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111.
112.
负关联噪声驱动下单模激光的定态分析 总被引:2,自引:1,他引:1
研究了负关联的加法和乘法高斯白噪声驱动下单模激光损失模型的定态情况。文中推导了负关联情况下,定态时的激光场幅的几率分布,光强的平均值,光强的协方差以及光强的偏斜率。并和文献〔1,2〕中正关联时的定态分析作了比较,发现了有意义的新现象。 相似文献
113.
脉冲离散效应对光纤中基于交叉相位调制的脉冲压缩的影响 总被引:4,自引:1,他引:3
通过数值模拟,分析了脉冲离散效应对单模光纤正群速色区基于暗孤子交叉不相位调制的脉冲压缩的影响,并提出了减轻这种影响的办法,作者发现,即使暗孤子与被压缩脉冲的中心波长相差很小,离散效应对脉冲压缩的影响也很大,离散效应不仅导致脉冲压缩比的减小和压缩后脉冲峰值功率的降低,而且还导致脉冲压缩所需最佳光纤长度的增加以及压缩后的脉冲呈现不对称性,还发现,若采取本文提出了的非同步耦合法,则可以明显地弥补离散效应 相似文献
114.
115.
地方时与区时在电离层研究中的差异 总被引:2,自引:0,他引:2
本文指出混淆地时与区时两个时间概念在电离层研究中带来的差异的严重性,建议使用地方与区时这两个名词,而抛弃“本地时”和“当地时”等容易引起混淆的名词。 相似文献
116.
对名义组份为(Bi_(1-x),M_x)Sr_2YCu_2O_y(x=0.6—0.7)的样品,当M=Cd,Ni和Zn时合成了Bi-1212相材料,实验发现Cd占据Bi位,可以稳定单BiO层,高压氧下退火,在32K出现超导转变,而Zn和Ni进入CuO平面,占据Cu位,破坏了材料的超导电性。用Cd稳定单BiO层还能够合成Bi-1222相化合物,它的固溶范围比Bi-1212大,对这一现像进行了结构上的分析。在不同氧压退火处理下的Bi-1222相样品,电阻随氧压增大而变小,但在4.2K以上未观察到超导转变。
关键词: 相似文献
117.
Cao Cewen 《数学学报(英文版)》1990,6(1):35-41
Harry-Dym's equation (HD)
is well-known for its cusp soliton solutions. In this paper, relations are revealed between HD and a completely integrable Hamiltonian system in Liouville sense given by
相似文献
118.
An image-processing method called measurement-dependent filtering has been introduced to improve the SNR (signal-to-noise ratio) of selective images produced by various medical imaging systems. The basic algorithm involves the combination of the low-frequency information of the selective image with the high-frequency information of a nonselective image. A spatially variant control function modulates the amount of high frequency to be added at each point. A least-mean-square (LMS) control function formed from two basis images, namely the high-passed versions of the nonselective image (M(b)) and the selective image (S(b)), is introduced. The original algorithm is now viewed as a two-stage filtering method, including the low-pass filtering noise reduction and least squares filtering for the edge restoration. An appropriate linear transformation is used to convert the original basis images M(b) and S(b) into a new pair with orthogonal noise. This allows the implementation of the LMS and control function with practically obtainable a priori knowledge. 相似文献
119.
本文评述了单晶CoSi_2和NiSi_2的结构特点、各种制备方法、器件应用和发展前景。采用分子束外延(MBE)和“内延”法(Mesotaxy)制备的单晶硅化物质量,电学性能和热稳定性较好。由于首次得到理想的突变的金属——半导体接触,使对金属——半导体接触的理论分析成为可能。硅/单晶硅化物/硅结构在实际应用中非常重要,如单晶硅化物作集电极埋层,能降低集电极串联电阻,克服重掺杂埋层的横扩和自掺杂问题,提高了电路工作速度,减小了器件面积。埋层硅化物也可作为微波传输线的地线,是实现高频集成电路互连的好方法。而采用该结构制备的高速器件——金属基区晶体管(MBT)和穿透基区晶体管(PBT),具有很好的应用前景。 相似文献
120.
以典型的轻希土镧和重希土镝及碱土金属锶作为A位离子,以过渡金属锰、铁、钴、镍作为B位离子,合成了K2NiF4型结构的A2-xSrxBO4希土复合氧化物,采用粉末X射线衍射技术考察了反应条件等因素对生成K2NiF4型四方(T)结构上析影响,实现结果表明,四方结构的形成不仅与几何因素有关,而且与各组分的物理化学性质有关。各个不同的组成,生成四方相的温度范围也有所不同。适当地提高反应温度以及延长灼烧时间 相似文献
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