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High-k材料是指介电常数k高于SiO2的材料。使用high-k材料做栅绝缘层,是减小MOS器件栅绝缘层直接隧道击穿(DirectTunneling,DT)电流的有效方法。文章在二维器件模拟软件PISCES-II中添加了模拟以high-k材料为栅绝缘层的MOS器件模型,并对SiO2和high-k材料的MOS晶体管器件特性进行了模拟比较,成功地验证了所加high-k材料MOS器件模型的正确性。改进后的PISCES-II程序,可以方便地对以各种high-k材料为栅绝缘层的器件性能进行模拟。 相似文献
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阐述了双反函数、自双反函数和多数函数的定义,提出了自双反函数的性质.根据上述定义利用布尔代数中的基本概念、定理和公式证明了这些性质,展示了自双反函数在RM展开系数图(bj图)中的特点,讨论了自双反函数在函数分类中的应用. 相似文献
157.
基于cDNA宏阵列的系统聚类分析猪发育阶段的基因表达谱 总被引:3,自引:0,他引:3
取杜洛克猪胚胎第33,45,55,65.75天的背最长肌样本.用cDNA Macroarray分析方法和聚类分析技术分析了327个EST在骨骼肌内不同发育阶段的基因表达谱.结果表明有98条EST在不同发育时期显著差异表达.第33天和第45天两阶段基因表达状态相似.第55天和第65天基因表达状态相似.而第75天的基因表达与第55天和第65天两个阶段的基因表达具有相近的聚类关系.表达状态相近,基因功能相似的基因大都被聚类在一起. 相似文献
158.
阐述了光纤陀螺仪对保偏光纤的基本性能要求,并介绍了一种新型直径为80 μm保偏光纤的主要性能参数和特征. 相似文献
159.
A Novel and Efficient Catalytic System for Aerobic Oxidative Coupling of 2-Naphthol Derivatives 总被引:2,自引:0,他引:2
LiCHEN JingBoLAN ZhiHuaMAO XiaoQiYU RuGangXIE 《中国化学快报》2004,15(8):903-906
The paper reported a novel and efficient aerobic oxidative coupling reaction of 2-naphthol derivatives catalyzed by CuCu (Ⅰ or Ⅱ)N-alkylimidazole complexes in excellent yields. The crystal structure of CuCu(Ⅱ)N-methylimidazole complex to be determined by X-Ray. 相似文献
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重力场与静电场特点的比较 总被引:2,自引:1,他引:1
“场”是一种客观存在的物质,但由于“场”具有不易直接感受的特殊存在形态,同学们对“场”的物质性的理解不够深刻,解决“场”的相关问题时也感到棘手.笔者就高中阶段最典型的两种场——“重力场”和“静电场”的力学性质与能量特点进行比较,使同学们对“场”的概念有更深刻的认识. 相似文献