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Hao Wang Ying Lin Biao Chen 《Signal Processing, IEEE Transactions on》2003,51(10):2613-2623
We investigate non data-aided channel estimation for cyclically prefixed orthogonal frequency division multiplexing (OFDM) systems. By exploiting channel diversity using only two receive antennas, a blind deterministic algorithm is proposed. Identifiability conditions are derived that guarantee the perfect channel retrieval in the absence of noise. In the presence of noise, the proposed method has the desired property of being data efficient-only a single OFDM block is needed to achieve good estimation performance for a wide range of SNR values. The algorithm is also robust to input symbols as it does not have any restriction on the input symbols with regard to their constellation or their statistical properties. In addition, this diversity-based algorithm is computationally efficient, and its performance compares favorably to most existing blind algorithms. 相似文献
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不同表面预处理对有机电致发光显示器性能的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
从生产角度研究了基板表面的预处理工艺对OLED性能的影响,分别用UVOzone、氧Plasma以及两者相结合的方式对基板进行表面处理,并按照生产工艺制作器件,从接触角、方阻以及光电特性等测试结果对各种表面处理的样品进行比较。结果表明以上处理都改善了器件性能,不同程度提高了器件的清洁度、亮度和发光效率,其中UVOzone和氧Plasma结合的方式处理效果最为显著,器件在10V时亮度达到79920cd/m2,比其他两种处理方式亮度提高约25%。 相似文献
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基于ERP系统的电子商务平台的分析 总被引:2,自引:1,他引:1
提出了利用DNA和XML技术构建基于ERP系统的电子商务平台的解决方案,并且给出了数据接口的几种实现方式。 相似文献
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基于CATV的一站式电子政务系统的构建 总被引:2,自引:1,他引:1
电子政务是Internet网络上的综合应用,利用外交互式技术在CATV网络上构建一站式电子政务是充分利用现有的CATV网络资源的最好选择;在CATV网络上构建电子政务最关键的是要建立起安全的信息通道,安全的信息通道的建立必须借助于PKI技术. 相似文献
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Yang C.W. Fang Y.K. Lin C.S. Tsair Y.S. Chen S.M. Wang W.D. Wang M.F. Cheng J.Y. Chen C.H. Yao L.G. Chen S.C. Liang M.S. 《Electronics letters》2003,39(21):1499-1501
A novel technique to form high-K dielectric of HfSiON by doping base oxide with Hf and nitridation with NH/sub 3/, sequentially, is proposed. The HfSiON gate dielectric demonstrates excellent device performances such as only 10% degradation of saturation drain current and almost 45 times of magnitude reduction in gate leakage compared with conventional SiO/sub 2/ gate at the approximately same equivalent oxide thickness. Additionally, negligible flatband voltage shift is achieved with this technique. Time-dependent dielectric breakdown tests indicate that the lifetime of HfSiON is longer than 10 years at V/sub dd/=2 V. 相似文献
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Y.K. Su H.C. Wang C.L. Lin W.B. Chen S.M. Chen 《Photonics Technology Letters, IEEE》2003,15(10):1345-1347
The brightness of AlGaInP light emitting diodes (LEDs) has been raised by a factor of 1.12 at 20 mA by sulfide passivation. Meanwhile, the sulfide also can decrease leakage current of AlGaInP LEDs at -2 V to nearly one thousandth of that in the as-fabricated device. The possible causes for the brightness increase of AlGaInP LEDs after sulfide treatment including surface roughness, reduction of Fresnel loss, and effective injection of carriers were demonstrated. 相似文献
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