基于系统调用特征的入侵检测研究

对网络服务程序进行攻击是非法用户入侵系统的主要途径 ,针对关键程序的入侵检测近年来受到重视 .该文提出的CTBIDS检测模型在利用系统调用特征树描述程序行为特征的基础上 ,通过异常有限积累判别程序入侵 ,既能体现异常状况的长期积累 ,也能很好地反映入侵的异常局部性原理 .此外 ,该文通过统计分析方法确定入侵判别参数 ,使得入侵判别更加准确 .测试及试用结果表明CTBIDS能有效检测出针对关键程序的攻击     

非对称电阻场板场效应器件击穿特性仿真分析

利用TCAD仿真研究一种二维紧耦合电阻场板电流调制原理下的物理模型与最优化结构。通过优化关键工艺与材料参数,改善器件漂移区尖峰电场,最终在相同漂移区掺杂下击穿电压较一维PN结理论击穿电压提升273%,相同归一化击穿电压10%变化范围下,漂移区电荷变化允许冗余范围比现有传统PN超结拓宽15倍。相较于对称电阻场板场效应器件,在现有工艺下非对称优化电阻场板场效应器件能够更好的实现结构小型化与高密度的设计。     

基于Leader-Follower的分群移动控制算法

分布式智能体群体移动控制中,简洁高效的多任务分群和群体移动是实现复杂群体运动控制的基础.群体运动会受到各节点运动不统一的影响而产生震荡和波动,使群体的移动距离增加,降低了群体移动效率.受"阻尼减震"的启发,本文对领导者最大速度进行限制,同时调节合力组成比例,对节点间无序力进行弱化,减小无序力对群体移动的负面影响,突出移...     

塑封胶吸湿对器件分层影响的研究

进行3种塑封胶的吸湿试验来证实其在相同器件中的不同可靠性表现由吸湿量的差异造成,得到了树脂相同的塑封胶的吸湿量与二氧化硅填充量之间的关系。证实了MSL3条件下塑封胶吸湿遵循Fick定律,并且得到了MSL3条件下3种塑封胶中湿气的扩散系数。综合考虑回流过程中蒸汽压、塑封胶吸湿膨胀和热膨胀,进行了界面分层风险的定量分析。     

内部对流换热对导叶冷却效果的影响

根据导向叶片的曲面结构,运用SST κ-ω湍流模型,在不同冷气入口压力条件下,对涡轮叶片型面的冷却效果进行了数值模拟.计算针对两种情形,即叶片内部有对流换热的情形和无对流换热的情形.结果表明:随着冷气入口压力的增加,叶片有无内部对流换热的冷却效果也在增加;有内部对流换热的冷却效果较纯气膜冷却的高,尤其是在叶片前缘;增加叶片内部的对流换热系数,冷却效果随之增加.     

油品对DMCC甲醛排放的比较研究

为了研究甲醇燃料发动机尾气中甲醛的排放特征,在一台经过改装的组合燃烧发动机上,采用标准测试柴油(TF)和普通市场柴油(MF)进行了实验,比较了燃用不同油料时的甲醛排放特征.实验结果表明;在相同甲醇掺烧比时,两种油料均是在低负荷时甲醛排放最高,在中负荷时最低,在高负荷时甲醛排放居中,三种负荷下MF甲醛排放均比TF高;此外,实验还对比了相同负荷、不同甲醇掺烧比时的甲醛排放,均表现出MF的甲醛排放比TF高,在高负荷下甚至达到2.5倍;实验还表明单纯的依靠氧化催化转化器不能有效降低甲醛排放.     

新工科电子技术实践教学模式探索与实践

新工科下电子技术学科的快速发展,要求高校培养的专业人才应具有对所学知识的应用和创新能力.传统的电子技术实践教学模式已不能满足对创新型人才培养的需求,为此,本文提出了电子技术实践教学的"层次化、递进式"新框架,由课内基础实验扩展到电子技术实践实训,最后让学生结合全国大学生电子设计竞赛得到锻炼.实践表明,该教学模式充分激发...     

超宽带通信同步的研究

针对TH调制PPM超宽带(IJWB)系统,给出一种解决IR-UWB通信系统信号捕获和定时同步方法.这种方法基于导频脉冲序列,接收机使用与导频脉冲序列相匹配的相关滤波器,通过观察相关器的输出信号,可以估计导频序列的存在,此外,相关器输出的峰值可以使接收机与发射机时间对齐,从而达到同步.采用仿真与理论分析相结合的方法,详细分析了AWGN和多径信道下的同步性能,结果表明,理论分析和仿真结果相吻合,利用导频脉冲序列在各种信道下均可获得很好的同步.     

光学相干断层成像在眼后段检测中的应用

光学相干断层成像（OCT）是一种新型的,无损伤的光学成像技术,能够实现实时的纵向层析成像,在医学临床具有广泛的应用前景。本文探讨了其在眼后段检测中的应用。     

sol-gel法制备锆钛酸钡薄膜的研究

采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Ba(Zr0.3Ti0.7)O3(BZT)薄膜。对其先体溶液进行了差热与热失重曲线(DSC-TG)分析,并以此来确定了薄膜的热处理工艺。X射线衍射分析表明,550℃时开始有钙钛矿相生成,到600℃时,已经完全形成了钙钛矿结构。采用er、tgd的频率和偏压特性曲线研究了不同工艺条件下薄膜的介电性能。经过700℃热处理,薄膜在10 kHz频率,300 K温度测试条件下,相对介电常数为385,介质损耗为0.022;200103 V/cm电场条件下薄膜介电可调率为25.6%。