首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   12097篇
  免费   2224篇
  国内免费   2274篇
化学   5538篇
晶体学   303篇
力学   445篇
综合类   179篇
数学   1179篇
物理学   3343篇
无线电   5608篇
  2024年   40篇
  2023年   250篇
  2022年   374篇
  2021年   435篇
  2020年   432篇
  2019年   391篇
  2018年   403篇
  2017年   464篇
  2016年   440篇
  2015年   571篇
  2014年   634篇
  2013年   899篇
  2012年   1093篇
  2011年   1030篇
  2010年   1008篇
  2009年   1003篇
  2008年   1024篇
  2007年   990篇
  2006年   886篇
  2005年   731篇
  2004年   578篇
  2003年   480篇
  2002年   488篇
  2001年   418篇
  2000年   390篇
  1999年   243篇
  1998年   120篇
  1997年   84篇
  1996年   78篇
  1995年   81篇
  1994年   71篇
  1993年   70篇
  1992年   48篇
  1991年   43篇
  1990年   45篇
  1989年   24篇
  1988年   28篇
  1987年   25篇
  1986年   23篇
  1985年   24篇
  1984年   14篇
  1983年   26篇
  1982年   18篇
  1981年   13篇
  1980年   10篇
  1979年   8篇
  1977年   6篇
  1973年   7篇
  1971年   5篇
  1965年   7篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 296 毫秒
91.
青藏高原盐湖富含锂、钠、钾的氯化物、硫酸盐、碳酸盐和硼酸盐,尤以其高锂、硼而闻名于世[1]。这些盐湖卤水大多属于Li ,Na ,K ,Mg2 /Cl-,SO42-,CO32-,Borate-H2O体系。在卤水蒸发浓缩后期,由于绝大部分钠盐、钾盐均已结晶析出,所以卤水的化学组成实际变成Li ,Mg2 /Cl-,SO42-,  相似文献   
92.
Patterned uniformly (100)-orientated silicon nanocrystallite (SiNC) films were fabricated based on hydrogen ion implantation technique and typical electrochemical anodic etching method. The surface morphology and microstructure characteristics of the films were characterized by scanning electron microscopy, transmission electron microscopy, X-ray diffraction, and atomic force microscopy. The efficient field emission with low turn-on field of about 3.2 V/μm at current density of 0.1 μA/cm2 was obtained. The emission current density from the SiNC films reached 1 mA/cm2 under a bias field of about 11 V/μm. The experimental results demonstrate that the SiNC films have great potential applications for flat panel displays.  相似文献   
93.
因子分析在企业竞争力评价中的应用   总被引:22,自引:1,他引:21  
根据因子分析原理,建立了企业竞争力的规模因子、效益因子和成长因子得分模型。通过现实竞争力和潜在竞争力分析,实现了企业竞争力和可持续发展的评价。  相似文献   
94.
A low cost single-balanced mixer is designed using a newly designed 90/spl deg/ substrate integrated waveguide (SIW) 3-dB coupler, which takes the advantages of low cost, low profile, and high performance. An X-band single-balanced SIW mixer is designed and fabricated with a standard printed circuit board process. Measured conversion loss of 6.8dB and the wide-band response from 8.5 to 12GHz are presented.  相似文献   
95.
本文研究了等离子体显示屏在显示动态的画面时产生运动失真现象的原因,并在比较国内外各种解决方法的基础上提出了一种优化的ADS驱动方式。在优化的ADS驱动方式基础上开发的14时彩色等离子体原型样机表明优化的ADS驱动方式在视觉闪烁感和运动图像质量方面都有了很大的提高。  相似文献   
96.
在现有的TCP/IP网络中进行多媒体通信,服务质量是人们关注的重要内容。作为服务质量中的一项指标,视频平滑已成为研究和应用开发的一个热点问题。分析当前控制视频平滑的方式,提出一种基于双阈值视频平滑的控制方法。这种方法能够有效地改善视频平滑性能。  相似文献   
97.
A Novel Channel Predictor Based on Constrained Hidden Markov Model   总被引:1,自引:0,他引:1  
1 Introduction Linkadaptationtechniqueisnowwidelyrecognizedasakeysolutiontoincreasethespectralefficiencyofwire lesssystems[1~ 3] .GPRS ,EDGE ,cdma2 0 0 0andWCDMAallincludelinkadaptationasameanstopro videhigherdatarates[4~ 5] .Torealizethepotentialoflinkadaptation ,reliablechannel predictionisneces sary[6 ] . Therearemanydifferentchannelpredictionmethodsavailablenow ,suchasLongRangePrediction(LRP) [6 ] ,predictionbasedonsubspacesignalprocess ingalgorithms[7] ,predictionbasedonFinit…  相似文献   
98.
This paper presents a method to make vanadium dioxide (VO2) crystallites on silicon substrates by reactive ion beam sputtering. The thickness of the thin film is about 100nm. The phase transition temperature of VO2 is 65°C. The transmittance of the semiconducting phase VO2 is about 50% and it is reduced to as low as 3% in metal phase at the infrared wavelenghth spectrum. The extinction ratio of the optical switches is 12dB. and the insertion loss is of 1-2dB. The switching time is about 1ms.  相似文献   
99.
临床试验(Ⅱ)   总被引:1,自引:1,他引:0  
在本文的第Ⅰ部份,涉及了临床试验的内涵、研究中的偏性、困难与临床试验设计的进展.第Ⅱ部份主要涉及分析中的一些重要问题,其中包括:5,生存质量的测定;6,病人的依从性; 7, Meta分析.  相似文献   
100.
三维PDP放电过程数值模拟软件   总被引:2,自引:0,他引:2  
介绍了三维PDP放电过程模拟软件,该软件可较真实地反映放电单元的实际情况,对放电性能进行优化设计,且具有通用性强、界面友好、使用方便、功能完善等特点。可对不同结构、不同气体成份、不同驱动电压及波形等情况进行计算。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号