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p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成和性能研究 总被引:1,自引:1,他引:0
以高纯ZnO为靶材,氩气为溅射气体,利用射频磁控溅射技术在石英衬底上生长出纤锌矿结构的富锌ZnO薄膜.薄膜沿(002)择优取向生长,厚约为1.2μm,呈现电绝缘特性.将溅射的ZnO薄膜在10-3Pa,510~1 000 K的温度范围等温退火1 h,室温Hall测量结果表明ZnO薄膜的导电性能经历了由绝缘—n型—p型—n型半导体的变化.XPS测试表明ZnO薄膜的Zn/O离子比随退火温度的升高而降低,但一直是富锌ZnO,说明未掺杂的富锌ZnO也可以形成p型导电.p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成可归因于VZn受主浓度可以克服VO和Zni本征施主的补偿效应. 相似文献
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合成了重稀土高氯酸盐甲基苯甲酰甲基亚砜配合物RE(ClO4)3·L5·C2H5OH(RE=Gd,Tb,Dy,Tm,Yb;L=C6H5COCH2SOCH3).经元素分析、稀土络合滴定、摩尔电导及热重分析确定了配合物的组成,测定了配体及配合物的IR谱、1H NMR及铽配合物的磷光光谱、荧光激发和发射光谱,根据荧光发射光谱数据计算了铽配合物的各能级值. 相似文献
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A set of chaotic attractors is observed on a boost converter model. The union of their Poincare maps is strange. The attractors are densely packed such that they are sensitive to initial conditions. However every attractor in the set is stable with a finite (may be long) period 相似文献
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Lei Shan Meghelli M. Joong-Ho Kim Trewhella J.M. Oprysko M.M. 《Advanced Packaging, IEEE Transactions on》2002,25(2):248-254
A 50 Gb/s package for SiGe BiCMOS 4:1 multiplexer and 1:4 demultiplexer targeting SONET OC-768 serial communication systems is introduced in this work. The package was designed to facilitate bit-error-rate tests and constructed with high-speed coaxial connectors, transmission lines on ceramic substrate, ribbon bonds for chip-to-package interconnects, and a metal composite housing. Numerical simulations were conducted to guide the package design, and both small signal measurements and operational tests were performed thereafter to verify the design and modeling concepts. To keep the model structure under the existing computing capability, the simulation was segmented into three sections - coaxial connector to transmission line, transmission line alone, and transmission line to ribbon bond, and then the results were assembled to predict the performance of the entire package. The package was operated up to 50 Gb/s with low degradation to input digital waveforms and free of error. 相似文献
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