基于ZBLANⅩⅣPr,Yb频率上转换发光的三维立体显示

本文对利用ZBLANⅩⅣPr,Yb频率上转换发光的三维立体显示做了研究,探讨了其中的一些物理问题.在实验中,我们利用Yb³⁺离子敏化的方法提高Pr³⁺的上转换发光效率;通过降低能引起单频上转换发光的激光强度来提高寻址点和非寻址点在显示过程中的对比度.     

Global Smooth Solutions of the Equations of a Viscous,Heat - Conducting,One - Dimensional Gas with Density - Dependent Viscosity

We consider initial boundary value problems for the equations of the one-dimensional motion of a viscous, heat-conducting gas with density-dependent viscosity that decreases (to zero) with decreasing density. We prove that if the viscosity does not decrease to zero too rapidly, then smooth solutions exist globally in time.     

红外目标精跟踪方法的研究

本文提出了一种直接把红外前视传感器的输出作为测量值来跟踪红外目标的扩展型卡尔曼滤波跟踪算法。在滤波处理时,设置可变的测量矩阵,其目的在于提高运算速度和抑制噪声干扰。通过具体的实例,对所提跟踪算法的特点和有效性进行了细致的分析。     

气流式加速度传感器的敏感机理

介绍了在研制气流式加速度传感器过程中，为对气流式加速度传感器进行建模，作者对气流式加速度传感器的工作机理进行了理论性探讨。在分析过程中以流体力学、传热学和惯性理论为基础并结合实验结果，建立了适合于气流式加速度传感器的气体运动方程和能量方程。同时还讨论了热线测量加速度的方法及根据实验分析了输入加速度对腔体内温度及传感器输出电压的影响，从而为进一步研究一系列气流式传感器的工作机理提供了方法。     

一种漂移室定位子性能反常现象的研究

研究了一种漂移室定位子性能的反常现象,它关系到定位子的使用寿命．着重测量了暗电流和随机噪声与时间、高压及温度的关系.     

155Mb／s时分光交换系统

本文介绍了国内第一个１５５Ｍｂ／ｓ时分光交换实验系统。系统以新型半导体光器件－半导体光开关门为核心构成，传输速度为１５５Ｍｂ／ｓ。     

用Josephson结电子模拟器测量磁通量子2e/h

介绍用Josephson结电子模拟器在政党温度下，模拟测量磁通量子2e/h，用模拟器来研究Josephosn结的特性。该实验可作为普通物理实验中课题设计实验的一个内容。     

三种胺羧配合物的113Cd NMR研究

该文对Cd-HEDTA(N-(2-羟基乙基)乙二胺-N',N',N'-三乙酸),Cd-PDTA(1,2丙二胺四乙酸)和Cd-DTPA(二乙三胺五乙酸)的¹¹³Cd NMR谱和自旋晶格弛豫时间T₁,及NOE因子进行了研究.结果表明,Cd-HEDTA和Cd-PDTA结构与Cd-EDTA类似,Cd-PDTA双线归因于其可能的两种异构体.Cd-DTPA大的化学位移表明其具有七配位的五角双锥结构.在这种结构中DTPA可用三个氮原子参加配位.对¹¹³Cd自旋晶格弛豫时间分析表明,Cd-DTPA配合物中质子偶极作用机理的贡献较大,这归因于Cd DTPA有更多的乙酸根亚甲基质子参与偶极作用.     

Self-aligned offset gated poly-Si TFTs with a floating sub-gate

We have fabricated a self-aligned offset-gated poly-Si thin film transistor (TFT) by employing a novel photoresist reflow process. The gate structure of the new device is consisted of two unique patterns: A main-gate and a sub-gate. The new fabrication method extends the gate-oxide over the offset region. With the assistance of the sub-gate and reflowed photoresist a self-aligned offset region is successfully obtained due to the offset oxide acting as an implantation mask. The poly-Si TFT with symmetrical offsets is easily fabricated and the new method does not require any additional offset mask step. Compared with the misaligned offset gated poly-Si TFTs, excellent symmetric electrical characteristics are obtained