基于多变量LSTM的工业传感器时序数据预测

传感器时序数据预测作为工业自动化和智能化的关键过程,对于自动化生产监督、风险预防和技术改进等具有重要意义.考虑到传统基于统计学的时序分析方法通用性弱、普通循环神经网络模型存在长期依赖的不足,针对工业设备温度、压力和电流强度等时序数据预测问题,提出了一种基于多变量分析的长短时记忆神经网络时序预测方法,该方法利用数据的远距离信息和多变量相关性,有效地提高了工业传感器时序数据预测的准确性.实验选取瑞典某公司的机械装载传感器数据用于训练和测试,通过与单变量长短时记忆模型以及其它主流时序预测算法比较,证明了该方法具备较好的预测性能和通用性.     

稀土元素Pr替位改性的高温CaBi_2Nb_2O_9压电陶瓷

采用普通陶瓷工艺制备了由稀土元素Pr替位改性的高温Ca1-xPrxBi2Nb2O9(x=0～0.100)无铅压电陶瓷,研究了Pr含量对CaBi2Nb2O9(CBNO)压电陶瓷介电及压电性能的影响。结果表明:Pr对Ca的替换明显提高了CBNO压电陶瓷的压电性能。其中,Pr含量x为0.050的Ca0.95Pr0.05Bi2Nb2O9压电陶瓷表现出最好的压电性能,其压电常数d33高达14pC/N,且在800℃以下表现出良好的温度稳定性。     

战术数据链网络建模与仿真

网络性能的优劣直接关系到战术数据链系统作战效能的发挥,对数据链网络系统性能的仿真评估具有一定的现实意义。在OMNeT++上搭建Link-16网络仿真模型,利用MiXiM对数据链网络系统节点的功能进行分层实现,并详细分析了各节点的系统响应时延、端到端时延及丢包率对网络整体效能的影响,对进一步研究数据链网络具有一定的参考价值。     

GdCa_4O(BO_3)_3晶体电弹常数的测量

首次测量了ＧｄＣａ_４Ｏ（ＢＯ_3）_3晶体的全部介电常数、压电应变常数和部分机电耦合系数。     

基于DSP平台的数字视频源的系统设计

提出了一种基于TI DSK6711平台的将模拟视频进行数字化处理的系统设计方案,其中视频解码模块完成复合视频信号数字化,音频A／D模块完成语音信号数字化,同时采用大容量的SDRAM存储器作为帧缓存,用FPGA完成其控制接口,整个系统以DSK6711为核心构成数据处理单元,此系统可以完成电视图像信号的去隔行扫描转换、低分辨率向高分辨率转换等视频信号处理,也可以进行实时视频和音频数据压缩处理。     

800MHz CMOS低噪声放大器的设计

本文采用0.25μm CMOS工艺,设计和研制了800MHz频段低噪声放大器.放大器采用共源共栅结构,芯片内部埋置了螺旋电感.放大器的增益为16.4dB、噪声系数小于1.3dB、工作电压2.5V时,功耗为35mW.测试结果达到了设计指标,一致性良好.     

一种改进的TLCH组播密钥管理方案

TLCH协议是一个适用于安全组播通信且可扩展性较好的组播密钥管理协议。它基于LKH的思想,采用双层的控制者的层次结构,并使用单向函数进行密钥更新,达到了较低的计算开销。使用hash函数对TLCH组播密钥管理方案中成员加入时的密钥更新算法进行改进。与原来的TLCH相比,改进后的TLCH可以进一步降低了通信开销。     

通信保密技术的革命——量子保密通信技术综述

量子保密通信技术由于其具有严格意义上的安全性,得到各国政府及相关研究机构的广泛关注,并在近年来取得突破性进展。简述了量子力学基本原理、量子密钥分发的经典理论方案及具体实现技术;总结了国内外量子密钥分发技术发展的现状和水平;分析了量子保密通信存在的问题并展望了未来的发展趋势。     

大规模MIMO系统中基于用户分类的动态导频分配

针对大规模MIMO系统导频污染问题,提出一种基于用户分类的动态导频分配策略.根据目标小区用户信号强度的方差设置合理的用户信号强度临界值,将目标小区用户分为中心用户和边缘用户.中心用户采用最大载干比算法分配导频,以最大化中心用户总信道容量.边缘用户采用贪婪算法分配导频,以提高每个边缘用户的信干噪比.仿真结果表明,所提策略在提高边缘用户信干噪比的同时能够有效提高系统的信道容量.     

ZnAl_2O_4/α-Al_2O_3衬底上GaN的生长

研究了直接在 Zn Al2 O4/α-Al2 O3 衬底上用 MOCVD法一步生长 Ga N薄膜 .利用脉冲激光淀积法在α-Al2 O3衬底上淀积了高质量 Zn O薄膜 ,对 Zn O/α-Al2 O3 样品在 110 0℃退火得到了具有 Zn Al2 O4覆盖层的 α-Al2 O3 衬底 ,并在此复合衬底上利用光加热低压 MOCVD法直接生长了纤锌矿结构 Ga N. X射线衍射谱表明反应得到的Zn Al2 O4层为 ( 111)取向 .扫描电子显微镜照片显示随退火时间从小于 3 0 min增加到 2 0 h,Zn Al2 O4表面由均匀的岛状结构衍变为突起的线状结构 ,相应的 Ga N X射线衍射谱表明 Ga N由 c轴单晶变为多晶 ,单晶 Ga N的摇摆曲线半高宽