Optimal conclusive teleportation of a d-dimensional two-particle unknown quantum state

A conclusive teleportation protocol of a d-dimensional two-particle unknown quantum state using three d- dimensional particles in an arbitrary pure state is proposed. A sender teleports the unknown state conclusively to a receiver by using the positive operator valued measure（POVM） and introducing an ancillary qudit to perform the generalized Bell basis measurement, We calculate the optimal teleportation fidelity. We also discuss and analyse the reason why the information on the teleported state is lost in the course of the protocol,     

改进的用于半导体器件综合系统的遗传算法

本文对应用于器件综合系统的遗传算法GENOCOP进行了改进.将实数设计空间根据参数的工艺精度影响转换为整型空间,并加入适应性复合算子利用已经得到的点来扩展和开发准可行空间.使其保持有效搜索到可行解的特性的同时,在同等的算法设置下,提高了对可行空间的覆盖率(约2.87倍),可以帮助设计人员更有效的设计可工作的器件.     

利用电阻场板提高SOI-LIGBT的性能

通过在SOI-LIGBT中引入电阻场板和一个p-MOSFET结构,IGBT的性能得以大幅提高.p-MOSFET的栅信号由电阻场板分压得到.在IGBT关断过程中,p-MOSFET将被开启,作为阳极短路结构起作用,从而使漂移区的过剩载流子迅速消失,IGBT快速关断.而且由于电场受到电阻场板的影响,使得过剩载流子能沿着一个更宽的通道流过漂移区,几乎消去了普通SOI-LIGBT由于衬偏造成的关断的第二阶段.这两个因素使得新结构的关断时间大大减少.在IGBT的开启状态,由于p-MOSFET不导通,因此器件的开启特性几乎与普通器件一致.模拟结果表明,新结构至少能增加25%的耐压,减少65%的关断时间.     

基于Intel 87c196kc的某机载设备随动系统数字控制器的实现

介绍了某机载光电设备随动系统控制器的设计与实现。该控制器是基于Intel公司87c196kc的数字控制器，设计中充分利用了87c196kc较强的运算能力及其它片内功能，使得控制器设计简捷、调整灵活、体积小，提高了系统的可靠性。     

Existence and multiplicity of solutions for a nonlinear Neumann problem

We consider a Neumann problem of the type -εΔu+F ^′(u(x))=0 in an open bounded subset Ω of R ⁿ , where F is a real function which has exactly k maximum points. Using Morse theory we find that, for ε suitably small, there are at least 2k nontrivial solutions of the problem and we give some qualitative information about them. Received: October 30, 1999 Published online: December 19, 2001     

Low-loss high power RF switching using multifinger AlGaN/GaN MOSHFETs

We demonstrate a novel RF switch based on a multifinger AlGaN/GaN MOSHFET. Record high saturation current and breakdown voltage, extremely low gate leakage current and low gate capacitance of the III-N MOSHFETs make them excellent active elements for RF switching. Using a single element test circuit with 1-mm wide multifinger MOSHFET we achieved 0.27 dB insertion loss and more than 40 dB isolation. These parameters can be further improved by impedance matching and by using submicron gate devices. The maximum switching power extrapolated from the results for 1A/mm 100 /spl mu/m wide device exceeds 40 W for a 1-mm wide 2-A/mm MOSHFET.     

强化自动控制系统课程实践环节的搜索

介绍了利用科研项目和科研成果，将最新技术与成果向实践性环节转化，开设高水平系列化的综合型，设计型实验的一些做法，并总结了科研成果向实践性环节转化过程中的一些社会。     

碳掺杂β-FeSi2薄膜的电子显微学研究

本文利用透射电子显微镜对离子注入合成的β-FeSi2和β-Fe(C,Si)2薄膜进行了对比研究.电镜观察结果表明,选择C作为掺杂元素,能够得到界面平直、厚度均一的高质量β相薄膜,晶粒得到细化,β-FeSi2层稳定性提高.尤其在60kV、4×1017ions/cm2条件下注入直接形成非晶,在退火后会晶化为界面平滑、厚度均匀的β-FeSi2薄膜.因此从微结构角度考虑,引入C离子有益于提高β-FeSi2薄膜的质量.     

垂直腔激光器中弛豫振荡频率的优化控制

从垂直腔面发射的半导体激光器（VCSELs）的结构出发，利用增益与载流子密度的广义对数关系，借助小信号分析法，推出了直接调制情形下驰豫振荡频率的严格解析关系。分析指出，量子阱器件的光子寿命并非越短越好，欲提高VCSELs的驰豫振荡频率，除了增加注入电流，提高微分增益等基本途径外，控制器件的结构参数可使驰豫振荡频率达到极大值。同时，自发辐射因子的可控性，以及降低稳态载流子密度，也都是提高VCSELs驰豫振荡频率和拓宽调制带宽的有效措施。     

线性规划问题的一种新的摄动法

在用单纯形方法解线性规划的问题时，不可避免会出现退化情况，而某些退化情况会导致循环。目前采用的避免循环的方法一共有两类：传统的摄动法（字典序）和Bland方法。本分析了传统摄动法的一些不足，给出了一种新的摄动法。