全文获取类型
收费全文 | 53791篇 |
免费 | 8871篇 |
国内免费 | 7087篇 |
专业分类
化学 | 28857篇 |
晶体学 | 620篇 |
力学 | 2088篇 |
综合类 | 442篇 |
数学 | 4251篇 |
物理学 | 14760篇 |
无线电 | 18731篇 |
出版年
2024年 | 242篇 |
2023年 | 1225篇 |
2022年 | 1779篇 |
2021年 | 2150篇 |
2020年 | 2073篇 |
2019年 | 2057篇 |
2018年 | 1826篇 |
2017年 | 1922篇 |
2016年 | 2416篇 |
2015年 | 2731篇 |
2014年 | 3337篇 |
2013年 | 4059篇 |
2012年 | 4923篇 |
2011年 | 4890篇 |
2010年 | 3867篇 |
2009年 | 3866篇 |
2008年 | 3968篇 |
2007年 | 3561篇 |
2006年 | 3319篇 |
2005年 | 2687篇 |
2004年 | 2008篇 |
2003年 | 1623篇 |
2002年 | 1494篇 |
2001年 | 1284篇 |
2000年 | 1086篇 |
1999年 | 956篇 |
1998年 | 674篇 |
1997年 | 581篇 |
1996年 | 512篇 |
1995年 | 455篇 |
1994年 | 428篇 |
1993年 | 311篇 |
1992年 | 280篇 |
1991年 | 243篇 |
1990年 | 205篇 |
1989年 | 147篇 |
1988年 | 120篇 |
1987年 | 80篇 |
1986年 | 86篇 |
1985年 | 77篇 |
1984年 | 44篇 |
1983年 | 36篇 |
1982年 | 33篇 |
1981年 | 16篇 |
1980年 | 9篇 |
1979年 | 12篇 |
1978年 | 6篇 |
1974年 | 5篇 |
1957年 | 6篇 |
1936年 | 5篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
71.
电子电路中抗EMI设计 总被引:3,自引:0,他引:3
电磁干扰(EMI)可分为传导干扰和辐射干扰,消除干扰的方法可以采用硬件方法和软件方法,硬件方法主要有屏蔽、接地、隔离和滤波等,而软件方法主要是滤波。笔者对各种方法进行总结,并指出各种方法所存在的问题以及适用场合,并对一些常用方法提出改进措施。 相似文献
72.
电路过渡过程所列方程是微分方程,本文中采用的是方框图模型分析法,即将微分方程的复杂示解分解成最基本的加(减)、乘(除)、积分(微分)、增益等运算,采用VB设计用户界面产进行计算,并给出了一算例。 相似文献
73.
The electronics industry is highly competitive. The introduction of new advanced integrated circuits continues. The manufacturer must develop a product with adequate life cycle, high quality and low failure rate in the specified time period. Environmental stress screening (ESS) is widely used in the electronics industry to assist in eliminating early or patent failures. The bathtub curve is a common model for the failure rate of a population. The classic bathtub curve has three parts: infant mortality; useful life; and wearout. However, some electronic products have latent defects which are not detected by conventional inspection or functional testing, and occur during the product useful life. Most electronic systems have finite useful life. As a result, technology obsolescence is of concern and should be considered, This paper uses a new interpretation and development of the bathtub curve that integrates: (1) latent failures; and (2) the concept of obsolescence, by constructing an integrated cost model used to determine both optimal burn-in and ESS times in the same environment 相似文献
74.
WANG Zhong HONG Haitao XIAO Hai SUN Changku MENG Yan YE Shenghua 《Chinese Journal of Lasers》1997,6(5):435-440
1.IntroductionAbsolutedistancemeasurementisfarfromanewtopic.However,itisstillafieldstimulatinggreatinterestsnowadaysduetoitSimportantroleinmanufacturingandassembly['J.SincethegreatsuccessachievedbyMichelsonandBenoitwhentheyfirstdevelopedaninterferometertodeterminethestandardmeterintermsofthemonochromaticredcadmiumline,theopticinterferometerhasbeenprovedtobeoneofthemostpreciseandefficientwayindisplacementmeasurementbecauseofitshighdiscriminationandsimplestructure.However,thetraditionalinterfe… 相似文献
75.
76.
本文报导了最近研制成功的用于提高国产氩离子激光器相干长度的相干扩展器。利用这种基于F-P理论的相干扩展器可以使国产氩离子激光器的相干长度由不足5cm一下提高到m的量级,功率损耗在25%~40%之间,有着很好的应用前景。 相似文献
77.
采用化学自燃烧法制备了不同Ag+掺杂浓度的Y2O3:Eu纳米晶体粉末样品([Y3+]∶[Eu3+]∶[Ag+]=99∶1∶X,X=0—3.5×10-2),以及通过退火处理得到了相应的体材料.根据X射线衍射谱确定所得纳米和体材料样品均为纯立方相.实验表明在纳米尺寸样品中随着Ag离子浓度的增加,荧光发射强度随之增加,当X=2×10-2时达到最大值,其发光强度比X=0时提高了近50%.当Ag离子浓度继续增加,样品发光强度保持不变.在相应的体材料样品中则没有观察到此现象.通过对各样品的发射光谱,激发光谱,X射线衍射图谱,透射电镜(TEM)照片和荧光衰减曲线的研究,分析了引起纳米样品荧光强度变化的原因是由于Ag离子与表面悬键氧结合,从而使这一无辐射通道阻断,使发光中心Eu3+的量子效率提高;Ag+的引入所带来的另一个效应是使激发更为有效.这两方面原因使发光效率得到了提高. 相似文献
78.
本文用密度泛函理论(DFT)的总能计算研究了一氧化碳和氢原子在Ni(111)表面上p(2×2)共吸附系统的原子结构和电子态,结果表明CO和H原子分别被吸附于两个对角p(1×1)元胞的hcp和fcc位置.以氢分子和CO分子作为能量参考点,总吸附能为2.81 eV,相应的共吸附表面功函数φ为6.28 eV.计算得到的C—O,C—Ni和H—Ni的键长分别是1.19?, 1.96?和 1.71?,并且CO分子以C原子处于hcp的谷位与金属衬底原子结合.衬底Ni(111)的最外两层的晶面间距在吸附后的相对变化分别是
关键词:
Fisher-Tropsch反应
催化作用
Ni(111) p(2×2)/(CO+H)
共吸附 相似文献
79.
采用密度泛函方法(B3P86)对 Fe_2分子结构进行了优化.计算结果中未观察到自旋污染,基态波函数与高态波函数并未混杂,结果表明,Fe_2中有8个未配对电子,这些电子空间分布不同和自旋平行产生的自旋极化效应,使 Fe_2能量最低.计算结果表明,Fe_2分子的基态是~9∑_g~ ,并非~7Δ_u,进而表明 Fe_2的自旋平行效应比电子自旋配对效应要强.计算得到该分子基态的二阶、三阶和四阶力常数分别为1.4115×10~(-2)aJ/nm~2、-37.1751×10~3aJ/nm~3和 98.7596×10~4aJ/nm~4;光谱数据ω_eχ_e、B_e、α_e分别为0.3522、0.0345、 0.4963×10~(-4)cm~(-1);离解能为3.5522eV,平衡键长为0.2137nm,振动频率为292.914cm~(-1);并得到了 Murrel-Sorbie 函数. 相似文献
80.