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112.
用600keV的Kr~ 离子轰击Al/Cr双层薄膜样品进行界面原子反应及相互混合的研究。实验样品是在单晶硅上蒸镀约500nm厚的铝膜,相继再蒸上所需厚度的铬膜而制成的。轰击剂量为2.0×10~(15)-2.5×10~(16)Kr~ /cm~2。用2.0MeVa粒子对轰击前后的样品进行了卢瑟福背散射(RBS)分析,发现界面处有明显的原子混合存在;当轰击剂量≥1.0×10~(16)Kr~ /cm~2时,RBS谱出现有明显的坪台,经拟合计算和x射线衍射(XRD)测量证实确有化合物Al_(13)Cr_2存在;还分别得到了原子混合量及混合效率与轰击剂量的关系;最后对界面处的原子混合机制进行了讨论。 相似文献
113.
114.
115.
The application of irradiation in silicon crystal is introduced.The defects caused by irradiation are reviewed and some major ways of studying defects in irradiated silicon are summarized.Furthermore the problems in the investigation of irradiated silicon are discussed as well as its properties. 相似文献
116.
1 IntroductionWiththerapiddevelopmentofInternetandmobilecommunications,theresearchonwirelessmobilenetworkshasbecomethenewhotspotinin formationtechnologyfield .Asweknow ,mobileterminals (mobilephone,forexample)arethetooltohelppeopletoaccessanyinformationtheyneedbyanymediaatanytimeandanywhere .However,itissometimesdifficultformobileterminalstoplaysucharolebecauseofthelimitationssuchaslimitedca pacity ,lowpower,andinconvenienceinoperating .So,peoplehopetofindanotherwaytoaccessnet workinformatio… 相似文献
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118.
一种高并行度的H.264帧内预测器的VLSI设计 总被引:3,自引:2,他引:1
分析了帧内预测的17种模式,对于每个4×4大小块的16个像素点的不同模式的预测公式之间的相同运算,采用数字强度缩减的方法去除计算的冗余,提出了一种高并行度的帧内预测器,可以每个时钟周期处理16个像素点的预测值。基于SMIC0.18μm工艺,用verilog对该设计进行了VLSI实现,综合后的电路的关键路径最大时延为10ns,电路规模不超过1.4万门,数据吞吐率可以达到1600Msamples/s。从实现结果来看,与采用可重构方法的设计相比,该设计在相同的并行度下减小了电路面积,简化了控制逻辑。 相似文献
119.
The charge storage characteristics of P-channel Ge/Si hetero-nanocrystal based MOSFET memory has been investigated and a logical array has been constructed using this memory cell. In the case of the thickness of tunneling oxide T_ox=2nm and the dimensions of Si- and Ge-nanocrystal D_Si=D_Ge=5nm, the retention time of this device can reach ten years(~1×10~8s) while the programming and erasing time achieve the orders of microsecond and millisecond at the control gate voltage |V_g|=3V with respect to N-wells, respectively. Therefore, this novel device, as an excellent nonvolatile memory operating at room temperature, is desired to obtain application in future VLSI. 相似文献
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The crystallization behavior of miscible syndiotactic polystyrene (sPS) and atactic polystyrene (aPS) blends with different sPS/aPS weight ratios was investigated in supercritical CO2 by using Fourier‐transform infrared spectroscopy, differential scanning calorimetry, and wide‐angle X‐ray diffraction. Supercritical CO2 and aPS exhibited different effects on the conformational change of sPS and competed with each other. Increasing the content of amorphous aPS in the blends made its effect on the conformational change of sPS gradually surpass that of supercritical CO2. Supercritical CO2 favored the formation of the helical conformation of sPS in lower temperature range and the all trans planar conformation in higher temperature range, instead of forming the latter one only in higher temperature range in ambient atmosphere. However, increasing aPS content in the blends pushed the range for forming the helical conformation to lower temperature and made the all trans planar conformation dominant in aPS/sPS 25/75 blend after treating in supercritical CO2 above 60 °C. The all trans planar zigzag conformation was more favorable than the helical conformation after mixing aPS in sPS in supercritical CO2. © 2007 Wiley Periodicals, Inc. J Polym Sci Part B: Polym Phys 45: 1755–1764, 2007 相似文献