Effects of Cu~(2+) on characteristic of SV currents

Applying the patch-clamp technique to vacuoles from Radish we studied the effects of Cu2 on Slow Vacuolar (SV) current’s characteristic. Our results show that Cu2 in bath solution at higher concentration inhibits SV currents and the percentage of inhibition increases with increasing concentration and changes with different voltage. When at lower concentration, Cu2 significantly promotes the SV currents and the promotion ratio decrease with increasing voltage. At the same time, the time constants of activation become lesser after adding Cu2 . These results show that there may be some Cu2 binding sites on SV channels and binding to which can change SV current’s characteristic.     

复合量子点MOSFET结构存储器的电路模拟

本文采用准经典近似的Monte Carlo方法对复合量子点MOSFET结构存储器的等效单电子电路进行了模拟.研究结果表明,由于台阶状的复合隧穿势垒的作用,存储器的存储时间特性可得到极大提高.我们进一步研究了N沟道锗/硅复合量子点MOSFET结构存储器的时间特性,得到其存储时间可长达数年,同时写擦时间可分别为μs和ns量级,从而这种新型的器件结构可以有效解决快速编程和长久存储间的矛盾.     

系统中同步问题的研究

介绍了正交频分复用（OFI）M）的基本原理,围绕OFDM同步过程中的符号定时和载波频率偏差问题进行描述,对一种基于保护间隔／循环前缀（PL／CP）的联合实现符号定时和载波同步最大似然估计（MLE）算法进行叙述并仿真。     

利用二次谱盲估计多速率DS/CDMA伪码周期

针对可变扩频长度(VSL)的多速率DS/CDMA信号伪码周期的盲估计问题进行了研究,将一般单速率直扩信号二次功率谱伪码周期估计的方法扩展到多速率DS/CDMA模型。该方法首先将接收的多速率DS/CDMA信号进行采样,并对其求一次功率谱,再将一次谱作为输入信号作傅里叶变换并取模、平方,从而得到信号的二次功率谱。通过推导证明,多速率DS/CDMA信号的二次功率谱在扩频码周期的整数倍处出现尖锐的谱线,且不同速率用户的二次谱线幅度是不同的,利用这些幅度差异区分不同速率并通过估计谱线之间的距离即可获得不同速率信号的伪码周期。仿真表明该算法在低信噪比下适用,在-15 dB能够利用较少数据同时估计多组速率的伪码周期。     

基于ARMA-AKF的HRG随机误差建模分析

针对半球谐振陀螺(HRG)随机误差影响惯性测量单元测量精度的问题,提出了一种改进的基于自回归滑动平均(ARMA)模型和自适应滤波(AKF)的随机误差处理方法。该文对预处理的数据进行了自相关和偏相关特性分析,判断随机误差的适用模型,以及利用贝叶斯信息准则(BIC)准则估计ARMA模型的阶数,通过长自回归模型计算残差法获取模型参数,引入加权自适应因子在线调整一步预测误差阵和量测噪声矩阵用于改进滤波方程,并比较了5项主要误差系数值。结果表明,改进的算法能够有效抑制随机误差,为HRG的随机误差建模补偿提供了新方法。     

加权系数平均法改进的小波域LMMSE信道估计算法

针对传统LMMSE算法需要知道信道特性的问题,提出了一种加权系数平均法改进的小波域LMMSE信道估计算法.运用离散小波变换对LS初始估计和预滤波处理后的信号实行阈值量化去噪处理,然后结合时域信道能量分布的稀疏性特征,利用加权系数平均法求出各子载波的频域响应,从而克服了传统LMMSE算法需要预先知晓信道统计特性的缺陷.对算法的BER和MSE性能进行实验仿真,结果表明:文中所提改进算法的信道估计整体性能显然会更优于LS、SVD-LMMSE以及加权平均改进后的LMMSE算法.另外,在信噪比较低且信道统计特性未可知的状况下,文中算法要优于传统的LMMSE算法,并能够较好地降低噪声的影响,有效提升信道估计的精确度.     

深亚微米CMOS电路多电源全芯片ESD技术研究

深亚微米CMOS电路具有器件特征尺寸小、复杂度高、面积大、数模混合等特点,电路全芯片ESD设计已经成为设计师面临的一个新的挑战。多电源CMOS电路全芯片ESD技术研究依据工艺、器件、电路三个层次进行,对芯片ESD设计关键点进行详细分析,制定了全芯片ESD设计方案与系统架构,该方案采用SMIC0.35μm 2P4M Polycide混合信号CMOS工艺流片验证,结果为电路HBM ESD等级达到4 500 V,表明该全芯片ESD方案具有良好的ESD防护能力。     

战术数据链网络建模与仿真

网络性能的优劣直接关系到战术数据链系统作战效能的发挥,对数据链网络系统性能的仿真评估具有一定的现实意义。在OMNeT++上搭建Link-16网络仿真模型,利用MiXiM对数据链网络系统节点的功能进行分层实现,并详细分析了各节点的系统响应时延、端到端时延及丢包率对网络整体效能的影响,对进一步研究数据链网络具有一定的参考价值。     

基于分形拟合误差的红外烟幕遮蔽效果评估方法

红外烟幕是红外成像跟踪系统的一种重要的对抗手段,它对舰船目标遮蔽程度的强弱直接影响跟踪系统的作战性能.研究了基于分形拟合误差的红外烟幕对舰船目标遮蔽效果的评估方法,改进了毯子覆盖法进行分形维计算的实现方法.与对比度评估方法和相关度评估方法的比较实验表明,基于分形拟合误差的评估方法能够更好地反映红外烟幕对舰船目标的遮蔽程度,是一种有效的评估方法.     

采用(211)碲锌镉衬底制备碲镉汞液相外延薄膜

文中对(211)晶向的CdZnTe衬底进行液相外延生长HgCdTe。获得的碲镉汞液相外延材料的组分为0. 30 ～0. 33,薄膜厚度为10 ～15μm,表面缺陷密度为500cm- 2 ,材料的FWHM达到24弧秒,位错腐蚀坑密度约为2 ×105 cm- 2 ,该材料的表面形貌与采用(111)晶向衬底的HgCdTe外延材料有较大区别。