基于小波的输油管道泄漏信号去噪处理

基于小波分析的噪声消除方法,研究负压波法提取泄漏信号的去噪。首先介绍基于小波分析的噪声消除基本原理,然后运用小波方法对实测信号进行具体处理,在信号处理过程中考虑了不同小波基和不同的分解层数对去噪结果的影响。实验证明,合理选择小波基和小波分解的层数,能够有效滤除泄漏信号中的噪声。     

一种高速并行采样实时校正方法研究

并行交替采样带来的非均匀误差严重影响采集性能.本文建立了并行交替采集系统的数学模型,实现了一种幅度非均匀误差校正的归一化算法,在误差校正系统中引入可程控参考校正源,再利用查表法同时校正系统的偏置和增益失配误差,然后对时间非均匀性参数进行估计,并通过高精度可编程时钟延时网络对其修正.实验结果表明,该校正方法实时性好,降低了硬件设计难度和成本,提高了系统性能.     

一种适用于AVS自适应环路滤波器的VLSI实现

提出了一种新的适用于AVS自适应环路滤波器的VLSI实现。在实现时,采用了垂直滤波和水平滤波交叉进行的顺序,使得中间数据存储单元只需要存储两个8×8的块而不是整个宏块的数据,并且通过有效的控制机制,完成对一个宏块数据进行环路滤波仅需316个时钟周期,可以达到高清实时解码的要求。     

低压配电网馈线自动化的PLC实现方案设计

低压配电网作为输配电系统的最后一个环节,其实现自动化的程度与供用电的质量和可靠性密切相关.采用PLC(可编程控制器)系统对传统馈线自动化控制加以改造,并提出相应的硬件及软件设计方案,为低压配电网馈线自动化技术提供一种参考.     

溶胶-凝胶提拉法制备Mgx Ni1-xO薄膜与表征

利用溶胶-凝胶提拉法在石英玻璃衬底上制备出吸收边波长位于地球表面太阳光谱日盲区(240～280nm)内的MgxNi1-xO薄膜.XPS和XRD结果显示,MgxNi1-xO在1000℃下形成具有立方结构的固溶体;紫外-可见吸收谱结果表明,MgxN1-xO吸收边随着Mg含量的变化而发生改变,当Mg含量x在0.2～0.3之间时,薄膜的吸收边波长在248～276nm范围内可调;光电响应测试结果表明,MgxNi1-xO薄膜(x=0.3)对太阳光不敏感,而对波长为254nm的紫外光具有很好的光电导特性,光照前后薄膜电阻变化率达40%,因此,我们可以认为MgxNi1-xO(x=0.2～0.3)薄膜材料有望应用于日盲区的紫外探测.     

TiO_2纳米薄膜的制备及应用进展

TiO_2纳米薄膜在光催化、传感、环境工程等领域具有广阔的应用前景,本文根据国内外的研究报道及作者对TiO_2纳米薄膜的研究,简单地介绍了它的制备方法和应用。     

Bi1.5Zn1.0 Nb1.5O7栅绝缘层的SiO2修饰对ZnO-TFTs性能的影响

具有高介电常数的栅绝缘层材料存在某种极化及耦合作用,使得ZnO-TFTs具有高的界面费米能级钉扎效应、大的电容耦合效应和低的载流子迁移率.为了解决这些问题,本文提出了一种使用SiO₂修饰的Bi_1.5Zn_1.0Nb_1.5O₇作为栅绝缘层的ZnO-TFTs结构,分析了SiO₂修饰对栅绝缘层和ZnO-TFTs性能的影响.结果表明,使用SiO₂修饰后,栅绝缘层和ZnO-TFTs的性能得到显著提高,使得ZnO-TFTs在下一代显示领域中具有非常广泛的应用前景.栅绝缘层的漏电流密度从4.5×10^-5A/cm²降低到7.7×10^-7A/cm²,粗糙度从4.52nm降低到3.74nm,ZnO-TFTs的亚阈值摆幅从10V/dec降低到2.81V/dec,界面态密度从8×10¹³cm^-2降低到9×10¹²cm^-2,迁移率从0.001cm²/（V·s）升高到0.159cm²/（V·s）.     

基于VxWorks的EPON网络管理系统的设计与实现

提出了一种电信级的EPON网络管理系统设计方案,给出了该方案的系统框架与功能实现方法,重点阐述了核心功能模块的实现流程,最后通过Tornado环境下的仿真与调试验证了方案的可行性.     

基于ARM电池检测管理系统的设计与实现

针对电池组进行充放电时,电池组内每个电池存在荷电状态(SOC)值不一致的问题,设计并实现了电池检测管理系统.提出了基于开路电压法、安时计量法以及卡尔曼滤波算法相结合的SOC值估计方法,通过飞渡电容实现每个电池之间能量的转移,最终使每个电池的SOC值趋向于一致.测试和实验结果表明,电池组进行充放电时,电池检测管理系统能够有效地解决每个电池SOC值不一致的问题,大大地提升了电池的使用寿命和使用效率.     

0.7CaTiO_3-0.3(La_xNd_(1–x))AlO_3微波介质陶瓷的研究

利用传统固相反应法制备了具有不同LaAlO3含量的0.7CaTiO3-0.3(LaxNd1–x)AlO3(以下简称CTLNA)系微波介质陶瓷,研究了所制CTLNA陶瓷的微观结构和微波介电性能。结果表明,用x=0.5的La3+取代Nd3+能有效促进样品晶粒的均匀分布,降低样品的气孔率。少量添加SrTiO3能进一步增加样品的致密度,提高CTLNA系微波陶瓷的介电性能。经原料组分及工艺优化,制备的0.7(Sr0.01Ca0.99)TiO3-0.3(La0.5Nd0.5)AlO3样品密度高、晶相均匀,其微波介电性能如下:εr=45.87,Q.f=41 612 GHz(4 GHz),τf=10×10–6/℃。