深亚微米集成电路的快速时域仿真技术

随着深亚微米集成电路技术的发展，集成电路的规模越来越大，工作频率越来越高，并正朝着系统集成的方向发展，因而在模拟速度，模拟精度和可模拟的电路规模等各个方面对电路仿真技术提出了新的要求。近年来，各种新的电路仿真方法和仿真系统用相继脱颖百出，并将取代那些传统的，已经无法适应深亚微米技术发展的电路仿真器。     

CO2激光器线偏振光输出腔内起偏器的研究

混合InGaAs光电二极管阵列ETX128FPA是16384元InGaAs焦平面阵列,供1.0～1.7μm波段内的近红外成象使用。这种128×128元的二维光电二极管阵列是使用钢冲击结合技术把InGaAs材料结合到高级的CMOS倍增管上而制成的。     

半导体中多光子吸收跃迁速率的全量子理论分析

本文从非线性光学中辐射跃迁速率的表达式出发,在全量子理论下,导出了半导体中任意阶多光子吸收跃迁速率的一般表达式。理论分析结果表明,n光子吸收跃迁速率与光强的n次方和n阶光子相干度成正比。本文在多能带及二能带理论模型下,对多光子吸收跃迁速率的一般表达式进行了化简,并对非线性相互作用项对跃迁速率的贡献,作了讨论。     

氩缓冲气体对铯原子共振滤光器特性的影响

铯原子共振滤光器(Cs-ARF)是目前实现蓝绿激光水下通讯的一种关键元件。本文详细研究了不同气压氩缓冲气体对Cs-ARF特性的影响,明显改善了Cs-ARF的响应速率和辐射转换效率。还研究了氮气及不同器件结构对Cs-ARF特性的影响。     

SiH4激光等离子体内H谱线的线型研究

本文利用OMA-Ⅲ系统测量了脉冲TEA CO_2激光诱发的SiH_4等离子体发光谱内H巴耳末系的H_α、H_β和H_γ线的线型及线宽。通过理论及实验分析,认为这些谱线的主要加宽机制为Stark加宽。由实验线型和理论线型的拟合得到等离子体的电子温度T≈40000K和电子密度N≈10~(17)cm~(-3)。     

自由电子激光振荡器的二维数值模拟

在柱二维坐标系中,用数值计算方法求解了摇摆器内电子模拟方程组、光场方程组和无源区(不含摇摆器区)经非自适应方法变换后的无源旁轴波动方程并设计了相应的程序R_2D。用该程序计算的数值结果表明,在有源条件下二维数值模拟结果与高斯光束近似下的数值模拟结果符合较好;取完全相同的计算条件R-2D程序与洛斯阿拉莫斯实验室(LANL)的FELEX程序的计算结果符合较好;初步认为LANL实验数据的物理图象合理,数值结果基本可信;最后给出北京自由电子激光器(BFEL)的一些物理数据。     

高峰值功率重频脉冲固体激光器

综述了高峰值功率重频脉冲固体激光器的发展现状，对其中的Ｑ开关、腔倒空、锁模等窄脉冲技术和放大技术进行了分析，展示了高峰值功率重频脉冲固体激光器的发展前景。     

激光微焊接质量的模糊识别技术研究

讨论了激光微焊点焊接质量的模糊识别的概念，数学模型及其应用方法，并介绍了系统的硬件组成。