系统研究了PbF2+GeO2+WO3ⅩⅣTmF3玻璃陶瓷材料中,在近红外光(1.06μm)激发下,Tm3+离子的发光特性.实验中观测到Tm3+离子的两组峰值位置分别在20920cm-1和22173cm-1的蓝色上转换发光,并证实这两组上转换发光分别与吸收三个和四个光子有关,同时建立了上转换发光的模型.为了选择最佳掺杂浓度,详细地测量了Tm3+离子峰值为20920cm-1的蓝色上转换发光强度与TmF3浓度的关系. 相似文献
79.
对由一类非线性抛物型变分不等方程所描述的无穷维动力系统,给出了存在全局吸引子及弱近似惯性流形的充分条件. 相似文献
80.
L-Quebrachitol (1) isolated from the root of Elaeagnus formosana Nakai (Elaeagnaceae) has not been reported before for any species of the genus of Elaeasnus. Its structure was established from spectral data and was completely characterized by single-crystal X-ray analysis. L-Quebrachitol crystallizes in the monoclinic system, space group P21, with cell parameters are a = 6.702(4), b = 7.207(4), c = 8.758(5) Å, β = 90.24(5)° and Z = 2. 相似文献