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181.
HL—1装置等离子体密度反馈实验 总被引:1,自引:1,他引:0
本文叙述HL-1装置用反馈脉冲补充送气方式控制等离子体密度的方法及实验结果。给出了在固有的物理实验条件下的最佳反馈方式,实现了对密度的有效控制及反馈。讨论了在不同密度条件下的几种反馈方式及反馈系统尚存在的不足之处。 相似文献
182.
在(NH4)3VS4/CuI/Py反应体系中合成了新化合物 [VS4Cu6(Py)8I3]并测定其晶体结构。该化合物(C40H40N8Cu6I3S4V)属正交晶系, 空间群为Fdd2, 晶胞参数为: a = 29.924(6), b = 13.475(3), c = 25.853(5) , V = 10425(4) ?, Dc = 2.006 g/cm3, Mr = 1573.92, Z = 8, (MoK) = 4.546 mm-1, F(000) = 6048。结构由直接法解出, 用全矩阵最小二乘法修正, 最终偏离因子R = 0.023, wR = 0.069。簇合物分子是由6个带端基配体的Cu沿着四面体单元VS4的6条SS边配位而成, 6个Cu排列成了1个八面体, V基本位于八面体的中心, 整个分子具有C2对称性。 相似文献
183.
184.
用紧耦合方法研究C4+和O6+与He原子碰撞 总被引:2,自引:0,他引:2
用双中心原子轨道紧耦合方法计算了C4+-He以及O6+-He碰撞的单俘获总截面,入射离子的能量范围为10~100keV/amu,所得计算结果在实验误差范围内与实验值很好符合.对满壳层入射离子,研究了单俘获截面随入射离子电荷态的变化,并讨论了原子轨道展开波函数数目对计算结果的影响.p 相似文献
185.
186.
技术的动态发展和企业间的竞争对企业新产品策略有很大影响,直接决定新产品的引进周期。本文在产业技术动态变化的随机环境下构建随机动态规划模型,关注产业技术进步、投资成本和产品市场竞争等影响因素,探讨企业进行新产品引进的周期选择,对新产品引进的周期和质量决策进行方法设计和应用举例。利用随机动态规划模型得出新产品引进的最优时间周期,用算例分析技术进步和产品研发成本对企业引进周期策略的影响,采取策略迭代的方法进行求解,发现技术进步较快时企业的新产品引进步伐也较快,研发成本的提高使企业的新产品引入步伐降低。 相似文献
187.
设Λ={λn}n∞=1为正的实数数列,且当n→∞时,有λn↘0.本文给出了当λn≤Mn-1/2,n=1,2,…,(其中M>0为一正常数)时Müntz系统{xλn}的有理函数在Lp[0,1]空间的逼近速度,主要结论为Rn(f,Λ) Lp≤CMω(f,n-1/2)Lp,1≤p≤∞. 相似文献
188.
189.
挖坑机钻头主轴纵向振动系统模型的建立与控制 总被引:1,自引:0,他引:1
首先利用弹性杆理论和H am ilton变分原理建立了挖坑机钻头主轴及钻尖在工作过程中由于外激励的作用使钻尖与土壤互相作用而产生纵向振动的动力学模型,同时给出边界条件和初始条件.其次通过把系统外激励函数当作控制变量,利用Banach空间几何性质证明了此系统存在唯一最优控制元. 相似文献
190.
本文讨论AFC^*一代数中的一些映射的线性性质和它们的局部性质之间的关系.研究AFC^*一代数A上的保持乘法的局部自同构Ф在A中矩阵单位系上的作用。证明了Ф是A上的自同构。对于UHF代数上满等距的结构,还证明了UHF代数上的2-局部(满线性)等距是线性的. 相似文献