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41.
讨论了一种用于∑-△A/D转换器的固定系数半带(half-band)FIR数字滤波器,分析了其线性相位特性和低通滤波特性,给出了频率仿真结果,以及在Cadence设计系统中的电路和版图实现。 相似文献
42.
Summary Carbon deposits on the surface ofRu/Fe2O3 catalysts used in the water-gas shift reaction have been investigated by Auger Electron Spectrometry. A correlation has been
found between the thickness of the carbon deposit and the catalytic activity in WGSR. The carbon deposit covers the metallic
active centers and blocks their contact with reagents. The dotting of the iron oxide support with sodium has been found to
reduce the amount of carbon deposit. . 相似文献
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45.
温度传感器是用来感测温度的,因此利用温度传感器可以将周围环境中温度的变化转换成电流或电压的变化,从而可以实现电流或电压的调整。现以AD590为例介绍温度传感器在激光器和光检测器中的这种应用。 相似文献
46.
1 Introduction
Along with the matureness of laser diode (LD) manufacturing technology, the performance of LD has been improved greatly since 1980s, so various kinds of laser devices based on LD have been developed rapidly, especially the all-solid state lasers. After early experiments and researches, the all-solid state lasers have been commercialized successfully. 相似文献
47.
802.22 工作组的主要任务是开发和建立一套基于认知无线电(CR)技术, 在现有电视频段利用暂时空闲的频道进行无线通信的区域网空中接口标准。由于基于802.22 协议的无线区域网(WRAN)工作在现有电视频段中 , 要求不能对正在广播的电视频道产生干扰 , 所以WRAN采用了认知无线电技术 , 对电视频段进行感知和测量 , 利用动态频谱管理技术找到空闲频道进行再分配。认知无线电技术将是未来无线通信的发展方向之一。本讲座分3 期对无线区域网和认知无线电技术进行介绍, 第1 讲已经介绍无线区域网络和IEEE 802.22工作组情况 , 包括WRAN背景、802.22 系统、802.22空中接口等;第2讲已经介绍认知无线电技术和实现其的基础软件无线电(SDR)技术 , 包括无线电知识描述语言(RKRL)和认知循环、无线电频谱礼仪等;本讲介绍802.22 WRAN频谱共存问题和认知无线电技术的应用。 相似文献
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49.
50.
A self-assembly patterning method for generation of epitaxial CoSi2 nanostructures was used to fabricate 50 nm channel-length MOSFETs. The transistors have either a symmetric structure with Schottky source and drain or an asymmetric structure with n+-source and Schottky drain. The patterning technique is based on anisotropic diffusion of Co/Si atoms in a strain field during rapid thermal oxidation. The strain field is generated along the edges of a mask consisting of 20 nm SiO2 and 300 nm Si3N4. During rapid thermal oxinitridation (RTON) of the masked silicide structure, a well-defined separation of the silicide layer forms along the edge of the mask. These highly uniform gaps define the channel region of the fabricated device. The separated silicide layers act as metal source and drain. A poly-Si spacer was used as the gate contact. The asymmetric transistor was fabricated by ion implantation into the unprotected CoSi2 layer and a subsequent out-diffusion process to form the n+-source. I–V characteristics of both the symmetric and asymmetric transistor structures have been investigated. 相似文献