伟柏(VPOWER)自动转换控制屏的转换原理及故障检修

伟柏自动转换控制屏由市电／油机状态自动监控电路、自动转换开关和控制电路组成，与油机自动控制屏、柴油发电机组等设备一起组成伟柏备用电源系统，为通信提供可靠电源。该设备设计简单、安全实用。但由于控制电路主要由继电器组成，常常会因为继电器故障以及其插座接触不良会使控制屏乃至整个供电系统的可靠性降低。在日常维护工作中较为常见的故障是“不能自动转换”。本文介绍了该设备的转换原理和自动转换故障的检修方法。     

锡(Ⅳ)-偶氮邻苯二酚苯基荧光酮-吐温-80体系分光光度法测定岩石中微量锡

pH值在7.0-8.5的范围内，锡与偶氮邻苯二酚苯基荧光酮、吐温－80形成络合物，其最大吸收峰556nm，摩尔吸光系数2.9×10^5L·mol^-1·cm^-1，锡的含量在0－6μg/25mL范围内遵守比耳定律，本方法对干扰离子的影响和消除进行了研究，本方法已被用于岩石样中锡的测定，结果满意。     

对正项级数敛散性判别法的关系的一些探讨

先对正项级数敛生判别法的粗细与强弱问题进行了辨析，然后建立了三个有关正项级数剑散判别的命题，分别比较了三组判别法之间的强弱关系。     

强噪声背景下确定性谐波信号的模糊滤波

文章提出了一种在强背景噪声环境下对被淹没的谐波信号进行模糊滤波，从而恢复微弱目标信号的方法。在MATLAB环境下，先利用相干平均法，除去被测信号中的随机白噪声，对于有色噪声运用自适应神经模糊推理系统（ANFIS）的方法，对被测信号进行模糊滤波，在较低信噪比下，能较好的恢复出原始微弱信号。     

RPC读出条的阻抗匹配

文章对高阻板探测器读出条的阻抗匹配问题进行了研究;引入了一个用于计算带状线特性阻抗的经验公式.测量的特性阻抗与经验公式很好地符合,说明这个经验公式可以用于RPC读出条特性阻抗的计算,以改善RPC读出信号的质量,利于RPC探测器性能的测量.     

氟氧化物陶瓷的多谱线上转换发光

以氧化硅、氟化铅为基质制备了Er3 :Yb3 共掺杂氟氧化物陶瓷 ,X 射线分析表明陶瓷中存在着 β PbF2 晶相 ,沉积在其中的稀土离子由于具有很低的无辐射跃迁几率而显示出良好的上转换性能。Er3 ,Yb3 离子之间存在的多种能量传递通道 ,导致稀土离子十分丰富的上转换谱线的出现。     

Design and Fabrication of 1.06 μm Resonant-Cavity Enhanced Reflective Modulator with GaInAs/GaAs Quantum Wells

A resonant-cavity enhanced reflective optical modulator is designed and fabricated, with three groups of three highly strained InGaAs/GaAs quantum wells in the cavity, for low voltage and high contrast ratio operation. The quantum wells are positioned in antinodes of the optical standing wave. The modulator is grown in a single growth step in an molecular beam epitaxy system, using GaAs/AlAs distributed Bragg reflectors as both the top and bottom mirrors. Results show that the reflection device has a modulation extinction of 3 dB at -4.5 V bias.     

Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si （111） Substrates using a GaN Intermedial Layer

GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si（111） substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional （3D） mode to the 2I） one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy （TEM） measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer.     

三角B-B曲面在非结构网格生成中的应用

基于生成非结构化网格的Delaunay三角形化方法,应用三次三角Bernstein-Bézier曲面来控制网格点的分布情况。对于给定边界,利用三次非均匀B样条进行边界的拟合及重新离散。对初始化形成的Delaunay三角形,应用三次三角Bernstein-Bézier曲面来计算位于其中的点的长度标尺,通过对三角Bernstein-Bézier曲面边界点的定义来控制三角形内长度标尺的分布。对复杂通道网格剖分的实例表明,此方法可以很好地控制内部网格点的分布情况。     

Dependence of surface morphology of CVD diamond films on deposition conditions

ＤｅｐｅｎｄｅｎｃｅｏｆｓｕｒｆａｃｅｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙｏｆＣＶＤｄｉａｍｏｎｄｆｉｌｍｓｏｎｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓＹＡＮＧＧｕｏｗｅｉ（Ｄｅｐｔ．ｏｆＰｈｙｓ．，ＸｉａｎｇｔａｎＵｕｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｘｉａｎｇｔａｎ４１１１０５...