开边界条件下一类新Hubbard模型的精确解

用坐标Bethe ansatz方法详细研究了开边界条件下一类新Hubbard模型的可积性问题. 得到了系统的能谱、可积边界条件和Bethe ansatz方程.     

最小Higgs模型在ILC上可能的味改变物理迹象

在最小Higgs(LH)模型中, 由于引进了类矢量顶夸克T, 对弱作用流产生了新的影响. CKM矩阵从3×3变为4×3, 在树图下出现味改变中性流(FCNC). 本文研究了在国际高能直线对撞机(ILC)上能否通过e⁺e^－→tc+tc和e⁺e^－→WWν_eν_e→(tc+tc) ν_eν_e过程探测到LH模型所预言的FCNC信号.     

低能量阈高纯锗探测器用于暗物质探测实验研究

一个位于韩国江原道襄阳郡地下实验室的暗物质WIMP探测实验中, 采用了低能量阈高纯锗探测器, 带有碘化铯晶体反符合探测器作为主动屏蔽体. 整个系统设置和能量标定已经完成, 并且已经积累了约155d的本底数据. 还应用外置伽玛源和中子源进行了实验, 以判断本底的来源. 介绍了数据的分析和初步结果, 并给出了实验诱人的前景.     

CsI(Tl)晶体探测器APD读出的温度效应

对中国科学院近代物理研究所自行生长的铊激活碘化铯闪烁晶体CsI(Tl)光输出及Hamamtsu公司生产的S8664-1010型雪崩光二极管(APD)增益对温度的依赖关系做了系统研究. 结果表明, CsI(Tl)晶体光产额在室温范围内随着温度的增加而增加, 在－2℃—8℃温度范围内的平均温度系数为0.67%/℃, 在8℃—25℃温度范围内的平均温度系数为0.33%/℃. 而对所使用的APD, 其增益在室温范围内的温度系数为－3.68%℃(工作电压400V). APD结合CsI(Tl)晶体在室温下对¹³⁷Cs的662keV γ射线的能量分辨可达5.1%.     

GaN MOS-HEMT Using Ultra-Thin A1203 Dielectric Grown by Atomic Layer Deposition

We report a GaN metal-oxide-semiconductor high electron mobility transistor （MOS-HEMT） with atomic layer deposited （ALD） Al2O3 gate dielectric. Based on the previous work [Appl. Phys. Lett. 86 （2005） 063501] of Ye et al. by decreasing the thickness of the gate oxide to 3.5nm and optimizing the device fabrication process, the device with maximum transconductance of 150mS/mm is produced and discussed in comparison with the result of lOOmS/mm of Ye et al. The corresponding drain current density in the 0.8-μm-gate-length MOS-HEMT is 800mA/mm at the gate bias of 3.0 V. The gate leakage is two orders of magnitude lower than that of the conventional A1GaN/GaN HEMT. The excellent characteristics of this novel MOS-HEMT device structure with ALD Al2O3 gate dielectric are presented.     

0.18μm工艺下单粒子加固锁存器的设计与仿真

在近年国际上出现的两种记忆单元DICE（DualInterlockedstoragecell）和GDICE（DICEwithguard—gates）基础上，设计了两种抗单粒子加固锁存器，称为DICE锁存器和GDICE锁存器，加工工艺为0.18μm。对这两种锁存器的改进减少了晶体管数量，降低了功耗，增强了抗单粒子瞬态（singleeventtransient，SET）能力。分别对比了两种锁存器的优缺点。建立了一种单粒子瞬态仿真模型。将该模型连接到锁存器的敏感点．仿真测试了这两种锁存器的抗单粒子翻转（singleeventupset，SEU）能力，得到一些对版图设计有意义的建议。通过比较得知：如果没有特殊版图设计，在单个敏感点被打翻时，DICE锁存器和GDICE锁存器的抗单粒子翻转能力比较强：而在两个敏感点同时被打翻时，抗单粒子翻转能力将比较弱。但如果考虑了特殊版图设计。那么这两种锁存器抗单粒子翻转的优秀能力就能体现出来。     

硅基HgCdTe光伏器件的暗电流特性分析

对硅基HgCdTe中波器件进行了变温电流电压特性的测试和分析。测量温度从30K到240K，得到R0对数与温度的1000／T的实验曲线及拟合结果。同时选取60K、80K及110K下动态阻抗R与电压V的曲线进行拟合分析。研究表明在我们器件工作的温度点80K，零偏压附近主要的电流机制是产生复合电流和陷阱辅助隧穿电流。要提高器件的水平，必须降低陷阱辅助隧穿电流和产生复合电流对暗电流的贡献。     

基于多载波的宽带无线接入策略的研究

呼叫接入控制是无线通信中保证用户服务质量的关键技术之一。本文提出了一种在多业务环境下,基于多载波通信的优先强占接入策略:当剩余无线资源不能接纳实时业务的呼叫时,实时业务呼叫强占部分非实时业务占用的子载波来保证实时业务的接入,与此同时增加了非实时业务的传输时延。本文通过二维Markov链模型对系统进行了建模和性能参数(呼叫阻塞概率及系统频带利用率)的求解。通过与保护信道策略和无优先策略的比较可以看到:优先强占策略将接入控制和服务质量保证有机地结合在一起,既保证了用户的QoS,又大大降低了系统中的实时业务用户的呼叫阻塞概率,提高了系统资源的利用率。     

光子结构函数的直接检验

本文基于喷注电荷截面方法,提出了一种直接测量光子结构函数的可行方案。 关键词：     

Particle Simulation of Relativistic Laser Pulse Density Channeling

Two-dimensional particle simulation is carried out to study the interaction between a high-intensity finite-size spot laser beam and a plasma with linear density profile. The laser is allowed to propagate in underdense corona until it is cut off near the critical surface. The intense laser can drive various instabilities through particle collective motion and result in electron heating,while relativistic effect and ponderomotive force can bring strong energy absorption and electron heating in the overdense region. As the laser beam is nonuniform in the transverse direction,a density channel forms and hole boring effect occurs as a result of strong ponderomotive force pushing particle outwards. These processes can be investigated well by particle simulation.