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81.
82.
正向设计了一种适合于听觉神经刺激的可编程双相恒流脉冲发生器,它可根据耳聋患者的要求和不同的语音信号,控制刺激电流脉冲的幅度和宽度,以及脉冲之间的间隙。本文阐述了电路的设计要求和方法,并给出了实验结果。采用标准3μmp阱CMOS工艺,在上海贝岭微电子制造有限公司流片。目前已成功地用于多道人工电子耳蜗接收刺激器中。 相似文献
83.
采用从头计算方法,计算了反式和顺式聚乙炔的氢原子在垂直于聚乙炔分子面方向振动的红外光谱,计算表明,Gibson等用红外吸收实验所测得的谱线的确是聚乙炔的CH面外振动产生的谱线,经100℃长时间加热后,顺式聚乙炔变为反式聚炔,但波数为740cm^-1的谱级仍保留5%的强度。 相似文献
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85.
Jau-Jiun Chen Soohwan Jang F. Ren Yuanjie Li Hyun-Sik Kim D. P. Norton S. J. Pearton A. Osinsky S. N. G. Chu J. F. Weaver 《Journal of Electronic Materials》2006,35(4):516-519
Wet etch rates at 25°C for Zn0.9Mg0.1O grown on sapphire substrates by pulsed laser deposition (PLD) were in the range 300–1100 nm · min−1 with HCl/H2O (5×10−3−2×10−2 M) and 120–300 nm · min−1 with H3PO4/H2O (5×10−3−2×10−2 M). Both of these dilute mixtures exhibited diffusion-limited etching, with thermal activation energies of 2–3 kCal · mol−1. By sharp contrast, the etch rates for ZnO also grown on sapphire by PLD were much slower in similar solutions, with rates
of 1.2–50 nm · min−1 in HCl/H2O (0.01–1.2 M) and 12–54 nm · min−1 in H3PO4/H2O (0.02–0.15 M). The etching was reaction limited over the temperature range 25–75°C, with activation energies close to 6
kCal · mol−1. The resulting selectivity of Zn0.9Mg0.1O over ZnO can be a high as ∼400 with HCl and ∼30 with H3PO4. 相似文献
86.
Fabrication and characteristics of high-speed implant-confined index-guided lateral-current 850-nm vertical cavity surface-emitting lasers 总被引:2,自引:0,他引:2
Dang G.T. Mehandru R. Luo B. Ren F. Hobson W.S. Lopata J. Tayahi M. Chu S.N.G. Pearton S.J. Chang W. Shen H. 《Lightwave Technology, Journal of》2003,21(4):1020-1031
Process technology of high-speed implant-apertured index-guide lateral-current-injection top dielectric-mirror quantum-well 850-nm vertical cavity surface-emitting lasers (VCSELs) has been developed. Oxygen and helium implantation for aperture definition and extrinsic capacitance reduction, dielectric mirror formation, p- and n-ohmic contact formation, VCSEL resistance, and thermal analysis were investigated. Employing this technology, GaAs/AlGaAs-based 850-nm VCSELs with small signal modulation bandwidths up to 11.5 Gb/s and an eye diagram generated at 12 Gb/s by a pseudorandom bit sequence of 2/sup 31/-1 were achieved. The bit-error rates were below 10/sup -13/. The threshold current is as low as 0.8 mA for 7-/spl mu/m-diameter current apertures and typical slope efficiencies of 0.45-0.5 mA/mW were obtained. 相似文献
87.
本文综合应用因素空间、信息系统和重于关系的方法,讨论了概念的内涵表示及其他有关问题。特别是,对在描述概念问题中不同于内涵和外延的第三种方法,即典型示范表示做了进一步的分析。 相似文献
88.
Lenglart不等式与特殊半鞅的收敛集 总被引:3,自引:1,他引:2
本文讨论局部鞅和特殊半鞅的收敛集。我们给出Lenglart不等式的一个推广形式,利用这一不等式对一些定理给出了简单证明,对一些结果作了改进和推广。 相似文献
89.
该文通过构造特殊形式的有效集来逼近KKT点处的有效集,给出了一个任意初始点下的序列线性方程组新算法,并证明了该算法在没有严格互补松驰条件的情况下具有全局收敛性和一步超线性收敛性。
相似文献
90.
We prove that the quasi continuous version of a functional in Epr is continuous along the sample paths of the Dirichlet process provided that p>2, 0<r?1 and pr>2, without assuming the Meyer equivalence. Parallel results for multi-parameter processes are also obtained. Moreover, for 1<p<2, we prove that a n parameter Dirichlet process does not touch a set of (p,2n)-zero capacity. As an example, we also study the quasi-everywhere existence of the local times of martingales on path space. 相似文献