自适应约束下的双边全变差正则化超分辨率重建

在经典的双边全变差( BTV)超分辨率重建中,加权系数和正则化参数的恒定性导致重建结果边缘保持能力受限。为此,提出了一种自适应约束的BTV正则化先验模型。算法首先定义了图像的局部邻域残差均值以区分当前像素属于平坦区域还是边缘区域;然后针对加权系数的不变性导致边缘削弱的问题,利用边缘方向和垂直边缘方向扩散性的不同,设计自适应权重矩阵;最后根据代价函数的极值问题推导出迭代公式,从而进行图像的超分辨率重建,重建过程中采用自适应的方法确定正则化参数,以便求得代价函数的全局最优解,提高了算法的鲁棒性。实验结果表明：与双三次线性插值法和经典BTV算法相比,该算法取得了更好的视觉效果和更高的峰值信噪比,更多地保留了图像的边缘细节信息。     

SAR天线监测的正交编码研究

通过分析天线内监测的原理框架图,结合SAR卫星的自身设备系统提出了SAR天线监测的数学模型,分析耦合和传输对监测带来的影响。根据监测网络编码正交性的要求给出了适用于该监测网络的相位码,提出了受T/R组件移相精度的影响而相位码码长不足的问题,给出了分块和迭代两种解决方法。最后,用计算仿真实验说明了相位码的有效性和监测模型的可行性。     

基于输入子系统的Linux触摸屏驱动的实现

文中对输入子系统模型进行了介绍并重点对该驱动模型的实现原理及机制进行了分析。在此基础上,使用输入子系统驱动模型框架,以ARM处理器S3C2440嵌入式芯片为硬件平台,配合其芯片内部集成的触摸屏控制器,设计了Linux下的电阻式触摸屏驱动程序,实现了在S3C2440平台上,电阻式触摸屏的触点位置坐标采集和触点跟踪。     

铌酸镓镧压电晶体生长及性能研究

该文报道了La3Ga5.5Nb0.5O14压电晶体的生长及其压电性能。采用提拉法成功生长了55 mm×150mm的晶体,晶体透明、无包裹体。采用LCR电桥、谐振-反谐振法测量了晶体的相对介电常数和压电应变常数,并研究了头尾之间性能差异性。测试结果表明头尾之间的差异性在3%以内,表明晶体存在良好的性能均匀性。     

TGG晶体偏心生长研究

目前高功率全固态激光器急需使用大尺寸、高质量的铽镓石榴石晶体(Tb3Ga5O12,TGG)。采用提拉法生长(111)方向TGG晶体时,极易发生偏心生长,影响晶体质量与使用效率。针对偏心生长,通过分析TGG晶体组分挥发和熔体特性,解释了其形成机理,并提出了相应的解决方法,最后成功生长出外观完整(44 mm×70mm)的TGG晶体。通过对比圆柱状和螺旋状晶体透过率的不同,进一步解释了偏心生长的原因。     

相位漂移对相位编码QKD系统及截获-重发攻击的影响研究

针对相位编码量子密钥分发(QKD)系统中存在的相位漂移和截获-重发攻击,分析了双马赫-曾德尔干涉仪QKD系统,给出了探测器的输入信号模型,计算了系统量子误码率及窃听信息量,并为提高密钥生成率提供了一种可能的方法。研究表明,相位漂移会使系统误码率增加,稳定性降低;相比理想的截获-重发攻击,窃听信息量有所下降,因此密性放大过程对窃听信息的估计值可以相对减小,最终密钥生成率得以提高。在不考虑传输光纤中的相位相对漂移时,误码率随相位漂移角度呈余弦变化,全部截获-重发攻击时的变化周期是无窃听时的一半,变化频率更加剧烈。55%部分窃听时,若合法通信者选择误码阈值为15%,窃听者可获得25.5%的信息量且不被发现。     

昌吉电视台转播车高标清无线传输技术方案

昌吉电视台2014年完成了4+2讯道新闻转播车的升级改造,详细介绍转播车系统的微波系统架构、新技术应用和无线传输技术方案,介绍该系统的优势所在,改造后进一步提高了系统在昌吉州应急突发事件等新闻转播中的应用能力。     

随机参差重频法抗雷达导引头距离波门前拖研究

文章分析了DRFM距离拖引干扰的工作原理,建立了干扰的信号模型。根据自动增益控制(AGC)变化对干扰进行了检测,在此基础上利用随机参差重频的方法对距离波门前拖进行抑制,在不同的干信比下分别进行了外场试验验证,通过对试验结果的分析表明了该方法能够有效的抑制干扰。     

ICF激光装置靶场光束引导路径的优化研究

为了缩短惯性约束聚变(ICF)激光装置在靶场区光束引导的总时间为基于光束引导传感器固定子区划分的光束引导方法,提供了引导路径的一种优化方法。通过优化预备子区中心到目标子区中心的角度,最小化对引导总时间有贡献的投射镜的角位移量的总和。以终端光学组件的一种布置为研究对象,以引导目标点为靶室中心的情况为例,介绍了引导路径的优化过程。引导总时间的估计表明,与普通的串行光束引导方法相比,该方法可以很大程度上缩短光束引导的总时间。当预备子区中心与目标子区中心之间的距离为1 mm时,引导总时间可以缩短为采用普通串行引导方法时的0.518倍。     

High‐Performance Transition Metal Dichalcogenide Photodetectors Enhanced by Self‐Assembled Monolayer Doping

Most doping research into transition metal dichalcogenides (TMDs) has been mainly focused on the improvement of electronic device performance. Here, the effect of self‐assembled monolayer (SAM)‐based doping on the performance of WSe₂‐ and MoS₂‐based transistors and photodetectors is investigated. The achieved doping concentrations are ≈1.4 × 10¹¹ for octadecyltrichlorosilane (OTS) p‐doping and ≈10¹¹ for aminopropyltriethoxysilane (APTES) n‐doping (nondegenerate). Using this SAM doping technique, the field‐effect mobility is increased from 32.58 to 168.9 cm² V^?1 s in OTS/WSe₂ transistors and from 28.75 to 142.2 cm² V^?1 s in APTES/MoS₂ transistors. For the photodetectors, the responsivity is improved by a factor of ≈28.2 (from 517.2 to 1.45 × 10⁴ A W^?1) in the OTS/WSe₂ devices and by a factor of ≈26.4 (from 219 to 5.75 × 10³ A W^?1) in the APTES/MoS₂ devices. The enhanced photoresponsivity values are much higher than that of the previously reported TMD photodetectors. The detectivity enhancement is ≈26.6‐fold in the OTS/WSe₂ devices and ≈24.5‐fold in the APTES/MoS₂ devices and is caused by the increased photocurrent and maintained dark current after doping. The optoelectronic performance is also investigated with different optical powers and the air‐exposure times. This doping study performed on TMD devices will play a significant role for optimizing the performance of future TMD‐based electronic/optoelectronic applications.