结构化P2P网络中基于流言传播的负载均衡

提出了结构化P2P网络中利用结点间周期性的拓扑维护通信来夹带、传播消息进行负载均衡的方法，具体针对Chord系统从消息传播的速度和规模两个方面分析了该方法的性能，并利用仿真进行了验证。讨论了结论在其它形式网络中的推广和实现中的消息管理问题。     

三维PDP放电过程数值模拟软件

介绍了三维PDP放电过程模拟软件，该软件可较真实地反映放电单元的实际情况，对放电性能进行优化设计，且具有通用性强、界面友好、使用方便、功能完善等特点。可对不同结构、不同气体成份、不同驱动电压及波形等情况进行计算。     

Irradiation Defects in Silicon Crystal

The application of irradiation in silicon crystal is introduced.The defects caused by irradiation are reviewed and some major ways of studying defects in irradiated silicon are summarized.Furthermore the problems in the investigation of irradiated silicon are discussed as well as its properties.     

Distributed Speech Recognition Systems and Some Key Factors Affecting It''''s Performance

1　IntroductionWiththerapiddevelopmentofInternetandmobilecommunications,theresearchonwirelessmobilenetworkshasbecomethenewhotspotinin formationtechnologyfield .Asweknow ,mobileterminals (mobilephone,forexample)arethetooltohelppeopletoaccessanyinformationtheyneedbyanymediaatanytimeandanywhere .However,itissometimesdifficultformobileterminalstoplaysucharolebecauseofthelimitationssuchaslimitedca pacity ,lowpower,andinconvenienceinoperating .So,peoplehopetofindanotherwaytoaccessnet workinformatio…     

光纤码分多址技术在城域接入网中的应用

分析了光纤码分多址技术O -CDMA在城域接入网中的应用。回顾了O -CDMA技术的发展历史 ,详细地介绍了O -CDMA技术的特点 ,其具有的公平性、灵活性、网络控制管理、对服务区处理能力以及高的安全性使O -CDMA技术成为较好的城域接入网技术。阐述了目前在应用中O -CDMA存在的一些技术方面的问题     

一种高并行度的H.264帧内预测器的VLSI设计

分析了帧内预测的17种模式,对于每个4×4大小块的16个像素点的不同模式的预测公式之间的相同运算,采用数字强度缩减的方法去除计算的冗余,提出了一种高并行度的帧内预测器,可以每个时钟周期处理16个像素点的预测值。基于SMIC0.18μm工艺,用verilog对该设计进行了VLSI实现,综合后的电路的关键路径最大时延为10ns,电路规模不超过1.4万门,数据吞吐率可以达到1600Msamples/s。从实现结果来看,与采用可重构方法的设计相比,该设计在相同的并行度下减小了电路面积,简化了控制逻辑。     

P-channel Ge/Si Hetero-nanocrystal Based MOSFET Memory

The charge storage characteristics of P-channel Ge/Si hetero-nanocrystal based MOSFET memory has been investigated and a logical array has been constructed using this memory cell. In the case of the thickness of tunneling oxide T_ox=2nm and the dimensions of Si- and Ge-nanocrystal D_Si=D_Ge=5nm, the retention time of this device can reach ten years(~1×10~8s) while the programming and erasing time achieve the orders of microsecond and millisecond at the control gate voltage |V_g|=3V with respect to N-wells, respectively. Therefore, this novel device, as an excellent nonvolatile memory operating at room temperature, is desired to obtain application in future VLSI.     

虚拟技术在实验教学中的应用

介绍了虚拟技术在实验教学改革中的作用与意义，探讨了电子信息系统实验教学改革的新思路与实现措施，并总结了实验教学改革的初步成果．     

高压下某些导电高分子色散关系的研究

利用晶格动力学方法,研究在高压下几种导电高分子具有不同晶格链时的色散关系及其曲线的变化.链间耦合作用的减弱使横波与纵波的ω差值相应增大,且在BZ边界处拉开一个间隙,这是维度作用的结果.     

等厚双层涂层材料受集中力作用的平面问题理论解

界面应力的正确评价是分析薄膜涂层材料力学特性的难题之一。利用镜像点法和Dirichlet等值性原理，本文推导了等厚双层薄膜涂层材料受表面集中力作用的平面问题理论解。该显式理论解是以固定在各镜像点上的局部坐标系下的Goursat应力函数的形式给出的。对应于高阶镜像点的应力函数，可通过递推的方法，从对应于低阶镜像点的应力函数求得，而且也易于计算机编程。随着镜像点阶数的增大，它与界面的距离也越来越大，因而相对应的应力函数对界面应力的影响越来越小。最后的算例表明，只需考虑前面有限个镜像点，便可获得足够精度的解。该理论解可作为格林函数，以求解复杂问题的理论解，也可用作边界元法的基本解，提高数值计算的精度和效率。