双稳态孤子

对于具有一定形式非线性的薛定谔方程，存在单孤子解的多稳态，也就是说对于相同能量，单孤子具有不同的传输常数．本文以一非线住形式Ｌｉｎｅａｒ　Ｓｍｏｏｔｈ　Ｓｔｅｐ（ＬＳＳ）函数为例，对孤子的双稳态进行理论分析，并对其双稳态的光学转换进行数值模拟．     

The Geometric Construction of WZW Effective Action in Noncommutative Manifold

By constructing close-one-cochain density Ω^12n in the gauge group space we get the Wess-Zumino-Witten (WZW) effective Lagrangian on high-dimensional noncommutative space.Especially consistent anomalies derived from this WZW effective action in noncommutative four-dimensional space coincide with those obtained by L.Bonora etc.(het-th/0002210).     

激光调Q CAI

从激光调Q速率方程出发,分析推导了激光调Q过程中,腔内光子数与工作物质内反转粒子数间的关系.再根据激光调Q的过程中,对腔Q值控制方式不同,将激光调Q技术分为:转镜调Q、声光调Q、电光调Q、饱和吸收调Q和脉冲透射式调Q.用C语言进行了激光调Q CAI软件的开发研制,获得了将文学、图形、动画和计算融为一体的,直观而生动地将调Q的理论和过程再现于屏幕的CAI课件.介绍了课件的内容、结构及其特点.     

无线电测控系统中三元码跟踪双环的研究

本文提出了数字遥测信号与模拟图象信与混合的无线电测控系统中用于捕获和跟踪带钟复合码的跟踪双环方案，分析了双环系统的捕获性能，理论分析和实验结果表明，双环系统不仅捕获时间短，而且具有强的抗干扰能力。     

2—（4,6—二甲基—2—嘧啶巯基）乙酰芳胺的合成及其生物活性的初步研究

许多乙酰芳胺类化合物具有优异的生物活性，例如除草剂苯噻草胺，可抑制细胞生长和分裂，防除稻田中禾本科杂草［１］；杀菌剂甲霜灵可防治作物霜霉病［２］。本文将具有多种生物活性的嘧啶基团引入到乙酰芳胺结构中［３］，合成下列１０个未见文献报道的标题化合物Ⅰ，通...     

Novel technique for SiO2 formed by liquid-phasedeposition for low-temperature processed polysilicon TFT

A technique for SiO₂ formation by liquid-phase deposition (LPD) at nearly room temperature for low-temperature processed (LTP) polysilicon thin-film transistor (poly-Si TFT) was developed. LPD SiO₂ film with a lower P-etch rate shows a dense structure. LPD SiO₂ also exhibits good electrical characteristics. LTP poly-Si thin-film transistors (TFTs) with LPD SiO ₂ as the gate insulator have been fabricated and investigated. Their characteristics indicate performance adequate for their use as pixel transistors in liquid crystal displays (LCDs)     

关于多正解问题的某些研究

本文以ｆｐ 同伦方法为工具，借助于一些适当的变换，研究有序的（Ｂ）空间中的集值映象方程的多正解问题；在文中的有关工作中，还使用了集值映象的拟导数的某些性质．     

线状锗等离子体X射线线谱的时间分辨测量

用自行研制的X射线条纹晶体谱仪首次测量了线状锗等离子体的X射线时间分辨谱。给出了类Ne-锗L线共振线的时间演化过程,并用类Ne-锗L线共振线与其双电子俘获伴线的相对强度比粗估了锗等离子体的电子温度及其随时间的变化,实验给出了X光激光增益区介质的电子温度为400～760eV,同时给出了电子温度保持相对恒定的时间不小于90ps(电子温度变化小于2％)。     

低压铝箔交流腐蚀研究

在３０Ｈｚ频率下，通过铝箔在ＨＣｌ＋Ｈ２ＳＯ４＋ＨＮＯ３＋Ｈ３ＰＯ４体系中的交流腐蚀，研究腐蚀液组成中腐蚀主体及缓蚀剂对铝箔腐蚀的作用，探讨腐蚀过程中电源频率、腐蚀液温度、电流密度及腐蚀时间对铝箔腐蚀的影响。腐蚀液组成的配比恰当，有利于比容的提高。在特定的频率下采用合适的腐蚀液温度、适宜的电流密度和腐蚀时间可以提高铝箔的静电容量。