IC卡在电信领域的应用模式

本文列举了ＩＣ卡在电信领域及一些国家和地区的应用之后，给出了国际ＩＣ卡的应用发展模式，以供有关部门参考。     

新型可调剪切差平行分束偏光器设计

本文给出了一种新型可调的切差平行分束偏光器设计。它调节方便,可获得较大平行分束剪切差,并可一镜多用     

基于矩的异分辨率图象边界检测

（１）本文引入仿射变换，提出了一种用矩算子以民分辨率图象直接进行边界检测的方法，利用同分辨率图象正方形窗口的模板行矩的计算，推导出了相应用的边界参数公式。（２）本文提出一种隐线笥插值矩计算方法，得到一组与正方形窗口对应的正方形模板，避免了费时的预插值过程，（３）对本文提出的方法进行了实验验证，并给出了实验结果。     

YAG脉冲激光器快速连通保护系统

本文阐述了ＹＡＧ脉冲激光器的一种快速连通保护系统，利用大功率二极管作为连通故障信号检出的关键元件，采用了可控硅与继电器双重保护，使得整个保护系统既快速可靠，又简便适用。     

奇点理论浅引

本文是奇点理论的非正式的介绍。主要内容包括奇点分类与奇点拓扑的基本问题与结果。特别突出了简单奇点的券的性质及其与Ｌｉｅ代数的关系。本文的目的在于引起读者对一分支的兴趣。     

Patterned uniformly orientated silicon nanocrystallite films and efficient field emission characteristics

Patterned uniformly (100)-orientated silicon nanocrystallite (SiNC) films were fabricated based on hydrogen ion implantation technique and typical electrochemical anodic etching method. The surface morphology and microstructure characteristics of the films were characterized by scanning electron microscopy, transmission electron microscopy, X-ray diffraction, and atomic force microscopy. The efficient field emission with low turn-on field of about 3.2 V/μm at current density of 0.1 μA/cm² was obtained. The emission current density from the SiNC films reached 1 mA/cm² under a bias field of about 11 V/μm. The experimental results demonstrate that the SiNC films have great potential applications for flat panel displays.     

Polaron effects on third-harmonic generation in cylindrical quantum-well wires

Polaron effects on third-harmonic generation (THG) in cylindrical quantum wires with a finite confining potential are investigated. The THG coefficient is obtained by using the compact-density-matrix approach and an iterative method, and the numerical results are presented for GaAs/AlAs cylindrical quantum wires. The results show that the THG coefficient is greatly enhanced and the peak shift to the aspect of high energy when considering the influence of electron-phonon interaction.     

大规模集成电路浮栅ROM器件总剂量辐射效应

提出了一种大规模集成电路总剂量效应测试方法:在监测器件和电路功能参数的同时,监测器件功耗电流的变化情况,分析数据错误和器件功耗电流与辐射总剂量的关系.根据该方法利用60Co γ射线进行了浮栅ROM集成电路(AT29C256)总剂量辐照实验,研究了功耗电流和出错数量在不同γ射线剂量率辐照下的总剂量效应,以及参数失效与功能失效时间随辐射剂量率的变化关系,并利用外推实验技术预估了电路在空间低剂量率环境下的失效时间.     

位错芯重构缺陷对于Si中位错运动的影响

为了研究晶格常数不匹配的异质结SiGe/Si生长过程中低温缓冲层内缺陷对位错运动的影响,使用位错偶极子模型在Si晶体内建立了一对30°部分位错,和导致30°部分位错运动的弯结结构,以及位错芯重构缺陷(RD)与弯结组合而生成的弯结-RD结构.通过分子动力学模拟,使用Parrnello-Rahmman方法施加剪应力促使位错运动,得到了左右弯结-RD结构在迁移过程中的8种稳定构型,并且使用NEB方法和紧束缚势计算了纯弯结和弯结-RD迁移过程中势垒高度,发现弯结-RD的迁移能力要高于纯弯结结构.从模拟结果推断出,低温层生长技术中的Si低温缓冲层由于低温限制了重构缺陷的运动,减少其相遇发生湮灭的概率,从而使得更多的弯结能够与重构缺陷结合生成弯结-RD结构来提高30°部分位错的运动能力,由此释放异质结结构失配应力所需的位错密度会随之减小.