微波管内的表面击穿

全面介绍了真空条件下表面击穿的研究状况,重点讨论了二次电子发射雪崩理论,论述了二次电子发射、陶瓷表面处理、磁场、解吸附等因素对表面击穿的影响,并讨论了增加表面击穿电压的各种办法.为研究微波管的人员提供了理论参考.     

壳聚糖与Cd(Ⅱ),Pb(Ⅱ),Ce(Ⅲ),Zr(Ⅳ)配合物的制备及光谱分析

用壳聚糖(CTS)分别与硝酸亚铈,硝酸锆,硫酸镉和硝酸铅在酸性介质中反应,制备了壳聚糖-Ce(Ⅲ)、壳聚糖-Zr(Ⅳ)、壳聚糖-CA(Ⅱ)、壳聚糖-Pb(Ⅱ)四种壳聚糖-重金属离子配合物(用通式M-CTS表示).用红外光谱(IR)、X-ray衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)等光谱分析手段对M-CTS进行了结构表征.结果表明:在壳聚糖-Cd(Ⅱ)配合物中的配位原子是壳聚糖-NH2上的N原子,而在壳聚糖-Ce(Ⅲ)、壳聚糖-Zr(Ⅳ)、壳聚糖-Pb(Ⅱ)配合物中不仅壳聚糖-NH2上的N原子参与了配位,同时OH上的O原子也参与了配位.说明不同的重金属离子与壳聚糖之间形成配位键的配位原子是不完全相同的.     

PbWO_4晶体的光输出与能量分辨研究

研究了多种包装材料和包装工艺对钨酸铅(PbWO4)晶体光输出和能量分辨的影响,测量结果与基于GEANT4的模拟结果符合很好,并由此确定了晶体的最佳包装方法。     

BEPCⅡ低温控制系统研制

北京正负电子对撞机重大改造工程(BEPCⅡ)首次应用低温超导技术建造低温系统.低温控制系统通过控制前端低温系统的压力、液位、流量和功率等过程变量,分别产生饱和液氦、两相氦和过冷的单相液氦,使用这三种不同形式的氦流来冷却超导设备.低温控制系统采用EPICS+PLC双层架构体系,实现对前端低温超导设备的全自动控制.EPICS主要完成低温系统的过程控制、逻辑控制和PID闭环控制;PLC负责前端关键设备的联锁控制,用于保护低温超导设备的安全.     

UHV/CVD生长本征硅外延层的研究

在微波双极型晶体管中,收集区的厚度是影响其截止频率的一个重要因素。普通的常压外延难以生长出杂质浓度变化陡峭的薄外延层。文章利用自行研制的超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)系统SGE500,在N型(掺As)重掺杂衬底上进行了薄本征硅外延层生长规律的研究;并采用扩展电阻(SPR)、原子力显微镜(AFM)、双晶衍射(DCXRD)等方法,对外延层的质量进行了评价。采用该外延材料制作的锗硅异质结双极型晶体管(SiGe HBT)器件击穿特性良好。     

一种低复杂度超宽带通信系统

超宽带通信系统首先要解决的问题是降低系统的功耗和硬件的复杂度。在研究基于TR技术的超宽带通信系统的基础上,提出一种降低ADC实现复杂性的方法,同时对ADC和AGC联合设计,降低超宽带通信系统实现的复杂性。仿真的结果表明,提出的ADC实现方法和传统的2 b ADC的性能相当,但复杂度降低;在前导序列时间内AGC能完成信号的合理放大,使之满足信号的接收解调需要,而在信息数据解调期间不用调整AGC的增益。     

模拟退火算法在单目标规划问题中的应用

模拟退火算法是一种用于解决连续、有序离散和多模态优化问题的随机优化技术。它对于非常复杂，高度非线性的大型系统优化的求解，表现出比其他传统优化算法更加独特和优越的性能。现介绍了模拟退火算法的原理、数学模型及其求解步骤，并以一实例来说明模拟退火算法在解决组合优化问题时的有效性和优越性。     

MIMO-OFDM系统无线衰落信道容量分析

推导了MIMO-OFDM系统在衰落信道下的各态历经容量、最优发送策略、使用等功率分配时的容量上界以及相对于单天线OFDM系统的容量增益。结果表明：天线数和平均接收信噪比是决定MIMO-OFDM系统信道容量的关键因素。天线数越多或者接收信噪比越大,信道的容量越大,信道容量几乎不受多径时延扩展的影响。慢衰落信道下的最大信道容量可以使用空-频两维注水算法得到,当接收信噪比足够大时,最大信道容量也可以用平均分配发送功率的方法逼近。     

千兆以太网SOPC系统的实现

网络正在成为当今社会通用通信的骨干力量,现代化的设备迫切需要解决如何简洁高速的接入问题。涉及了基于FPGA的嵌入式技术。简要介绍了使用Xilinx的EDK和ISE等工具的设计流程和设计实现支持TCP/IP协议的10M/100M/1000M以太网SOPC系统的工程实例,并对涉及的关键技术进行了说明,列出了实物系统的指标测试结果。     

He-Ne激光对小麦DNA UV-B损伤修复的影响

研究并分析了He-Ne激光对小麦DNA UV-B损伤修复的影响和机理,以探明激光对UV-B损伤修复的影响途径及机制。结果表明,小麦对增强UV-B辐射损伤具有一定的切除修复能力,切除修复的高峰期发生在UV-B辐射后4～6h内;He-Ne激光主要通过促进小麦的切除修复途径影响小麦对 UV-B损伤的修复,在对损伤DNA的切除及DNA的修复合成两方面均有不同程度的促进作用,其切除高峰期发生在UV-B辐射后4～6h;DNA的修复合成高峰期在辐射后6～7h。