基于链路状态的多约束路由预计算算法

作为下一代高速网络的核心问题之一,多约束的服务质量路由(QoSR)至今尚无有效算法,为此基于线性能量函数设计了预计算算法MEFPA.该算法将每个QoS度量的重要性均匀分成若干个等级,从而在多维QoS度量空间中构造出多个均匀分布的线性能量函数;算法通过能量函数将QoS链路状态转化成单一能量值,再使用Dijkstra算法计算最小能量树,最终产生QoS路由表.文章分析了多约束下的线性能量函数对算法性能的影响,给出了判定多维空间中QoS约束的可行区域和不可行区域的方法,最后基于这些理论为多约束QoSR问题给出了预计算算法.广泛深入的实验结果表明,高可扩展性、高性能、易实现的预计算算法MEFPA是一种值得在下一代网络中考虑的路由算法.     

电子束曝光UV3正性抗蚀剂的工艺研究

为了在体硅CMOSFinFET中用等离子体腐蚀精细凹槽图形，研究了将电子束直写曝光用于原为深紫外光学曝光的UV3正性抗蚀剂的工艺技术；详细分析了包括膜厚、曝光能量、曝光剂量、显影时间、设计尺寸和衬底材料等在内的各类工艺参数与实际曝光图形效果的关系；特别指出了曝光过程中特有的延迟效应及解决办法。采用最终的优化工艺条件，得到了合适的图形效果。     

一种适用于微传感器读出电路的低噪声、低失调斩波放大器

提出一种适合微传感器读出电路的高精度折叠共源共栅放大器.基于斩波技术和动态元件匹配技术,降低了折叠共源共栅放大器的噪声和失调,采用低阻节点斩波的方法和低压共源共栅电流镜扩大了放大器可处理的输入信号带宽和输出电压摆幅.芯片在0.35μm 2P4M CMOS工艺下设计并流片,测试表明在3.3V的典型电源电压和100kHz的斩波频率下,斩波放大器具有小于93.7μV的输入等效失调电压典型值,19.6nV/Hz的输入等效噪声,开环增益达83.9dB,单位增益带宽为10MHz.     

Annealing before gate metal deposition related noise performance in AlGaN/GaN HEMTs

For a further improvement of the noise performance in AlGaN/GaN HEMTs, reducing the relatively high gate leakage current is a key issue. In this paper, an experiment was carried out to demonstrate that one method during the device fabrication process can lower the noise. Two samples were treated differently after gate recess etching: one sample was annealed before metal deposition and the other sample was left as it is. From a comparison of their Ig-Vg characteristics, a conclusion could be drawn that the annealing can effectively reduce the gate leakage current. The etching plasma-induced damage removal or reduction after annealing is considered to be the main factor responsible for it. Evidence is given to prove that annealing can increase the Schottky barrier height. A noise model was used to verify that the annealing of the gate recess before the metal deposition is really effective to improve the noise performance of AlGaN/GaN HEMTs.     

一种双频段CMOS低噪声放大器

描述了一个可同时处理输入信号在937.5 MHz和408 MHz频段,应用于数字对讲机射频前端的双频段CMOS低噪声放大器(LNA)。所有的输入输出都被匹配到50Ω。芯片采用0.18μmCMOS工艺制造。仿真结果显示,在1.5 V供电电压下,937.5 MHz时,LNA的噪声系数、功率增益和偏置电流分别为0.92 dB、19.0 dB和6.0 mA;408 MHz时,分别为0.72 dB、20.9 dB和3.0 mA。据笔者所知,这是首个可以处理频率低至408 MHz信号的双频段CMOS低噪声放大器。     

基于AlGaN/GaN HEMT的C波段混合集成功率合成放大器的设计

研制了一种基于AlGaN/GaN HEMT的功率合成技术的混合集成放大器电路.该电路包含4个10×120 μm的HEMT晶体管以及一个Wilkinson功率合成器和分配器.在偏置条件为VDS=40V,IDS=0.9A时,输出连续波饱和功率在5.4GHz达到41.4dBm,最大的PAE为32.54%,并且功率合成效率达到69%.     

基于单比特采样的IR-UWB系统采样抖动性能分析

研究了基于单比特采样接收的IR—UWB系统中采样抖动对性能的影响。论文给出了采样抖动的简化分析模型,推导了AWGN信道下全精度采样系统和单比特采样系统的误码率理论解。论文通过仿真实验验证了理论分析的正确性,并分析比较了全精度采样系统、单比特采样系统在AWCN信道与多径衰落信道下的抗采样抖动性能及其原因。     

LDPC码的稳定中断分析

对于一个给定的信道和一个特定的ldpc码族,针对由密度进化的不稳定性而造成的稳定中断事件,本文通过研究了BEC和AWGN信道中的稳定中断概率并确切表达了在块衰弱信道中的稳定中断概率,其仿真过程给出了在删除信道中容量逼近系统是怎样跳开了在块衰弱信道中的中断限制。     

用DVI接口实现全彩色AM-OLED的实时动态显示

介绍了一种使用DVI接口实现AM—OLED动态显示的创新方法。通过选取合适的DVI接收器芯片，转换显示数据的格式，设计DDC接口电路，最终达到了AM—OLED动态视频显示的要求，实现了2英寸彩色AM—OLED屏的实时动态显示。     

短沟道MOST阈值电压温度系数的分析

本文分析了短沟道ＭＯＳＴ阈值电压在室温以上的温度特性，并给出了它的温度系数计算公式。根据计算结果，可以得到如下结论：短沟道ＭＯＳＴ的阈值电压温度系数随着沟道长度缩短而减小．与长沟道ＭＯＳＴ相似，在一定的温区范围内，可以把短沟道ＭＯＳＴ的阈值电压温度系数作为常数，用线性展开式来表达阈值电压的温度特性。