不同表面预处理对有机电致发光显示器性能的影响

从生产角度研究了基板表面的预处理工艺对OLED性能的影响,分别用UVOzone、氧Plasma以及两者相结合的方式对基板进行表面处理,并按照生产工艺制作器件,从接触角、方阻以及光电特性等测试结果对各种表面处理的样品进行比较。结果表明以上处理都改善了器件性能,不同程度提高了器件的清洁度、亮度和发光效率,其中UVOzone和氧Plasma结合的方式处理效果最为显著,器件在10V时亮度达到79920cd/m2,比其他两种处理方式亮度提高约25%。     

分布式无线传感器网络通信协议研究

在归纳分布式无线传感器网络研究进展的基础上，给出了综合分布式无线传感器网络技术各个方面的协议体系结构，并在新的体系结构下，系统地阐述了分布式无线传感器网络通信协议研究的进展，介绍了典型的应用案例和国外相关计划的研究情况。最后，指明了这一处于发展初期的研究领域的未来发展方向。     

基于CATV的一站式电子政务系统的构建

电子政务是Internet网络上的综合应用,利用外交互式技术在CATV网络上构建一站式电子政务是充分利用现有的CATV网络资源的最好选择;在CATV网络上构建电子政务最关键的是要建立起安全的信息通道,安全的信息通道的建立必须借助于PKI技术.     

基于保护分散式抽象方法的可扩展操作系统设计

为了提供高性能和柔性，操作系统内核应该只保留最小的功能，今天的操作系统大而低效，更缺乏柔性，我们提出了保护分散式操作系统抽象方法，集成了分散式操作系统抽象和保护抽象的方法，这种新的安全方式在分散式抽象系统里共享用户级的抽象，能够使非特权，不信任的任务在运行时定义并安全的共享生成的抽象，它在对相同的抽象重复调用时，通过消除上下文切换的需求和对通常情况进行优化，可获得较好的柔性，保护分散式抽象的设计强调简单并正确性证明，易于理解和使用，文章介绍了保护分散式操作系统抽象方法，并运用该方法开发了一个基于共享库的原型操作系统－ExLinux/LibOS.     

新型毫米波微带带通滤波器

介绍了一种新型的加载电容型毫米波微带带通滤波器。对这种滤波器进行了分析,推导出了滤波器中所用谐振单元间的耦合系数。该滤波器通过加载电容而出现慢波效应,使得在不改变电路性能的情况下,减小了电路尺寸。同时由于电路中加载电容形成的慢波效应而出现了带阻效应,因此对谐波有很好的抑制作用。利用高频分析软件CST仿真分析并设计了这种新型的加载电容型毫米波微带带通滤波器,实验结果与设计曲线结果相符。     

基于ARM微处理器的故障记录系统

给出了在普通数据采集基础上的故障记录系统的设计方案,利用ARM微处理器实现了模拟信号较完整的故障波形记录和开关信号的事件顺序记录(SOE)。对LPC2106ARM系列处理器、ADS7871模/数转换器以及数据通信接口等内容进行了讨论,阐述了系统的工作原理、软件处理方式、系统通信。该设计方案电路简单,特别适用于电力系统。     

下一代电视:HDTV

简单介绍数字电视的概念、分类及它们之间的区别,高清电视的发展历史及其优势。     

目标RCS动态数据的分布特征研究

复杂目标在不同视向的RCS分布特征是不同的，传统模型对此都没有给出详细的结果。文中以某歼击机和直升机为对象，应用X^2。分布、对数正态分布和瑞利分布模型，以及Kolmogomv拟合优度检验方法，研究其RCS动态测量数据的统计分布特征，得到了在一定显著性水平下，两种目标在不同视向角下对三种模型的拟合效果，同时得到应用X^2。分布拟合时模型半自由度随视向角的分布情况。在显著性水平为0．05时，对于在较短时间内录得的复杂目标动态RCS数据，应用X^2分布可以取得较好的拟合效果。文中结果精确地描述了目标RCS的起伏特征，能够为目标回波的精确模拟与检测提供可靠的依据。     

GaN and AlGaN high-voltage rectifiers grown by metal-organic chemical-vapor deposition

In this paper, we report the study of the electrical characteristics of GaN and AlGaN vertical p-i-n junctions and Schottky rectifiers grown on both sapphire and SiC substrates by metal-organic chemical-vapor deposition. For GaN p-i-n rectifiers grown on SiC with a relatively thin “i” region of 2 μm, a breakdown voltage over 400 V, and forward voltage as low as 4.5 V at 100 A/cm² are exhibited for a 60-μm-diameter device. A GaN Schottky diode with a 2-μm-thick undoped layer exhibits a blocking voltage in excess of ∼230 V at a reverse-leakage current density below 1 mA/cm², and a forward-voltage drop of 3.5 V at a current density of 100 A/cm². It has been found that with the same device structure and process approach, the leakage current of a device grown on a SiC substrate is much lower than a device grown on a sapphire substrate. The use of Mg ion implantation for p-guard rings as planar-edge terminations in mesageometry GaN Schottky rectifiers has also been studied.     

小卫星及多星测控的技术发展

本文从小卫星、星座飞速发展以及对测控通信系统新的要求出发，介绍了综合基带、连续波多波束相控阵天线的功能、特点及工作原理，提出了建立新型多功能智能化测控通信站的设想。